Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> 2-ступенчатая MMIC Доэрти> BLM10D1822-60ABGZ RF МОП-транзистор LDMOS
BLM10D1822-60ABGZ RF МОП-транзистор LDMOS
BLM10D1822-60ABGZ RF МОП-транзистор LDMOS
BLM10D1822-60ABGZ RF МОП-транзистор LDMOS
BLM10D1822-60ABGZ RF МОП-транзистор LDMOS
BLM10D1822-60ABGZ RF МОП-транзистор LDMOS

BLM10D1822-60ABGZ RF МОП-транзистор LDMOS

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: BLM10D1822-60ABGZ

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
BLM10D1822-60ABG LDMOS 2-этапная интегрированная MMIC Doherty
BLM10D1822-60ABGZ — это двухкаскадная полностью интегрированная MMIC Doherty MMIC 10-го поколения от Ampleon, работающая на частоте 1800~2200 МГц. Оптимизированный для макробазовых станций 4G/5G и конечных/драйверных каскадов mMIMO, суффикс «Z» указывает на соответствие требованиям RoHS отсутствие свинца (производительность идентична BLM10D1822-60ABG).
Он объединяет входной разветвитель, двухкаскадный усилитель Доэрти, выходной сумматор и схему предварительного согласования на одном кристалле, обеспечивая высокую мощность, высокую эффективность и высокую степень интеграции, что упрощает периферийные схемы для компактных мощных усилителей мощности базовой станции.

Ключевые характеристики

  • Производитель: Амплеон
  • Номер детали: BLM10D1822-60ABGZ
  • Диапазон частот: 1800~2200 МГц
  • Типичная средняя выходная мощность: 60 Вт
  • Выходная мощность в насыщенном режиме: типовая 75 Вт
  • Усиление мощности: типичное значение 30 дБ
  • Эффективность стока: типично 48% (при средней мощности 60 Вт)
  • Напряжение питания: 28 В
  • Комплектация: PQFN20 (крыло чайки, поверхностный монтаж)
  • Технология: кремниевый LDMOS 10-го поколения (GEN10 LDMOS).
  • Статус: В производстве (Z = без свинца)

Функции

  1. Технология LDMOS 10-го поколения, двухступенчатая однокристальная интеграция Доэрти с независимыми трактами несущей/пиковой частоты.
  2. Широкополосное покрытие 1,8G~2,2G с поддержкой мультистандартных систем GSM, LTE, 5G NR n1/n3.
  3. Высокий коэффициент усиления, отличная линейность, низкий эффект памяти, поддержка DPD для оптимальной линеаризации.
  4. Встроенный делитель входов/выходов, предварительно согласованное сопротивление 50 Ом, минимальная комплектация, отсутствие сложной настройки.
  5. Независимое смещение несущей/пика для гибкой оптимизации эффективности/линейности.
  6. Встроенная защита от электростатического разряда, превосходная термическая стабильность, высокий уровень КСВН для обеспечения высокой надежности.

Приложения

  • Макробазовая станция 4G/5G и оконечные усилители мощности mMIMO
  • Мощное радиочастотное усиление для беспроводной инфраструктуры 1,8–2,2 ГГц
  • Драйверные каскады базовой станции (предварительное усиление для мощных транзисторов)
  • Высокоэффективные усилители Доэрти, компактные мощные радиочастотные передатчики
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить