BLP15M9S70G BLP15M9S70GZ RF МОП-транзистор LDMOS

BLP15M9S70G BLP15M9S70GZ RF МОП-транзистор LDMOS

Получить цену

Количество минимального заказа:

Свяжитесь

Описание продукта

Атрибуты продукта

Упаковка и доставка

Описание продукта

Атрибуты продукта

Модель: BLP15M9S70G BLP15M9S70GZ

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта

BLP15M9S70GZ, поставляемый компанией Ampleon, представляет собой многоцелевой силовой радиочастотный LDMOS-транзистор с выходной мощностью 70 Вт. Он использует передовой процесс производства высоковольтных LDMOS 9-го поколения с напряжением 32 В.

Выполненный в миниатюрных корпусах для поверхностного монтажа СОТ-1483-1 и ТО-270-2Ф-2, прибор поддерживает рабочие частоты от ВЧ-диапазона до 1500МГц. Он хорошо подходит для передающего оборудования, промышленных сценариев ISM и различных объектов сетей связи.

Обладая превосходными характеристиками широкополосного доступа, замечательной эффективностью преобразования энергии и надежной структурной стабильностью, устройство действует как идеальное ядро усиления мощности для передатчиков цифровых и аналоговых сигналов.

Ключевые особенности

Широкополосная связь и высокая эффективность: типичная выходная мощность 70 Вт при частоте 470 МГц, коэффициент усиления по мощности до 17,6 дБ и эффективность стока 70 % (VDS=32 В, IDQ=250 мА), что обеспечивает превосходную энергоэффективность.
Исключительная надежность: выдерживает рассогласование нагрузки КСВН по всему диапазону 20:1 при напряжении питания 32 В, обладает исключительной ударопрочностью для суровых условий эксплуатации.
Встроенная защита от электростатического разряда. Встроенная двусторонняя схема защиты от электростатического разряда значительно повышает надежность устройства во время производства, установки и эксплуатации, снижая риск электростатического повреждения.
Надежность промышленного уровня: максимальное напряжение сток-исток 65 В, допуск температуры перехода до 225°C и низкое тепловое сопротивление (переход-корпус) 0,85 кВт, подходящее для длительной непрерывной работы.
Широкий частотный диапазон: охватывает весь диапазон от ВЧ до 1500 МГц, адаптируется к различным частотным приложениям без регулировки, что упрощает конструкцию системы.
Компактная конструкция корпуса: корпус SOT-1483-1 (TO-270-2F-2) для поверхностного монтажа с 4-контактной конфигурацией, обеспечивающий высокую плотность установки и управление температурным режимом.

Типичные применения

Стадия усиления мощности для передатчиков вещания HF/VHF/UHF (AM/FM/цифровое вещание)
Промышленные, научные и медицинские применения (ISM): оборудование для высокочастотного нагрева, сушки и генерации плазмы.
Этап усиления мощности в профессиональных базовых станциях и ретрансляторах связи
Источники сигналов высокой мощности для радиочастотных испытательных приборов
Усиление мощности в беспроводной инфраструктуре и корпоративных системах связи
Усиление мощности для аэрокосмического и оборонного оборудования связи

Технические характеристики

Parameter	Value	Notes
Frequency Range	HF–1500 MHz (0.01–1.5 GHz)	High frequency to UHF band
Output Power (CW)	70 W (typical)	470 MHz, VDS=32 V, IDQ=250 mA
Power Gain	17.6 dB (typical)	470 MHz, Pout=70 W
Drain Efficiency	70% (typical)	470 MHz, Pout=70 W
Supply Voltage	32 V (DC)	Standard operating voltage
Maximum Drain-Source Voltage	65 V	Absolute maximum rating
Package	SOT-1483-1 (TO-270-2F-2)	4-pin surface-mount design
Thermal Resistance (junction-to-case)	0.85 K/W	Typical value
Junction Temperature	Up to 225°C	Absolute maximum rating
VSWR Ruggedness	20:1	Full frequency band, 32 V supply
ESD Protection	Integrated dual-sided ESD protection	Enhances reliability
Input Return Loss	-13 dB (typical)	470 MHz, Pout=70 W
Linearity	36 dBc	470 MHz, Pout=70 W, DVB-T signal
Quiescent Current	IDQ=250 mA	Typical operating point
Input Capacitance	180 pF	Typical value, VGS=0 V
Output Capacitance	35 pF	Typical value, VDS=32 V

Информация для заказа и упаковка

Ordering Part Number	Package Type	Packaging Description	Minimum Order Quantity	Notes
BLP15M9S70GZTR	Tape & Reel (TR)	TR13; 500 pieces/reel; 24 mm width; dry pack	500 pieces	Standard bulk packaging
BLP15M9S70GZCT	Cut Tape (CT)	Single cut tape	1 piece	Sample or small quantity purchase
BLP15M9S70GZXY	Tube	Single tube packaging	50 pieces	Standard tube specification
Status	Active	Available for normal ordering	-	Ampleon standard product

Рекомендации по проектированию схемы драйвера

Согласование импеданса:
- Согласование входов: используйте сеть L-типа или π-типа для согласования источника драйвера 50 Ом с входным сопротивлением транзистора (приблизительно 6–12 Ом).
- Согласование выходного сигнала: спроектируйте широкополосную сеть согласования, обеспечивающую КСВН ≤1,5:1 в рабочем диапазоне частот.
- Микрополосковые линии или коаксиальные кабели рекомендуются для высокочастотного согласования, чтобы минимизировать паразитные эффекты.
Схема смещения:
- Смещение затвора: используйте резистивный делитель напряжения для обеспечения стабильного отрицательного смещения, добавьте развязывающие конденсаторы 10 мкФ и 0,1 мкФ.
- Смещение стока: подача питания постоянного тока через дроссель или линию передачи λ/4 для предотвращения утечки радиочастотного сигнала.
- Температурная компенсация: добавьте термистор для компенсации изменения порогового напряжения затвора в зависимости от температуры (приблизительно -2 мВ/°C).
Схема защиты:
- Защита от перенапряжения: добавьте TVS-диод (напряжение пробоя ≥45 В) на клемму источника питания стока.
- Защита от перегрузки по току: последовательно подключите чувствительный резистор 0,1 Ом, контролируйте ток стока с помощью компаратора.
- Защита от электростатического разряда: добавьте подавитель электростатического разряда (номинальное напряжение ≥15 В) на входных и выходных портах.
- Защита от перенапряжения: добавьте предохранитель (номинальный ток ≥4 А) на входную клемму питания.
Рекомендации по компоновке печатной платы:
- Используйте 2-слойную или 4-слойную печатную плату с верхней и нижней плоскостями заземления, чтобы уменьшить сопротивление заземления.
- Подключения выводов транзистора: используйте кратчайший путь, ширина дорожки затвора ≤1 мм, ширина дорожки стока ≥2,5 мм.
- Развязывающие конденсаторы: разместите высокочастотные керамические конденсаторы (0,1 мкФ) и электролитические конденсаторы (10 мкФ) рядом с точками смещения стока и затвора.
- Термопрокладка: Обеспечьте хорошее соединение между термопрокладкой транзистора и заземляющим слоем печатной платы, используйте несколько переходных отверстий для уменьшения теплового сопротивления.