Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> Широкополосная мощность GaN HEMT> C4H18W500A RF МОП-транзистор 48 В
C4H18W500A RF МОП-транзистор 48 В
C4H18W500A RF МОП-транзистор 48 В
C4H18W500A RF МОП-транзистор 48 В
C4H18W500A RF МОП-транзистор 48 В
C4H18W500A RF МОП-транзистор 48 В
C4H18W500A RF МОП-транзистор 48 В
C4H18W500A RF МОП-транзистор 48 В

C4H18W500A RF МОП-транзистор 48 В

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: C4H18W500AZ C4H18W500AY

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
Номер детали: C4H18W500A
Производитель: Амплеон
Тип устройства: GaN (нитрид галлия), асимметричный силовой транзистор Доэрти, 1800–2000 МГц, пиковая мощность 500 Вт, предназначенный для конечного радиочастотного усиления макробазовой станции 4G/5G.

Основные характеристики (Tcase=25°C, VDS=48В, сигнал W‑CDMA/5G NR)

  • Диапазон частот: 1800–2000 МГц (основные диапазоны, такие как n39/n40, B39/B40)
  • Напряжение питания стока (VDS): 48 В (типовое), макс. 52 В (рабочее) / 150 В (пробойное)
  • Ток покоя (IDq): 350 мА (основной усилитель, тип.)
  • Средняя выходная мощность (PL(AV)): 83–85 Вт (49,2–49,3 дБм)
  • Пиковая выходная мощность (PL(M)): 500–550 Вт (тип. 500 Вт)
  • Коэффициент усиления мощности (Gp): 15 дБ (тип.)
  • Эффективность дренажа (ηD): 59 % (тип.)
  • Коэффициент мощности соседнего канала (ACPR): −31 дБн (тип., ≤−50 дБн после линеаризации)
  • Входные обратные потери (RLin): −16 дБ (тип.)
  • Упаковка: SOT1258-4 (6-выводной, фланцевый без ушей, пластик с воздушной полостью)
  • Тепловое сопротивление (переход к корпусу): 0,17–0,19 К/Вт (при рассеиваемой мощности 80–120 Вт)
  • Особенности: Внутреннее предварительное согласование, низкая выходная емкость, широкополосная работа, высокая способность DPD, высокий допуск на несоответствие (КСВ = 10:1), высокая надежность

Ключевые особенности

  • GaN + асимметричная архитектура Доэрти: интегрированный двухканальный основной + пиковый; Технология GaN обеспечивает высокую мощность и эффективность, оптимизированную для сигналов 5G с высоким PAPR, с превосходной эффективностью и линейностью;
  • Высокая плотность мощности: пиковая мощность 500 Вт, усиление 15 дБ, идеально подходит для покрытия высокой мощности в диапазоне 1,8–2,0 ГГц;
  • Превосходная эффективность и линейность: типичная эффективность стока 59%, сильная возможность линеаризации DPD с низким эффектом памяти, подходит для сценариев с несколькими несущими и mMIMO;
  • Широкополосная конструкция: широкополосная работа на частоте 1800–2000 МГц, охватывающая основные диапазоны 4G/5G, что упрощает разработку многодиапазонного решения;
  • Внутреннее предварительное согласование: упрощает схемы внешнего согласования, сокращает циклы проектирования и снижает стоимость спецификации;
  • Высокая прочность: выдерживает КСВН = 10:1 при несоответствии всефазной нагрузки для долгосрочной стабильной работы;
  • Соответствует RoHS: не содержит свинца, экологически чистый.

Типичные применения

  • Конечный усилитель макробазовой станции 5G (1800–2000 МГц, диапазоны n39/n40);
  • Усиление радиочастот с несколькими несущими 4G LTE/5G NR;
  • Каналы передачи мощной радиочастотной базовой станции;
  • Замена решений LDMOS (например, серии BLC) для более высокой эффективности и более широкой полосы пропускания.

Определение номера детали

  • C4: технология GaN, класс напряжения 48 В.
  • H18: диапазон 1,8 ГГц (1800–2000 МГц)
  • W500: пиковая мощность 500 Вт.
  • A: Асимметричный Доэрти, стандартная версия
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить