Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Бренд:АМПЛЕОН
Количество минимального заказа:1
Model No:CLL3H0914LS-700U
Номер детали: CLL3H0914LS-700U Производитель: Амплеон Тип устройства: L-диапазон, GaN-SiC HEMT (транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия, карбида кремния, 700 Вт), внутреннее предварительное согласование + схема...
Бренд:АМПЛЕОН
Количество минимального заказа:1
Model No:C4H18W500AZ C4H18W500AY
Номер детали: C4H18W500A Производитель: Амплеон Тип устройства: GaN (нитрид галлия), асимметричный силовой транзистор Доэрти, 1800–2000 МГц, пиковая мощность 500 Вт, предназначенный для конечного радиочастотного усиления макробазовой станции 4G/5G....
Бренд:АМПЛЕОН
Количество минимального заказа:1
Model No:CLL3H0914L-700U
Номер детали: CLL3H0914L-700 Производитель: Амплеон Тип устройства: L-диапазон, GaN-SiC HEMT (транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия, карбида кремния, 700 Вт), внутреннее предварительное согласование, 0,9–1,4 ГГц,...
Бренд:АМПЛЕОН
Количество минимального заказа:1
Model No:C4H18W500A
Номер детали: C4H18W500A Производитель: Амплеон Тип устройства: нитрид галлия (GaN) HEMT, асимметричный РЧ-транзистор Доэрти, 48 В. Применение: оконечный усилитель мощности для макробазовой станции 4G/5G AAU и RRU, 1800~2000 МГц Ключевые...

Шаг 1
Широкополосная мощность GaN HEMT
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.