Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> 2-ступенчатая MMIC Доэрти> B10G4750N12DL B10G4750N12DLZ RF МОП-транзистор LDMOS
B10G4750N12DL B10G4750N12DLZ RF МОП-транзистор LDMOS
B10G4750N12DL B10G4750N12DLZ RF МОП-транзистор LDMOS
B10G4750N12DL B10G4750N12DLZ RF МОП-транзистор LDMOS
B10G4750N12DL B10G4750N12DLZ RF МОП-транзистор LDMOS
B10G4750N12DL B10G4750N12DLZ RF МОП-транзистор LDMOS
B10G4750N12DL B10G4750N12DLZ RF МОП-транзистор LDMOS
B10G4750N12DL B10G4750N12DLZ RF МОП-транзистор LDMOS

B10G4750N12DL B10G4750N12DLZ RF МОП-транзистор LDMOS

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: B10G4750N12DL B10G4750N12DLZ

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
2-ступенчатая MMIC Доэрти
Модель: B10G4750N12DL
Производитель: Амплеон
Тип продукта: 3-каскадный полностью интегрированный РЧ-усилитель мощности Doherty MMIC с LDMOS 10-го поколения, оптимизированный для диапазона 4,7–5,0 ГГц (охватывающий высокочастотный диапазон 5G NR n79) для малых сот и драйверов общего назначения, обеспечивающий идеальный баланс между высокой интеграцией и эффективностью с помощью передовой технологии LDMOSAmpleon

Ключевые характеристики

Parameter Specification
Frequency Range 4700 MHz ~ 5000 MHz (Precisely covers 5G NR n79 high-frequency core band)
Peak Output Power 12W Continuous Wave (CW), in Doherty Configuration (40.8dBm typical, up to 41dBm at 28V supply)
Typical Power Gain 30 dB (at 28V supply, 4850MHz)
Typical Drain Efficiency 32% (at 10dB OBO, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=9.9dB, 4850MHz)
Supply Voltage 26V/28V nominal, Maximum Rated Drain-Source Breakdown Voltage 65V
Quiescent Current 30 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.4V)
Package Type LGA-7x7-20-2, 7x7mm leadless thermal enhanced package with exposed thermal pad
Port Characteristics Internally matched to 50Ω input/output, no external matching required, simplifying RF PCB design
Architecture 3-stage fully integrated Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier/peaking amplifier paths and driver stages
Operating Temperature -40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 175°C)
Thermal Resistance Junction-to-case thermal resistance as low as 7.9 K/W (at PL=1.585W, 1-carrier W-CDMA signal)
Load Mismatch Tolerance Capable of withstanding VSWR=10:1 through all phases (at 32V supply, 5000MHz), improving system robustness
Gain Flatness Only 0.5dB within 4700-5000MHz band, suitable for ultra-broadband communication systems
ESD Protection CDM Class C1 (250V), HBM Class 1B (500V), enhancing device reliability
Stability Rollett stability factor K>1 (at -40°C, 0.6GHz to 8.1GHz frequency range), ensuring stable operation across the entire band

Особенности и преимущества

  • Применяет усовершенствованный процесс LDMOS Ampleon 10-го поколения, обеспечивающий баланс между высокой выходной мощностью 12 Вт и высокой эффективностью 32%, что идеально подходит для модулированных сигналов 5G со сверхвысоким PAPR (PAR = 9,9 дБ) Ampleon.
  • Оптимизированная трехступенчатая полностью интегрированная архитектура Доэрти обеспечивает превосходную коррекцию цифровых предыскажений (DPD), обеспечивая выдающийся коэффициент мощности соседнего канала (ACPR) на уровне -33 дБн после DPD, что соответствует строгим требованиям к линейности для базовых станций малых сот 5GAmpleon.
  • Полностью интегрированная конструкция (встроенный разветвитель, сумматор, 50-омная согласующая сеть и каскады драйвера) значительно упрощает проектирование радиочастотной печатной платы, ускоряет вывод малых ячеек на рынок и снижает стоимость системы.
  • Независимый контроль смещения несущей и пика позволяет гибко оптимизировать линейность и эффективность в различных условиях эксплуатации, что подходит для мультистандартных систем связи (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR)Ampleon.
  • Превосходная устойчивость к несоответствию нагрузки, способность выдерживать КСВ=10:1 на всех этапах, повышение надежности системы в сложных условиях и снижение затрат на обслуживание базовой станции.
  • Сверхширокая неравномерность усиления (всего 0,5 дБ в диапазоне 4700–5000 МГц), подходит для сверхширокополосных систем связи, снижает потребность во внешних схемах выравнивания и повышает надежность системы.
  • Встроенная схема защиты от электростатического разряда повышает надежность устройства во время производства и применения, снижая риск электростатического повреждения и повышая производительность.
  • Термически улучшенный корпус LGA с тепловым сопротивлением переход-корпус всего 7,9 К/Вт, эффективно улучшающим характеристики рассеивания тепла, продлевающим срок службы устройства и поддерживающим конструкции с более высокой плотностью мощности.
  • Поддерживает приложения со сверхширокой полосой пропускания видео (VBW), подходящие для систем малых сот нового поколения, поддерживающих широкополосные сигналы, отвечающие будущим потребностям развития сетей 5G. Ampleon.
  • Соответствует RoHS, подходит для строительства и развертывания глобальной инфраструктуры связи 5G, способствуя развитию экологически чистых коммуникацийAmpleon.

Приложения

  • Блоки РЧ-усиления конечной мощности для базовых станций малых сот 5G NR n79 (4,7–5,0 ГГц), поддерживающие требования к высокой мощности и высокой линейностиAmpleon
  • Усилители драйвера общего назначения для систем связи с агрегацией нескольких несущих (CA), отвечающие требованиям сверхширокополосного сигнала и увеличивающие пропускную способность системы.
  • ВЧ-модули для базовых станций малых сот с массивным MIMO (mMIMO), поддерживающие требования к высокой плотности мощности и высокой эффективности, снижающие энергопотребление базовой станцииAmpleon
  • Проекты модернизации и реконструкции усовершенствованных базовых станций 4G LTE, подходящих для развертывания диапазона 4,7–5,0 ГГц, улучшающих покрытие и пропускную способность сети.
  • Системы радиочастотной передачи для связи в частных сетях и промышленного Интернета вещей (IIoT), требующие широкополосных и высоконадежных приложений, поддерживающих развертывание среды промышленного уровня.
  • Модули усиления мощности для мультистандартного (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR) коммуникационного оборудования, снижающие затраты на разработку оборудования и ускоряющие выход на рынок.
  • Проекты модернизации и реконструкции инфраструктуры беспроводной связи, особенно для развертывания высокочастотных сетей 5G, которые помогают операторам быстро развертывать сети 5G и улучшать качество обслуживания пользователейAmpleon
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> 2-ступенчатая MMIC Доэрти> B10G4750N12DL B10G4750N12DLZ RF МОП-транзистор LDMOS
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить