Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> 2-ступенчатая MMIC Доэрти> BLM9D3538-12AMZ LDMOS 3-ступенчатая интегрированная MMIC Doherty
BLM9D3538-12AMZ LDMOS 3-ступенчатая интегрированная MMIC Doherty
BLM9D3538-12AMZ LDMOS 3-ступенчатая интегрированная MMIC Doherty
BLM9D3538-12AMZ LDMOS 3-ступенчатая интегрированная MMIC Doherty
BLM9D3538-12AMZ LDMOS 3-ступенчатая интегрированная MMIC Doherty
BLM9D3538-12AMZ LDMOS 3-ступенчатая интегрированная MMIC Doherty
BLM9D3538-12AMZ LDMOS 3-ступенчатая интегрированная MMIC Doherty
BLM9D3538-12AMZ LDMOS 3-ступенчатая интегрированная MMIC Doherty

BLM9D3538-12AMZ LDMOS 3-ступенчатая интегрированная MMIC Doherty

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: BLM9D3538-12AMZ BLM9D3538-12AM

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
Модель: BLM9D3538-12AMz (BLM9D3538-12AMZ)
Производитель: Амплеон
Тип продукта: 3-каскадный полностью интегрированный асимметричный РЧ-усилитель мощности Doherty MMIC с LDMOS GEN9, оптимизированный для диапазона 3,4–3,8 ГГц (охватывающий основной диапазон 5G NR n78 и основной диапазон 4G TDD-LTE 3,5 ГГц) для малых сот и крупных приложений MIMO, обеспечивающий идеальный баланс между высокой мощностью, эффективностью и линейностью с помощью передовой технологии GEN9 LDMOS со встроенным входным разветвителем, выходным сумматором и сопротивлением 50 Ом. сеть предварительного согласования для упрощения рабочего процесса радиочастотного проектирования

Ключевые характеристики

Parameter Specification
Frequency Range 3400 MHz ~ 3800 MHz (Precisely covers 5G NR n78 core band, compatible with 4G TDD-LTE 3.5GHz mainstream band)
Output Power at 1dB Compression 40.8dBm (12W CW, at 28V supply, 3600MHz, CW measurement)
Typical Power Gain 32.0 dB (at 28V supply, 40dBm output, 3600MHz, CW signal)
Typical Drain Efficiency 30.0% (at PL=3.98W/36dBm, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=7.2dB, 3600MHz)
Saturated Drain Efficiency 38% (at PL=PL(1dB), 3600MHz)
Supply Voltage 28V nominal, Maximum Rated Drain-Source Breakdown Voltage 65V
Quiescent Current 80 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.5V), supporting flexible bias optimization
Package Type LGA-7x7-20 (PQFN-7x7-20), 7×7mm leadless thermal enhanced package with exposed thermal pad, 20 terminals, excellent thermal performance design
Port Characteristics Internally pre-matched to 50Ω input/output, no external matching components required, simplifying RF PCB design and reducing BOM cost
Architecture 3-stage fully integrated asymmetrical Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier/peaking amplifier paths and driver stages, fully integrated design reduces system complexity
Operating Temperature -40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 175°C), meeting industrial environment application requirements
Thermal Resistance Junction-to-case thermal resistance as low as 4.5 K/W (typical value, at PL=12W), efficient heat dissipation ensures long-term stable operation
Load Mismatch Tolerance Capable of withstanding VSWR=6:1 through all phases (at 28V supply, 3400MHz, CW signal), improving system robustness in complex environments
Gain Flatness Only 2.5dB within 3400-3800MHz band, suitable for ultra-broadband communication systems, reducing the need for external equalization circuits
ESD Protection CDM Class C3 (1000V), HBM Class 2 (2000V), enhancing device reliability during production and application, reducing the risk of electrostatic damage
Stability Rollett stability factor K>1 (at -40°C, 0.15GHz to 5GHz frequency range), ensuring stable operation across the entire band without self-oscillation risk

Особенности и преимущества

  • Применяется усовершенствованный процесс Ampleon GEN9 LDMOS 9-го поколения, обеспечивающий баланс между высокой выходной мощностью 12 Вт и высокой эффективностью 30,0%, идеально подходящий для модулированных сигналов 5G с высоким PAPR (PAR = 7,2 дБ), отвечающий строгим требованиям к линейности для малых сотовых и массивных систем MIMO.
  • Оптимизированная трехступенчатая полностью интегрированная асимметричная архитектура Доэрти обеспечивает превосходные возможности коррекции цифровых предыскажений (DPD), обеспечивая выдающийся коэффициент мощности соседнего канала (ACPR) до -35 дБн после DPD, удовлетворяя строгим спецификациям линейности 5G NR и поддерживая приложения агрегации нескольких несущих (CA) для увеличения пропускной способности системы.
  • Полностью интегрированная конструкция (встроенный разветвитель, сумматор, 50-омная сеть предварительного согласования и каскады драйвера) значительно упрощает конструкцию радиочастотной печатной платы, уменьшает количество внешних компонентов, ускоряет вывод малых ячеек на рынок, снижает стоимость системы и занимаемое пространство, а также повышает конкурентоспособность продукции.
  • Независимое управление несущей и пиковым смещением обеспечивает гибкую оптимизацию линейности и эффективности в различных условиях эксплуатации, подходит для мультистандартных систем связи (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR), поддерживает динамическую регулировку мощности, повышает энергоэффективность системы и снижает эксплуатационные расходы.
  • Отличная устойчивость к несоответствию нагрузки, способность выдерживать КСВ = 6:1 на всех этапах, повышение надежности системы в сложных условиях, снижение затрат на обслуживание базовой станции, продление срока службы оборудования и пригодность для развертывания в суровых условиях вне помещений.
  • Сверхширокая неравномерность усиления (всего 2,5 дБ в диапазоне 3400–3800 МГц), подходит для сверхширокополосных систем связи, снижает потребность во внешних схемах выравнивания, повышает надежность системы и гибкость конструкции, а также упрощает рабочий процесс проектирования ВЧ-интерфейса.
  • Встроенная схема защиты от электростатического разряда (CDM 1000 В, HBM 2000 В) повышает надежность устройства во время производства и применения, снижает риск электростатического повреждения, повышает выход продукции, адаптируется к крупномасштабному автоматизированному производству и снижает производственные затраты.
  • Термически улучшенный корпус LGA с тепловым сопротивлением перехода к корпусу всего 4,5 К/Вт, эффективно улучшающим характеристики рассеивания тепла, поддерживающим конструкции с более высокой плотностью мощности, адаптирующийся к требованиям к охлаждению компактных помещений для небольших ячеек, продлевающий срок службы устройства и улучшающий стабильность системы.
  • Поддерживает приложения со сверхширокой полосой пропускания видео (VBW), подходит для систем малых сот нового поколения, поддерживающих широкополосные сигналы, удовлетворяя будущие потребности развития сети 5G (например, 5G-Advanced), защищая инвестиции клиентов и продлевая жизненный цикл продукта.
  • Соответствует RoHS, подходит для строительства и развертывания глобальной коммуникационной инфраструктуры 5G, способствует развитию экологически чистых коммуникаций, снижению выбросов углекислого газа и удовлетворению требований устойчивого развития.

Приложения

  • Блоки усиления мощности РЧ на конечном этапе для базовых станций малых сот 5G NR n78 (3,4–3,8 ГГц), поддерживающие требования к высокой мощности и высокой линейности, подходящие для городских и пригородных сценариев покрытия, улучшающие качество покрытия сети.
  • ВЧ-модули для базовых станций массивного MIMO (mMIMO), поддерживающие требования к высокой плотности мощности и высокой эффективности, снижающие энергопотребление базовой станции, адаптирующиеся к конструкциям многоантенных массивов, а также улучшающие пропускную способность системы и спектральную эффективность.
  • Проекты модернизации и обновления базовых станций 4G TDD-LTE в диапазоне 3,5 ГГц, улучшающие покрытие и пропускную способность сети, поддерживающие плавный переход к сетям 5G, защищающие существующие инвестиции операторов и обеспечивающие развитие сети.
  • Усилители мощности конечного каскада для систем связи с агрегацией нескольких несущих (CA), отвечающие требованиям к сверхширокополосному сигналу, увеличивающие пропускную способность системы, поддерживающие приложения с высокой пропускной способностью, такие как HD-видео и облачные игры, а также удовлетворяющие растущие потребности пользователей в данных.
  • Системы радиочастотной передачи для связи в частных сетях и промышленного Интернета вещей (IIoT), требующие широкополосных и высоконадежных приложений, поддерживающие развертывание сред промышленного уровня, таких как интеллектуальное производство, интеллектуальные сети и интеллектуальный транспорт.
  • Модули усиления мощности для мультистандартного (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR) коммуникационного оборудования, снижающие затраты на разработку оборудования, ускоряющие выход на рынок, адаптирующиеся к потребностям операторов в сосуществовании мультистандартных сетей и повышающие универсальность оборудования.
  • Проекты модернизации и реконструкции инфраструктуры беспроводной связи, особенно для развертывания высокочастотных сетей 5G, помогающие операторам быстро развертывать сети 5G, улучшать пользовательский опыт, удовлетворять потребности развития цифровой экономики и способствовать цифровой трансформации общества.
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> 2-ступенчатая MMIC Доэрти> BLM9D3538-12AMZ LDMOS 3-ступенчатая интегрированная MMIC Doherty
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить