Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> Силовой LDMOS-транзистор> BLP15M9S100G BLP15M9S100GZ RF МОП-транзистор LDMOS
BLP15M9S100G BLP15M9S100GZ RF МОП-транзистор LDMOS
BLP15M9S100G BLP15M9S100GZ RF МОП-транзистор LDMOS
BLP15M9S100G BLP15M9S100GZ RF МОП-транзистор LDMOS
BLP15M9S100G BLP15M9S100GZ RF МОП-транзистор LDMOS
BLP15M9S100G BLP15M9S100GZ RF МОП-транзистор LDMOS
BLP15M9S100G BLP15M9S100GZ RF МОП-транзистор LDMOS

BLP15M9S100G BLP15M9S100GZ RF МОП-транзистор LDMOS

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: BLP15M9S100G BLP15M9S100GZ

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
BLP15M9S100GZ, созданный с использованием высоковольтной технологии LDMOS 9-го поколения с напряжением 32 В, представляет собой многофункциональный высокочастотный LDMOS-транзистор мощностью 100 Вт от Ampleon.
Выпускается в форме мини-SOT-1483-1/TO-270-2F-2 для поверхностного монтажа и охватывает диапазон частот от ВЧ до УВЧ 1500 МГц. Компонент обслуживает оборудование для вещания, отраслевые сценарии ISM и множество средств связи.
Обладая превосходной широкополосной стабильностью, выдающейся энергоэффективностью и надежной ударопрочностью, он выступает в качестве ядра усиления мощности премиум-класса для аналогового и цифрового передающего оборудования.

Ключевые особенности

  • Широкополосная связь и высокая эффективность: типичная выходная мощность 100 Вт при частоте 470 МГц, коэффициент усиления до 17,5 дБ и эффективность стока 68 % (VDS=32 В, IDQ=300 мА), что обеспечивает превосходную энергоэффективность.
  • Исключительная надежность: выдерживает рассогласование нагрузки КСВН по всему диапазону 20:1 при напряжении питания 32 В, обладает исключительной ударопрочностью для суровых условий эксплуатации.
  • Встроенная защита от электростатического разряда. Встроенная двусторонняя схема защиты от электростатического разряда значительно повышает надежность устройства во время производства, установки и эксплуатации, снижая риск электростатического повреждения.
  • Надежность промышленного уровня: максимальное напряжение сток-исток 65 В, допуск температуры перехода до 225°C и низкое тепловое сопротивление (переход-корпус) 0,85 кВт, подходящее для длительной непрерывной работы.
  • Широкий частотный диапазон: охватывает весь диапазон от ВЧ до 1500 МГц, адаптируется к различным частотным приложениям без регулировки, что упрощает конструкцию системы.
  • Компактная конструкция корпуса: корпус SOT-1483-1 (TO-270-2F-2) для поверхностного монтажа с 4-контактной конфигурацией, обеспечивающий высокую плотность установки и управление температурным режимом.

Типичные применения

  • Стадия усиления мощности для передатчиков вещания HF/VHF/UHF (AM/FM/цифровое вещание)
  • Промышленные, научные и медицинские применения (ISM): оборудование для высокочастотного нагрева, сушки и генерации плазмы.
  • Этап усиления мощности в профессиональных базовых станциях и ретрансляторах связи
  • Источники сигналов высокой мощности для радиочастотных испытательных приборов
  • Усиление мощности в беспроводной инфраструктуре и корпоративных системах связи
  • Усиление мощности для аэрокосмического и оборонного оборудования связи

Технические характеристики

Parameter Value Notes
Frequency Range HF–1500 MHz (0.01–1.5 GHz) High frequency to UHF band
Output Power (CW) 100 W (typical) 470 MHz, VDS=32 V, IDQ=300 mA
Power Gain 17.5 dB (typical) 470 MHz, Pout=100 W
Drain Efficiency 68% (typical) 470 MHz, Pout=100 W
Supply Voltage 32 V (DC) Standard operating voltage
Maximum Drain-Source Voltage 65 V Absolute maximum rating
Package SOT-1483-1 (TO-270-2F-2) 4-pin surface-mount design
Thermal Resistance (junction-to-case) 0.85 K/W Typical value
Junction Temperature Up to 225°C Absolute maximum rating
VSWR Ruggedness 20:1 Full frequency band, 32 V supply
ESD Protection Integrated dual-sided ESD protection Enhances reliability
Input Return Loss -13 dB (typical) 470 MHz, Pout=100 W
Linearity 34 dBc 470 MHz, Pout=100 W, DVB-T signal
Quiescent Current IDQ=300 mA Typical operating point
Input Capacitance 220 pF Typical value, VGS=0 V
Output Capacitance 45 pF Typical value, VDS=32 V

Информация для заказа и упаковка

Ordering Part Number Package Type Packaging Description Minimum Order Quantity Notes
BLP15M9S100GZTR Tape & Reel (TR) TR13; 500 pieces/reel; 24 mm width; dry pack 500 pieces Standard bulk packaging
BLP15M9S100GZCT Cut Tape (CT) Single cut tape 1 piece Sample or small quantity purchase
BLP15M9S100GXY Tube Single tube packaging 50 pieces Standard tube specification
Status Active Available for normal ordering - Ampleon standard product

Рекомендуемые условия эксплуатации

  1. Конфигурация источника питания:
    • Напряжение стока: 32 В постоянного тока (рекомендуется), диапазон 28–34 В.
    • Смещение затвора: от -2,5 В до 0 В (отрегулируйте в соответствии с требуемой линейностью)
    • Ток покоя: 300 мА (типично, 470 МГц, выходная мощность 100 Вт)
    • Пульсации источника питания: ≤50 мВ (размах), для фильтрации рекомендуются конденсаторы с низким ESR.
  2. Термическое управление:
    • Рекомендуемый радиатор: медный радиатор ≥100 мм², толщина ≥2 мм.
    • Контроль температуры перехода: ≤150°C (непрерывный режим), ≤200°C (импульсный режим)
    • Материал термоинтерфейса: термическое сопротивление ≤0,1 К/Вт, рекомендуется термопаста или прокладка.
    • Момент затяжки: 0,8–1,0 Н·м (обеспечивайте хороший тепловой контакт)
  3. Условия эксплуатации РФ:
    • Входная мощность: 1,78 Вт (470 МГц, выходная мощность 100 Вт, усиление 17,5 дБ)
    • Сигнал возбуждения: согласование импеданса 50 Ом, КСВ ≤1,5:1
    • Режим работы: класс AB (рекомендуется), также подходит для приложений класса A или класса C.
    • Импульсный режим: рабочий цикл ≤50 % (рекомендуется), до 100 % (по часовой стрелке)

Рекомендации по проектированию схемы драйвера

  1. Согласование импеданса:
    • Согласование входов: используйте сеть L-типа или π-типа для согласования источника драйвера 50 Ом с входным сопротивлением транзистора (приблизительно 5–10 Ом).
    • Согласование выходного сигнала: спроектируйте широкополосную сеть согласования, обеспечивающую КСВН ≤1,5:1 в рабочем диапазоне частот.
    • Микрополосковые линии или коаксиальные кабели рекомендуются для высокочастотного согласования, чтобы минимизировать паразитные эффекты.
  2. Схема смещения:
    • Смещение затвора: используйте резистивный делитель напряжения для обеспечения стабильного отрицательного смещения, добавьте развязывающие конденсаторы 10 мкФ и 0,1 мкФ.
    • Смещение стока: подача питания постоянного тока через дроссель или линию передачи λ/4 для предотвращения утечки радиочастотного сигнала.
    • Температурная компенсация: добавьте термистор для компенсации изменения порогового напряжения затвора в зависимости от температуры (приблизительно -2 мВ/°C).
  3. Схема защиты:
    • Защита от перенапряжения: добавьте TVS-диод (напряжение пробоя ≥45 В) на клемму источника питания стока.
    • Защита от перегрузки по току: последовательно подключите чувствительный резистор 0,1 Ом, контролируйте ток стока с помощью компаратора.
    • Защита от электростатического разряда: добавьте подавитель электростатического разряда (номинальное напряжение ≥15 В) на входных и выходных портах.
    • Защита от перенапряжения: добавьте предохранитель (номинальный ток ≥5 А) на входную клемму питания.
  4. Рекомендации по компоновке печатной платы:
    • Используйте 2-слойную или 4-слойную печатную плату с верхней и нижней плоскостями заземления, чтобы уменьшить сопротивление заземления.
    • Подключения выводов транзистора: используйте кратчайший путь, ширина дорожки затвора ≤1 мм, ширина дорожки стока ≥3 мм.
    • Развязывающие конденсаторы: разместите высокочастотные керамические конденсаторы (0,1 мкФ) и электролитические конденсаторы (10 мкФ) рядом с точками смещения стока и затвора.
    • Термопрокладка: Обеспечьте хорошее соединение между термопрокладкой транзистора и заземляющим слоем печатной платы, используйте несколько переходных отверстий для уменьшения теплового сопротивления.
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> Силовой LDMOS-транзистор> BLP15M9S100G BLP15M9S100GZ RF МОП-транзистор LDMOS
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить