Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> Широкополосная мощность GaN HEMT> C4H18W500A RF МОП-транзистор 48 В SOT1273
C4H18W500A RF МОП-транзистор 48 В SOT1273
C4H18W500A RF МОП-транзистор 48 В SOT1273
C4H18W500A RF МОП-транзистор 48 В SOT1273
C4H18W500A RF МОП-транзистор 48 В SOT1273
C4H18W500A RF МОП-транзистор 48 В SOT1273
C4H18W500A RF МОП-транзистор 48 В SOT1273
C4H18W500A RF МОП-транзистор 48 В SOT1273

C4H18W500A RF МОП-транзистор 48 В SOT1273

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: C4H18W500A

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
Номер детали: C4H18W500A
Производитель: Амплеон
Тип устройства: нитрид галлия (GaN) HEMT, асимметричный РЧ-транзистор Доэрти, 48 В.
Применение: оконечный усилитель мощности для макробазовой станции 4G/5G AAU и RRU, 1800~2000 МГц

Ключевые характеристики

  • Диапазон частот: 1800 МГц ~ 2000 МГц
  • Напряжение питания: 48 В (тип.)
  • Пиковая выходная мощность: 500 Вт
  • Усиление мощности: 15,0 дБ (тип.)
  • Эффективность слива: 59% (тип.)
  • Упаковка: SOT1258-4, пакет с воздушной полостью без фланца
  • Конфигурация: встроенный асимметричный Доэрти со встроенным входным согласованием.
  • Основные характеристики: Высокоэффективная технология GaN, низкий эффект памяти, совместимость с DPD, надежность КСВ 10:1.

Функции

  1. Применяется передовой полупроводниковый процесс GaN, обеспечивающий более высокую эффективность и более низкое энергопотребление, чем традиционный LDMOS;
  2. Встроенная асимметричная архитектура Доэрти, идеально оптимизированная для сигналов 5G NR и LTE с высоким PAPR;
  3. Интегрированная широкополосная сеть согласования входов уменьшает количество внешних радиочастотных компонентов и ускоряет проектирование;
  4. Низкий эффект памяти обеспечивает превосходную линейность после коррекции DPD;
  5. Высокая надежность с допуском на несоответствие полной фазы нагрузки 10:1 для стабильной долгосрочной работы базовой станции;
  6. Оптимизированный фланцевый корпус с превосходным рассеиванием тепла для непрерывной работы на высокой мощности.

Типичные применения

  • Конечный усилитель базовой станции макро для диапазонов 5G n39/n40 и 4G B39/B40
  • Широкополосные системы радиочастотных передатчиков частной сети
  • Модули линейного усилителя мощности высокой мощности

Определение номера детали

  • C4: устройство питания GaN, платформа 48 В.
  • H18: покрытие диапазона частот 1,8 ГГц (1800–2000 МГц)
  • W500: пиковая мощность 500 Вт.
  • A: Асимметричная конфигурация Доэрти
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить