категорий и товары
RF и микроволновая печь MLCC
ВЧ и СВЧ MLCC Высокочастотный ток/напряжение
Высокая мощность RF и микроволновая печь MLCC
150 В, 300 В, РЧ и микроволновая печь MLCC
250 В RF и микроволновая печь MLCC
500 В RF и микроволновая печь MLCC
Усовершенствованные многослойные керамические конденсаторы ВЧ и СВЧ-диапазона
Прецизионный MLCC для ВЧ и СВЧ систем
RF высокодобротный многослойный керамический конденсатор
Многослойный керамический конденсатор для микроволновой печи
600S3R0BW250XT 3,0пФ 0603 ±0,1% 250 В
100A240JW150XT 24пФ 0505 5% 150В
600F390JT250XT высокопроизводительный RF/MLCC
100A2R0BW150XT 2пФ 0505 ±0,1% 150 В
100B102JW500XT 1000пФ 1210 ±5% 500В
100B2R2CRW500XT 1210 2,2пф ±0,25% 500 В
100B240FW500XT 1111 24PF ±1% 500В
100B2R7BW500XT 1111 2,7PF ±0,1% 500 В
Керамический конденсатор высокой радиочастотной мощности
Керамический конденсатор высокой радиочастотной мощности с высоким значением добротности
Керамический конденсатор высокой мощности 5000 В
Керамический конденсатор высокой радиочастотной мощности
Высокочастотный силовой керамический диэлектрический конденсатор
ВЧ конденсатор со сверхнизким ESR
DLC75B0R1BW501XT ВЧ конденсатор со сверхнизким ESR
DLC75B0R2BW501XT ВЧ конденсатор со сверхнизким ESR
DLC75B0R3BW501XT ВЧ конденсатор со сверхнизким ESR
ВЧ-конденсатор со сверхнизким ESR 500 В DLC75B0R4BW501XT
Сверхнизкий ESR, микроволновый керамический диэлектрический конденсатор
Керамический диэлектрический конденсатор ВЧ/СВЧ со сверхнизким ESR
Керамические диэлектрические конденсаторы со сверхнизким ESR, ВЧ/СВЧ-диэлектриками
Керамические ВЧ-конденсаторы со сверхнизким ESR для микроволновых применений
Конденсатор с керамическим диэлектриком RF/MW со сверхнизким ESR
Керамический ВЧ-конденсатор со сверхнизким ESR
Усовершенствованный ВЧ-керамический конденсатор с минимальным ESR
Керамический диэлектрический конденсатор с низким ESR
Высокопроизводительный ВЧ-диэлектрический конденсатор со сверхнизким ESR
Прецизионные ВЧ керамические конденсаторы
Широкополосный радиочастотный конденсатор
Широкополосный ВЧ-конденсатор с превосходными характеристиками
Высокопроизводительный широкополосный радиочастотный конденсатор для связи
Высокопроизводительный широкополосный радиочастотный конденсатор
Широкополосный радиочастотный конденсатор высокой производительности
Силовой LDMOS-транзистор
Устройство Advanced Power LDMOS BLP15M9S70Z
BLF188XR RF MOSFET LDMOS 50 В CDFM4
BLF647P RF MOSFET LDMOS 32 В LDMOST
BLP9G0722-20G RF МОП-транзистор LDMOS 28 В
BLP9H10S-350A RF МОП-транзистор LDMOS 48 В
BLP9H10S-500AWT RF MOSFET LDMOS 300 МВ OMP780
BLC9H10XS-606AZ RF MOSFET LDMOS 48В
LDMOS BLC9H10XS-606AZ РФ МОП-транзистор
BLC9H10XS-606AZ РФ МОП-транзистор LDMOS
AMPLEON BLC9H10XS-606AZ RF MOSFET LDMOS
BLC9H10XS-505AZ РФ МОП-транзистор LDMOS
РЧ МОП-транзисторы BLM9H0610S-60PG
BLC9H10XS-600A RF MOSFET LDMOS
BLC9H10XS-500A RF MOSFET LDMOS 48 В SOT1273-1
BLC9H10XS-350A RF MOSFET LDMOS 50 В SOT1273
BLC10G22XS-551AVT RF МОП-транзистор LDMOS32V
BLC10G18XS-551AVT RF MOSFET LDMOS
GaN силовой транзистор
C4H27F400AV 400 Вт, высокая выходная мощность, высокий коэффициент усиления
C4H24F550AVZ ВЧ силовой транзистор на основе нитрида галлия
C4H2327N110AZ Силовой РЧ-транзистор на основе нитрида галлия
C4H2350N10Z Силовой РЧ-транзистор на основе нитрида галлия
2-ступенчатая MMIC Доэрти
B10H0710N40DYZ 2-этапная MMIC Доэрти для радиочастотных приложений
AMPLEON B11G3338N81DXZ МОП-транзистор LDMOS
BLM8G0710S-15PB 2-ступенчатый двухсекционный MMIC питания
BLM8G0710S-30PBG ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР РЧ МАЛОГО СИГНАЛА
B10G2022N10DLZ 2-ступенчатый, 10 Вт, полностью интегрированный MMIC Doherty
B11G1822N60DXZ AMPLEON MMIC LDMOS
РЧ МОП-транзисторы BLM10D1822-61ABG
BLM9D1819-08AMZ Двухэтапная полностью интегрированная MMIC Doherty
BLM9D1920-08AMZ Доэрти LDMOS MMIC
BLM9D2022-08AMZ 2-ступенчатая полностью интегрированная MMIC Doherty LDMOS
BLM9D1822-30B LDMOS AMPLEON 9-го поколения
BLM10D1822-60ABGZ RF МОП-транзистор LDMOS
BLM9D1822S-60PBG 2-этапная полностью интегрированная MMIC Doherty
BLM8D1822S-50PBG RF МОП-транзистор LDMOS
B10G2527N10DLZ RF МОП-транзистор MMIC
B10G2327N55DZ RF МОП-транзистор LDMOS
Широкополосная мощность GaN HEMT
GaN HEMT CLL3H0914L-700U AlGaN
CLL3H0914LS-700U 700 Вт GaN SiC HEMT
ВЧ / УКВ мощность LDMOS
BLC9H10XS-60P RF MOSFET LDMOS 50 В SOT1273
BLC10G16XS-600AVT RF МОП-транзистор LDMOS 32 В
BLC10G19XS-601AVTZ RF МОП-транзистор LDMOS 30 В
BLC10G22XS-603AVT РЧ МОП-транзистор LDMOS 30 В
BLC10G22XS-570AVT RF MOSFET LDMOS 30 В SOT1258
BLC10G15XS-301AVT РЧ МОП-транзистор LDMOS 30 В
BLC10G22XS-301AVT RF MOSFET LDMOS DFM6
BLC10G18XS-602AVT RF МОП-транзистор LDMOS
BLC10G22XS-602AVT РЧ МОП-транзистор LDMOS 30 В SOT1258
BLC10G19XS-551AV RF MOSFET LDMOS
BLC10G18XS-552AVT RF МОП-транзистор LDMOS
BLC10G19XS-600AVT RF MOSFET LDMOS
BLC10G22XS-600AVT RF MOSFET LDMOS
BLC10G18XS-301AVT RF МОП-транзистор LDMOS
BLA9H0912LS-1200PG LDMOS силовой транзистор авионики
РЧ МОП-транзисторы BLC2425M10LS500P
BLF984P BLF984PU Силовой LDMOS-транзистор



