Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> Широкополосная мощность GaN HEMT

Широкополосная мощность GaN HEMT

(Total 4 Products)

  • CLL3H0914LS-700U 700 Вт GaN SiC HEMT

    Получить цену

    Бренд:АМПЛЕОН

    Количество минимального заказа:1

    Model No:CLL3H0914LS-700U

    Номер детали: CLL3H0914LS-700U Производитель: Амплеон Тип устройства: L-диапазон, GaN-SiC HEMT (транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия, карбида кремния, 700 Вт), внутреннее предварительное согласование + схема...

  • C4H18W500A RF МОП-транзистор 48 В

    Получить цену

    Бренд:АМПЛЕОН

    Количество минимального заказа:1

    Model No:C4H18W500AZ C4H18W500AY

    Номер детали: C4H18W500A Производитель: Амплеон Тип устройства: GaN (нитрид галлия), асимметричный силовой транзистор Доэрти, 1800–2000 МГц, пиковая мощность 500 Вт, предназначенный для конечного радиочастотного усиления макробазовой станции 4G/5G....

  • GaN HEMT CLL3H0914L-700U AlGaN

    Получить цену

    Бренд:АМПЛЕОН

    Количество минимального заказа:1

    Model No:CLL3H0914L-700U

    Номер детали: CLL3H0914L-700 Производитель: Амплеон Тип устройства: L-диапазон, GaN-SiC HEMT (транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия, карбида кремния, 700 Вт), внутреннее предварительное согласование, 0,9–1,4 ГГц,...

  • C4H18W500A RF МОП-транзистор 48 В SOT1273

    Получить цену

    Бренд:АМПЛЕОН

    Количество минимального заказа:1

    Model No:C4H18W500A

    Номер детали: C4H18W500A Производитель: Амплеон Тип устройства: нитрид галлия (GaN) HEMT, асимметричный РЧ-транзистор Доэрти, 48 В. Применение: оконечный усилитель мощности для макробазовой станции 4G/5G AAU и RRU, 1800~2000 МГц Ключевые...

Шаг 1

Широкополосная мощность GaN HEMT

Широкополосный силовой GaN HEMT представляет собой высокоэффективный транзистор на основе нитрида галлия с высокой подвижностью электронов. Он отличается широким диапазоном частот, высокой выходной мощностью и отличным коэффициентом усиления. Он поддерживает стабильную мощность и линейные характеристики во всем широкополосном диапазоне, что идеально подходит для многодиапазонного усиления радиочастотной мощности.
ПОЖАЛУЙСТА, ОСТАВЬТЕ НАМ СООБЩЕНИЕ
МЫ СВЯЖЕМСЯ С ВАМИ
Список сопутствующих товаров
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> Широкополосная мощность GaN HEMT
We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить