Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> GaN силовой транзистор> C4H2327N110AZ Силовой РЧ-транзистор на основе нитрида галлия
C4H2327N110AZ Силовой РЧ-транзистор на основе нитрида галлия
C4H2327N110AZ Силовой РЧ-транзистор на основе нитрида галлия
C4H2327N110AZ Силовой РЧ-транзистор на основе нитрида галлия
C4H2327N110AZ Силовой РЧ-транзистор на основе нитрида галлия
C4H2327N110AZ Силовой РЧ-транзистор на основе нитрида галлия
C4H2327N110AZ Силовой РЧ-транзистор на основе нитрида галлия

C4H2327N110AZ Силовой РЧ-транзистор на основе нитрида галлия

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: C4H2327N110A C4H2327N110AZ C4H2327N110AY

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
Модель: C4H2327N110A (полные номера деталей: C4H2327N110AX/C4H2327N110AZ)
Производитель: Амплеон
Тип продукта: ВЧ силовой ВЧ-транзистор на основе нитрида галлия (GaN) (архитектура Доэрти, конструкция с двумя затворами) Ampleon

Ключевые характеристики

Parameter Specification
Frequency Range 2300 MHz to 2700 MHz (2.3–2.7 GHz)
Peak Output Power (3dB Compression) 100 W (Continuous Wave, CW mode)
Typical Power Gain 15 dB
Typical Drain Efficiency 57 %
Supply Voltage (VDS) 50 V
Quiescent Drain Current (IDq) 50 mA
Package DFN-7x6.5-6-1 (Leadless Plastic Package)
Pin Configuration Dual-Gate (gate1/gate2), Dual-Drain (drain1/drain2) design

Особенности и преимущества

  • Оптимизированная архитектура Доэрти: транзистор Доэрти с двойным затвором, специально разработанный для приложений базовых станций, обеспечивающий широкополосную связь в диапазоне 2,3–2,7 ГГц, балансирующий высокую эффективность и линейность для сигналов с высоким PAPR.Ampleon.
  • Превосходная возможность цифрового предыскажения (DPD): обеспечивает повышенную линейность системы после коррекции DPD, отвечая строгим требованиям к коэффициенту мощности соседнего канала (ACPR) для базовых станций 5G/4G (типовое значение: -27,1 дБн) Ampleon.
  • Внутренне согласованная конструкция: упрощает проектирование схем приложений, снижает сложность разработки и ускоряет вывод Ampleon на рынок.
  • Низкая выходная емкость: улучшает пропускную способность и эффективность в конфигурациях Доэрти, повышая общую производительность системы.
  • Соответствие RoHS: соответствует требованиям директив RoHS для применения на мировом рынкеAmpleon.

Приложения

  • Радиочастотные усилители мощности для макробазовых станций 5G/4G (диапазоны 2,3–2,7 ГГц, например, TD-LTE, 5G NR)Ampleon
  • Системы передатчиков многочастотной связиAmpleon
  • Инфраструктура широкополосной беспроводной связиAmpleon
  • Промышленные системы связи и частные сетевые системы, требующие мощного и высокоэффективного радиочастотного усиления.
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> GaN силовой транзистор> C4H2327N110AZ Силовой РЧ-транзистор на основе нитрида галлия
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить