РЧ МОП-транзисторы BLC10G27XS-551AVT

Получить цену

Количество минимального заказа:

Свяжитесь

Описание продукта

Атрибуты продукта

Упаковка и доставка

Описание продукта

Атрибуты продукта

Модель: BLC10G27XS-551AVT BLC10G27XS-551AVTZ

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта

Силовой LDMOS-транзистор

Модель: BLC10G27XS-551AVT

Производитель: Амплеон

Тип продукта: Асимметричный силовой транзистор Доэрти 10-го поколения с напряжением LDMOS 28 В, оптимизированный для 2,62–2,69 ГГц 5G NR n78-диапазона макробазовой станции для приложений усиления мощности финального этапа

Ключевые характеристики

Parameter	Specification
Frequency Range	2620 MHz ~ 2690 MHz (Precisely covers 5G NR n78 core band)
Peak Output Power	550 W Continuous Wave (CW), in Asymmetric Doherty Configuration
Typical Power Gain	13.5 dB (Doherty operation mode)
Typical Drain Efficiency	66.7% (Industry-leading level, significantly reducing base station energy consumption)
Supply Voltage	28V nominal, Maximum Rated Voltage 65V
Quiescent Current	750 mA (main path), 0 mA (peaking path) typical
Package Type	SOT1258-4 (OMP-780-4F-1), 4-pin RF power package with high-efficiency thermal pad
Thermal Resistance	Junction-to-case thermal resistance as low as 0.22 K/W, excellent heat dissipation performance
Special Features	Internally matched to 50Ω input/output, lower output capacitance for improved Doherty performance, integrated ESD protection
Operating Temperature	-40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 175°C)

Особенности и преимущества

Применяется усовершенствованный процесс LDMOS 10-го поколения Ampleon, обеспечивающий идеальный баланс между сверхвысокой выходной мощностью 550 Вт и сверхвысокой эффективностью стока 66,7%, что значительно снижает энергопотребление макробазовой станции 5G.
Оптимизированная асимметричная архитектура Доэрти с более низкой выходной емкостью повышает производительность приложений Доэрти и идеально подходит для модулированных сигналов с высоким PAPR 5G NR.
Полностью интегрированная сеть согласования входов/выходов сопротивлением 50 Ом исключает необходимость использования сложных внешних схем согласования, что значительно упрощает конструкцию радиочастотной печатной платы и ускоряет вывод базовой станции на рынок.
Конструкция с низким эффектом памяти обеспечивает превосходные возможности коррекции цифровых предыскажений (DPD), обеспечивая выдающиеся характеристики коэффициента мощности соседнего канала (ACPR) и величины вектора ошибок (EVM) после DPD, отвечая строгим требованиям линейности для базовых станций 5G.
Встроенная схема защиты от электростатического разряда повышает надежность устройства во время производства и применения, снижая риск повреждения.
Конструкция корпуса с низким термическим сопротивлением (0,22 К/Вт) и эффективным рассеиванием тепла обеспечивает стабильную работу устройства в длительных условиях высокой мощности, продлевая срок службы.
Соответствует RoHS, подходит для строительства и развертывания глобальной инфраструктуры связи 5G.

Приложения

Блоки усиления мощности РЧ конечного каскада для макробазовых станций 5G NR n78 диапазона (2,6 ГГц)
ВЧ-модули для базовых станций массивного MIMO (mMIMO)
Системы передатчика широкополосной связи 5G-Advanced
Базовые станции связи с агрегацией нескольких несущих (CA)
Мощные системы радиочастотной передачи для связи в частных сетях и промышленного Интернета вещей (IIoT)
Проекты модернизации и реконструкции инфраструктуры беспроводной связи

Горячие продукты