C4H2327N55PZ RF MOSFET GAN

Получить цену

Количество минимального заказа:

Свяжитесь

Описание продукта

Атрибуты продукта

Упаковка и доставка

Описание продукта

Атрибуты продукта

Модель: C4H2327N55PZ C4H2327N55PX C4H2327N55P

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта

GaN силовой транзистор

Модель: C4H2327N55Pz (стандартная модель: C4H2327N55PZ)

Производитель: Амплеон

Тип продукта: Упакованный силовой ВЧ-транзистор Доэрти на основе нитрида галлия (GaN) (оптимизирован для широкополосных базовых станций 2,3–2,69 ГГц)

Ключевые характеристики

Parameter	Specification
Frequency Range	2300 MHz to 2690 MHz (2.3–2.69 GHz), covering 5G NR n41/n78 and other key bands
Peak Output Power (P1dB)	50 W (Typical, in Doherty Configuration)
Typical Power Gain	19.6 dB (Typical)
Typical Drain Efficiency	50%+ (Doherty Configuration, Optimized DPD Performance)
Supply Voltage (VDS)	46–48 V (Typical Application) / 50 V (Standard)
Quiescent Drain Current (IDq)	30 mA (Typical)
Package Type	6-DFN (7×6.5 mm), Surface Mount, with Exposed Pad (Enhanced Thermal Dissipation)
Special Features	Doherty architecture, integrated input splitter and output combiner, low output capacitance design
Linearity Performance	Optimized for high Peak-to-Average Power Ratio (PAPR) 5G NR signals, excellent ACPR performance after DPD correction

Особенности и преимущества

Широкополосная архитектура Доэрти: разработана специально для сверхширокого диапазона частот 2,3–2,69 ГГц и использует передовую технологию GaN от Ampleon для балансировки высокой мощности и эффективности во всем диапазоне, что идеально подходит для многодиапазонных базовых станций 5G NR.
Исключительные характеристики цифрового предыскажения (DPD). Оптимизирован для сигналов 5G NR, обеспечивает превосходную линейность после коррекции DPD для удовлетворения строгих требований к коэффициенту мощности соседнего канала (ACPR) для базовых станций и снижает сложность конструкции системы.
Высокая плотность и эффективность мощности: обеспечивает пиковую выходную мощность 50 Вт в компактном корпусе DFN размером 7×6,5 мм с типичным усилением мощности 19,6 дБ и эффективностью стока, превышающей 50 %, что значительно снижает энергопотребление базовой станции и повышает надежность системы и экономичность эксплуатации.
Конструкция с низкой выходной емкостью: улучшает частотную характеристику и эффективность в приложениях Доэрти, улучшает адаптивность широкополосной связи и повышает общую производительность системы.
Высокоэффективный тепловой пакет: корпус DFN с большой открытой площадкой обеспечивает отличную теплопроводность, обеспечивая стабильную работу в условиях высоких нагрузок и продлевая срок службы устройства.
Соответствие RoHS: соответствует требованиям директив RoHS для применения на мировом рынке.

Приложения

Радиочастотные усилители мощности для макро/микробазовых станций 5G NR (диапазоны 2,3–2,69 ГГц, например, n41/n78)
Многодиапазонные модули усилителя мощности базовой станции 4G LTE (2300–2690 МГц)
Блоки усиления мощности в системах Massive MIMO (mMIMO)
Системы передатчиков связи с несколькими несущими (например, W-CDMA, LTE-A Pro)
Инфраструктура широкополосной беспроводной связи (например, CBRS, C-Band)
Промышленный Интернет вещей (IIoT) и частные сетевые системы связи (например, 5G-Industrial)

Горячие продукты