B10G3741N55DZ RF МОП-транзистор LDMOS

Получить цену

Количество минимального заказа:

Свяжитесь

Описание продукта

Атрибуты продукта

Упаковка и доставка

Описание продукта

Атрибуты продукта

Модель: B10G3741N55D B10G3741N55DZ

Бренд: Амплеон

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта

B10G3741N55D LDMOS 3-ступенчатый интегрированный MMIC Doherty

Модель: B10G3741N55D

Производитель: Амплеон

Тип продукта: 3-каскадный полностью интегрированный асимметричный РЧ-усилитель мощности Doherty MMIC с напряжением 50 В LDMOS 10-го поколения, оптимизированный для диапазона 3,7–4,1 ГГц (охватывающий высокочастотный основной диапазон 5G NR n77) для малых сот и массовых приложений MIMO, обеспечивающий идеальный баланс между высокой мощностью, эффективностью и линейностью с помощью передовой технологии GEN10 LDMOS со встроенным входным делителем, выходным сумматором и сетью предварительного согласования для упрощения радиочастотного проектирования.

B10G3741N55DZ — RF MOSFET LDMOS.

Ключевые характеристики

Parameter	Specification
Frequency Range	3700 MHz ~ 4100 MHz (Precisely covers 5G NR n77 high-frequency core band, suitable for 3.7-4.1GHz 5G deployment)
Output Power at 3dB Compression	47.4dBm (55W CW, at 50V supply, 3900MHz, pulsed CW measurement)
Typical Power Gain	33.5 dB (at 50V supply, 47dBm output, 3900MHz, CW signal)
Typical Drain Efficiency	37.0% (at PL=7.9W/39dBm, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=7.2dB, 3900MHz)
Saturated Drain Efficiency	42% (at PL=PL(3dB), 3900MHz)
Supply Voltage	48V/50V nominal, Maximum Rated Drain-Source Breakdown Voltage 100V
Quiescent Current	120 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.5V)
Package Type	PQFN-7x7-20, 7×7mm leadless thermal enhanced package with exposed thermal pad, 20 terminals
Port Characteristics	Internally matched to 50Ω input, 30Ω output pre-matched, simplifying RF PCB design and reducing external components
Architecture	3-stage fully integrated asymmetrical Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier/peaking amplifier paths and driver stages
Operating Temperature	-40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 175°C)
Thermal Resistance	Junction-to-case thermal resistance as low as 3.2 K/W (typical value, at PL=55W)
Load Mismatch Tolerance	Capable of withstanding VSWR=10:1 through all phases (at 50V supply, 3700MHz, CW signal), improving system robustness
Gain Flatness	Only 2.8dB within 3700-4100MHz band, suitable for ultra-broadband communication systems
ESD Protection	CDM Class C3 (1000V), HBM Class 2 (2000V), enhancing device reliability
Stability	Rollett stability factor K>1 (at -40°C, 0.15GHz to 5GHz frequency range), ensuring stable operation across the entire band

Особенности и преимущества

Применяется усовершенствованный процесс Ampleon GEN10 LDMOS 10-го поколения, обеспечивающий баланс между высокой выходной мощностью 55 Вт и высокой эффективностью 37,0%, идеально подходящий для модулированных сигналов 5G с высоким PAPR (PAR = 7,2 дБ), отвечающий строгим требованиям к линейности для малых сот и массивных систем MIMO.
Оптимизированная трехступенчатая полностью интегрированная асимметричная архитектура Доэрти обеспечивает превосходные возможности коррекции цифровых предыскажений (DPD), обеспечивая выдающийся коэффициент мощности соседнего канала (ACPR) до -35 дБн после DPD, отвечая строгим спецификациям линейности 5G NR и поддерживая приложения агрегации нескольких несущих (CA).
Полностью интегрированная конструкция (встроенный разветвитель, сумматор, предварительное согласование сети и каскады драйвера) значительно упрощает проектирование радиочастотной печатной платы, уменьшает количество внешних компонентов, ускоряет вывод малых ячеек на рынок, а также снижает стоимость системы и занимаемое пространство.
Независимый контроль несущей и пикового смещения позволяет гибко оптимизировать линейность и эффективность в различных условиях эксплуатации, подходит для мультистандартных систем связи (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR), поддерживает динамическую регулировку мощности и повышает энергоэффективность системы.
Отличная устойчивость к несоответствию нагрузки, способность выдерживать КСВ = 10:1 на всех этапах, повышает надежность системы в сложных условиях, снижает затраты на обслуживание базовой станции и продлевает срок службы оборудования.
Сверхширокая неравномерность усиления (всего 2,8 дБ в диапазоне 3700–4100 МГц), подходит для сверхширокополосных систем связи, снижает потребность во внешних схемах выравнивания, повышает надежность системы и гибкость конструкции.
Встроенная схема защиты от электростатического разряда (CDM 1000 В, HBM 2000 В) повышает надежность устройства во время производства и применения, снижая риск электростатического повреждения, повышая производительность производства и адаптируясь к крупномасштабному автоматизированному производству.
Термически улучшенный корпус PQFN с тепловым сопротивлением перехода к корпусу всего 3,2 К/Вт, эффективно улучшающим характеристики рассеивания тепла, поддерживающим конструкции с более высокой плотностью мощности, адаптирующийся к требованиям к охлаждению компактных помещений с малыми элементами и продлевающий срок службы устройства.
Поддерживает приложения со сверхширокой полосой пропускания видео (VBW), подходит для систем малых сот нового поколения, поддерживающих широкополосные сигналы, удовлетворяя будущим потребностям развития сети 5G (например, 5G-Advanced) и защищая инвестиции клиентов.
Соответствует RoHS, подходит для строительства и развертывания глобальной коммуникационной инфраструктуры 5G, способствует развитию экологически чистых коммуникаций и снижению выбросов углекислого газа.

Приложения

Блоки усиления мощности РЧ конечного каскада для базовых станций малых сот 5G NR n77 (3,7–4,1 ГГц), поддерживающие требования к высокой мощности и высокой линейности, подходящие для городских и пригородных сценариев покрытия.
ВЧ-модули для базовых станций массивного MIMO (mMIMO), поддерживающие требования к высокой плотности мощности и высокой эффективности, снижающие энергопотребление базовой станции и адаптирующиеся к конструкциям многоантенных массивов.
Усилители мощности конечного каскада для систем связи с агрегацией нескольких несущих (CA), отвечающие требованиям к сверхширокополосному сигналу, увеличивающие пропускную способность системы и поддерживающие приложения с высокой пропускной способностью, такие как HD-видео и облачные игры.
Проекты модернизации и реконструкции базовых станций с развитой технологией 4G LTE, подходящих для развертывания диапазона 3,7–4,1 ГГц, улучшающих покрытие и пропускную способность сети, а также обеспечивающих плавный переход к сетям 5G.
Системы радиочастотной передачи для связи в частных сетях и промышленного Интернета вещей (IIoT), требующие широкополосных и высоконадежных приложений, поддерживающие развертывание сред промышленного уровня, таких как интеллектуальное производство и интеллектуальные сети.
Модули усиления мощности для мультистандартного (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR) коммуникационного оборудования, позволяющие снизить затраты на разработку оборудования, ускорить выход на рынок и адаптироваться к потребностям операторов в сосуществовании мультистандартных сетей.
Проекты модернизации и реконструкции инфраструктуры беспроводной связи, особенно для развертывания высокочастотных сетей 5G, которые помогают операторам быстро развертывать сети 5G, улучшать качество обслуживания пользователей и удовлетворять потребности развития цифровой экономики.

Горячие продукты