GaN силовой транзистор

(Total 6 Products)

C4H2350N10Z Силовой РЧ-транзистор на основе нитрида галлия

Получить цену

Бренд:АМПЛЕОН
Количество минимального заказа:1
Model No:C4H2350N10Z C4H2350N10Y C4H2350N10

Модель: C4H2350N10Z (базовая модель: C4H2350N10) Производитель: Амплеон Тип продукта: ВЧ силовой ВЧ-транзистор на основе нитрида галлия (GaN) (однозатворная конструкция, оптимизированная для широкополосных приложений) Ключевые характеристики...

Свяжитесь
C4H2327N55PZ RF MOSFET GAN

Получить цену

Бренд:АМПЛЕОН
Количество минимального заказа:1
Model No:C4H2327N55PZ C4H2327N55PX C4H2327N55P

GaN силовой транзистор Модель: C4H2327N55Pz (стандартная модель: C4H2327N55PZ) Производитель: Амплеон Тип продукта: Упакованный силовой ВЧ-транзистор Доэрти на основе нитрида галлия (GaN) (оптимизирован для широкополосных базовых станций 2,3–2,69...

Свяжитесь
C4H24F550AVZ ВЧ силовой транзистор на основе нитрида галлия

Получить цену

Бренд:АМПЛЕОН
Количество минимального заказа:1
Model No:C4H24F550AV C4H24F550AVZ

C4H24F550AVZ GaN силовой транзистор Модель: C4H24F550AV (полный номер детали: C4H24F550AVY) Производитель: Амплеон Тип продукта: ВЧ силовой ВЧ-транзистор на основе нитрида галлия (GaN) (асимметричная архитектура Доэрти) Ключевые характеристики...

Свяжитесь
C4H27W400AVZ RF МОП-транзистор 50 В

Получить цену

Бренд:АМПЛЕОН
Количество минимального заказа:1
Model No:C4H27W400AVZ C4H27W400AVY

Модель: C4H27W400AV (базовая модель: C4H27W400A) Производитель: Амплеон Тип продукта: Асимметричный силовой ВЧ-транзистор Доэрти в корпусе из нитрида галлия (GaN) (оптимизирован для широкополосных базовых станций 2,3–2,69 ГГц) Ключевые...

Свяжитесь
C4H2327N110AZ Силовой РЧ-транзистор на основе нитрида галлия

Получить цену

Бренд:АМПЛЕОН
Количество минимального заказа:1
Model No:C4H2327N110A C4H2327N110AZ C4H2327N110AY

Модель: C4H2327N110A (полные номера деталей: C4H2327N110AX/C4H2327N110AZ) Производитель: Амплеон Тип продукта: ВЧ силовой ВЧ-транзистор на основе нитрида галлия (GaN) (архитектура Доэрти, конструкция с двумя затворами) Ampleon Ключевые...

Свяжитесь
C4H27F400AV 400 Вт, высокая выходная мощность, высокий коэффициент усиления

Получить цену

Бренд:АМПЛЕОН
Количество минимального заказа:1
Model No:C4H27F400AV C4H27F400AVZ

C4H27F400AVZ — это корпусированный асимметричный силовой ВЧ-транзистор Доэрти, основанный на современной технологии нитрида галлия (GaN) компании Ampleon, оптимизированный для среднечастотных макробазовых станций 5G NR среднего диапазона 2496–2690...

Свяжитесь

Шаг 1

GaN силовой транзистор

Силовой GaN-транзистор представляет собой полупроводниковый прибор с широкой запрещенной зоной, изготовленный из нитрида галлия. Он обеспечивает более высокую скорость переключения, меньшие потери мощности, более высокий КПД и превосходные высокочастотные характеристики по сравнению с традиционными кремниевыми транзисторами. Он поддерживает работу при высоком напряжении, высокой температуре и высокой мощности, что значительно повышает энергоэффективность и плотность мощности.

ПОЖАЛУЙСТА, ОСТАВЬТЕ НАМ СООБЩЕНИЕ

МЫ СВЯЖЕМСЯ С ВАМИ