Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> Силовой LDMOS-транзистор> BLP0408H9S30 BLP0408H9S30Z RF МОП-транзистор LDMOS
BLP0408H9S30 BLP0408H9S30Z RF МОП-транзистор LDMOS
BLP0408H9S30 BLP0408H9S30Z RF МОП-транзистор LDMOS
BLP0408H9S30 BLP0408H9S30Z RF МОП-транзистор LDMOS
BLP0408H9S30 BLP0408H9S30Z RF МОП-транзистор LDMOS
BLP0408H9S30 BLP0408H9S30Z RF МОП-транзистор LDMOS
BLP0408H9S30 BLP0408H9S30Z RF МОП-транзистор LDMOS
BLP0408H9S30 BLP0408H9S30Z RF МОП-транзистор LDMOS

BLP0408H9S30 BLP0408H9S30Z RF МОП-транзистор LDMOS

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: BLP0408H9S30 BLP0408H9S30Z BLP0408H9S30 BLP0408H9S30G

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
BLP0408H9S30Z — это ВЧ-драйверный транзистор LDMOS средней мощности мощностью 30 Вт, производимый компанией Ampleon с использованием высоковольтной (50 В) технологической технологии LDMOS 9-го поколения. Он специально разработан для радиовещательных передатчиков 400–860 МГц (диапазон УВЧ), передатчиков класса AB и промышленного применения и помещен в компактный корпус для поверхностного монтажа (SOT-1482-1/TO-270-2F-1). Обладая исключительными широкополосными характеристиками, высокой эффективностью и чрезвычайной надежностью, он идеально подходит для усиления драйверного каскада в цифровых и аналоговых передатчиках.

Ключевые особенности

  • Широкополосная связь и высокая эффективность: типичная выходная мощность 30 Вт при частоте 470 МГц, коэффициент усиления по мощности до 20,2 дБ и эффективность стока 62 % (VDS=50 В, IDQ=100 мА), что обеспечивает превосходную энергоэффективность.
  • Исключительная надежность: выдерживает рассогласование нагрузки КСВН по всему диапазону 20:1 при напряжении питания 50 В, обладает исключительной ударопрочностью для суровых условий эксплуатации.
  • Встроенная защита от электростатического разряда. Встроенная двусторонняя схема защиты от электростатического разряда значительно повышает надежность устройства во время производства, установки и эксплуатации, снижая риск электростатического повреждения.
  • Надежность промышленного уровня: максимальное напряжение сток-исток 104 В, допуск температуры перехода до 200°C и низкое тепловое сопротивление (переход-корпус) 1,2 кВ/Вт, подходящее для длительной непрерывной работы.
  • Широкий частотный диапазон: охватывает весь диапазон УВЧ 400–860 МГц, адаптируется к различным частотным приложениям без регулировки, что упрощает конструкцию системы.
  • Компактная конструкция корпуса: корпус SOT-1482-1 (TO-270-2F-1) для поверхностного монтажа с 3-контактной конфигурацией, обеспечивающий высокую плотность установки и управление температурным режимом.

Типичные применения

  • Усиление мощности на драйверном этапе для передатчиков цифрового ТВ УВЧ (DVB-T/T2, ATSC 3.0)
  • Устройство драйвера сердечника в системах усилителей мощности Доэрти вещания
  • Усиление мощности для промышленного высокочастотного оборудования для нагрева, сушки и генерации плазмы.
  • Этап усиления мощности в профессиональных базовых станциях и ретрансляторах связи
  • Стадия драйвера для источников сигналов ВЧ-измерительных приборов
  • Усиление мощности в беспроводной инфраструктуре и корпоративных системах связи

Технические характеристики

Parameter Value Notes
Frequency Range 400–860 MHz UHF band
Output Power (CW) 30 W (typical) 470 MHz, VDS=50 V, IDQ=100 mA
Power Gain 20.2 dB (typical) 470 MHz, Pout=30 W
Drain Efficiency 62% (typical) 470 MHz, Pout=30 W
Supply Voltage 50 V (DC) Standard operating voltage
Maximum Drain-Source Voltage 104 V Absolute maximum rating
Package SOT-1482-1 (TO-270-2F-1) 3-pin surface-mount design
Thermal Resistance (junction-to-case) 1.2 K/W Typical value
Junction Temperature Up to 200°C Absolute maximum rating
VSWR Ruggedness 20:1 Full frequency band
ESD Protection Integrated dual-sided ESD protection Enhances reliability
Input Return Loss -12 dB (typical) 470 MHz
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> Силовой LDMOS-транзистор> BLP0408H9S30 BLP0408H9S30Z RF МОП-транзистор LDMOS
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить