Количество упаковки: 15 шт. в лотке. Для небольших заказов доступны методы резки и обмотки лентой. Также возможна упаковка в виде сетки.

0201BB Кривая производительности 1 – Вносимые потери и обратные потери
Кривая вносимых потерь Кривая обратных потерь


Условия испытаний
Образец, подлежащий испытанию, помещается на испытательную плату с зазором 3 мил, длиной контактной площадки 8,5 мил, шириной линии передачи 12,5 мил, толщиной платы 6,6 мил и материалом RO4350B. Калибровка TRL проводится перед тестом, а калибровка осуществляется до края площадки.
Прежде чем рассматривать «широкополосные конденсаторы», возможно, первым вопросом, который необходимо решить, является то, как точно отличить эти конденсаторы от других. На рис. 4 показана сравнительная диаграмма вносимых потерь в зависимости от частоты для высокочастотных конденсаторов СВЧ и широкополосных конденсаторов.
На рисунке ясно видно, что высокая емкость 0 представляет собой серию «параллельных резонансных точек». Вносимые потери в диапазоне частот параллельного резонанса очень высоки, в то время как широкополосный конденсатор не имеет этого явления. Модель сосредоточенных элементов
Для понимания электрических свойств MLCC можно использовать метод эквивалентных схем, учитывающий взаимодействие микрополосковых линий передачи и копланарных волноводных линий передачи. На рис. 5 представлена такая эквивалентная схема.
Если мы упростим рис. 5 до одной ветви внизу, Cg можно рассматривать как представляющее значение емкости от MLCC до земли, C — значение емкости, а L представляет собой значение чистой индуктивности на земле.
R представляет собой эквивалентное последовательно соединенное сопротивление. Чтобы более точно отразить фактическую производительность, L и R изменяются с частотой, чтобы адаптироваться к скин-эффекту и эффекту близости.
При добавлении второй ветви, включающей еще один индуктор p1, последовательно с еще одним конденсатором Cp1 и еще одним резистором Pp1, можно сформировать модель первой параллельной резонансной частоты. При сложении ветви Lpn – Cpn – Rpn можно получить параллельные резонансные частоты более высокого порядка. Однако значения элементов более высокого порядка ограничены требованием генерирования правильной резонансной частоты на расстоянии. Например, значение низкочастотной емкости (все реактивные сопротивления почти равны нулю) модели должно быть равно фактическому низкочастотному значению компонента, а значение высокочастотной индуктивности (все реактивные сопротивления почти равны нулю) должно быть таким же, как фактическое значение на высоких частотах.