GaN HEMT CLL3H0914L-700U AlGaN

Основные характеристики (Tcase=25°C, VDS=50В, импульс tp=100мкс, δ=10%, класс AB)

• Диапазон частот: 0,9–1,4 ГГц (L-диапазон)
• Напряжение питания стока (VDS): 50 В (тип.), макс. 150 ВАmpleon
• Ток покоя (IDq): 500 мА (тип.) Амплеон
• Выходная мощность насыщения (PL(sat)): 700–800 Вт (58,5–59,0 дБм)Ampleon
• Коэффициент усиления мощности (Gp): 16 дБ (тип.)Ampleon
• Эффективность стока (ηD): 62–71 % (тип. 1,2–1,4 ГГц) Амплеон
• Входные обратные потери (RLin): −10 ~ −16 дБ (тип.)Ampleon
• Комплектация: SOT502A (фланцевая керамика, 2 вывода, высокая теплоотдача) Ampleon
• Термическое сопротивление (переход к корпусу): в устойчивом состоянии 0,38 К/Вт; импульс (3 мс) 0,24 К/ВАmpleon
• Особенности: Внутренняя сеть предварительного согласования + стабильность, защита от электростатического разряда, высокая устойчивость к несоответствию, высокая эффективность, низкое термическое сопротивление.

Ключевые особенности

• GaN-SiC 3-го поколения: высокая плотность мощности, высокая эффективность, высокая температура перехода (225°C), превосходящая LDMOS;
• Сверхширокополосный диапазон 0,9–1,4 ГГц: радар L-диапазона (960/1030/1090/1215 МГц), аэрокосмическая промышленность, ECM;
• Внутреннее предварительное согласование + стабильность: упрощение внешнего согласования, сокращение цикла проектирования, стабильность широкополосного доступа;
• Высокая прочность: устойчивость к несоответствию, устойчивость к всплескам импульсов, подходит для работы с длинными/короткими импульсами;
• Фланцевый керамический корпус: сверхнизкое термическое сопротивление, превосходное рассеивание тепла, высокая надежность для длительной работы при высокой мощности;
• Соответствует RoHS: не содержит свинца, экологически чистый.

Типичные применения

• Импульсный радарный оконечный усилитель L-диапазона высокой мощности (класс 700 Вт, 960–1215 МГц)；
• Аэрокосмический транспондер 1030 МГц/передатчик DME;
• Средства электронного противодействия (ECM), широкополосные мощные постановщики помех;
• Промышленные, научные, медицинские (ISM) высокочастотные источники высокой мощности;
• Замена устаревших LDMOS (например, BLL9G1214L-600), повышенная эффективность и удельная мощность.

Определение номера детали

• CLL: C-диапазон/L-диапазон, GaN HEMT, силовой транзистор
• 3: процесс GaN 3-го поколения
• H0914: диапазон частот 0,9–1,4 ГГц.
• L: L-диапазон, стандартный фланцевый корпус
• 700: номинальная мощность 700 Вт (насыщенная мощность)