Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> Силовой LDMOS-транзистор> РЧ МОП-транзисторы BLC10G27XS-400AVTZ
РЧ МОП-транзисторы BLC10G27XS-400AVTZ
РЧ МОП-транзисторы BLC10G27XS-400AVTZ
РЧ МОП-транзисторы BLC10G27XS-400AVTZ
РЧ МОП-транзисторы BLC10G27XS-400AVTZ
РЧ МОП-транзисторы BLC10G27XS-400AVTZ
РЧ МОП-транзисторы BLC10G27XS-400AVTZ

РЧ МОП-транзисторы BLC10G27XS-400AVTZ

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: BLC10G27XS-400AVT BLC10G27XS-400AVTZ

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
Силовой LDMOS-транзистор
Модель: BLC10G27XS-400AVT (стандартная модель: BLC10G27XS-400AVTZ, упаковка на ленте и в катушках)
Производитель: Амплеон
Тип продукта: Асимметричный силовой ВЧ-транзистор Доэрти 9-го поколения с напряжением LDMOS 28 В (оптимизирован для приложений с несколькими несущими на базовых станциях 2,496–2,69 ГГц)

Ключевые характеристики

Parameter Specification
Frequency Range 2496 MHz to 2690 MHz (2.496–2.69 GHz), covering 5G NR n78/n79 and other key bands
Peak Output Power (P1dB) 400 W (Continuous Wave, CW mode), typical 46.0 dBm
Typical Power Gain 13.3 dB (Typical, in Doherty Configuration)
Typical Drain Efficiency 50%+ (Doherty Configuration, Optimized DPD Performance)
Supply Voltage (VDS) 28 V (Standard), Maximum Rated Voltage 65 V
Quiescent Drain Current (IDq) 200 mA (Typical)
Package Type SOT1258-4 (OMP-780-4F-1), 6-lead air cavity plastic earless flanged package, enhanced thermal dissipation
Special Features Asymmetric Doherty architecture, integrated ESD protection, low output capacitance, integrated input/output impedance transformation, user-friendly PCB matching to 50-ohm
Linearity Performance Optimized for high Peak-to-Average Power Ratio (PAPR) 5G NR signals, excellent ACPR performance after DPD correction

Особенности и преимущества

  • Технология LDMOS 9-го поколения: используется зарекомендовавшая себя в отрасли технология LDMOS 9-го поколения 28 В от Ampleon для балансировки высокой мощности и эффективности в диапазоне частот 2,496–2,69 ГГц, что идеально подходит для приложений многодиапазонных базовых станций 5G NR.
  • Асимметричная архитектура Доэрти: специально разработана для приложений с несколькими несущими на базовых станциях со встроенным входным разветвителем и выходным сумматором, оптимизируя производительность широкополосной связи и снижая сложность конструкции системы.
  • Исключительные характеристики цифрового предыскажения (DPD): оптимизированы для сигналов 5G NR, обеспечивают превосходную линейность после коррекции DPD для удовлетворения строгих требований к коэффициенту мощности в соседнем канале (ACPR) для базовых станций.
  • Сверхвысокая плотность мощности: обеспечивает пиковую выходную мощность 400 Вт в компактном корпусе с лучшей в отрасли плотностью мощности, что значительно уменьшает размер РЧ-интерфейсов базовой станции и снижает затраты на систему.
  • Высокоэффективное преобразование энергии: типичный КПД стока превышает 50 %, что значительно снижает потребление энергии базовой станцией и повышает надежность системы и экономичность эксплуатации.
  • Конструкция с низкой выходной емкостью: улучшает частотную характеристику и эффективность в приложениях Доэрти, улучшает адаптивность широкополосной связи и повышает общую производительность системы.
  • Встроенная защита от электростатического разряда: обеспечивает превосходную защиту от электростатических разрядов, повышая надежность и срок службы устройства.
  • Интегрированное преобразование импеданса. Встроенные схемы преобразования входного и выходного импеданса обеспечивают удобное согласование печатных плат с сопротивлением 50 Ом, упрощая процесс проектирования.
  • Высоконадежный корпус: Пластиковый фланцевый корпус с воздушной полостью обеспечивает превосходную теплопроводность при низком термическом сопротивлении, обеспечивая стабильную работу в условиях высоких нагрузок.
  • Соответствие RoHS: соответствует требованиям директив RoHS для применения на мировом рынке.

Приложения

  • Радиочастотные усилители мощности для макро/микробазовых станций 5G NR (диапазоны 2,496–2,69 ГГц, например, n78/n79)
  • Многодиапазонные модули усилителя мощности базовой станции 4G LTE (2496–2690 МГц)
  • Блоки усиления мощности в системах Massive MIMO (mMIMO)
  • Системы передатчиков связи с несколькими несущими (например, W-CDMA, LTE-A Pro)
  • Инфраструктура широкополосной беспроводной связи (например, C-диапазон, 5G-Advanced)
  • Промышленный Интернет вещей (IIoT) и частные сетевые системы связи (например, 5G-Industrial)
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить