Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> GaN силовой транзистор> C4H27W400AVZ RF МОП-транзистор 50 В
C4H27W400AVZ RF МОП-транзистор 50 В
C4H27W400AVZ RF МОП-транзистор 50 В
C4H27W400AVZ RF МОП-транзистор 50 В
C4H27W400AVZ RF МОП-транзистор 50 В
C4H27W400AVZ RF МОП-транзистор 50 В
C4H27W400AVZ RF МОП-транзистор 50 В

C4H27W400AVZ RF МОП-транзистор 50 В

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: C4H27W400AVZ C4H27W400AVY

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
Модель: C4H27W400AV (базовая модель: C4H27W400A)
Производитель: Амплеон
Тип продукта: Асимметричный силовой ВЧ-транзистор Доэрти в корпусе из нитрида галлия (GaN) (оптимизирован для широкополосных базовых станций 2,3–2,69 ГГц)

Ключевые характеристики

Parameter Specification
Frequency Range 2300 MHz to 2690 MHz (2.3–2.69 GHz), covering 5G NR n41/n78 and other key bands
Peak Output Power (P1dB) 400 W (Continuous Wave, CW mode), typical 47.2 dBm
Typical Power Gain 15.4 dB (Typical)
Typical Drain Efficiency 53.7 % (Typical, in Doherty Configuration), up to 56.5 % maximum
Supply Voltage (VDS) 50 V (Standard) / 48 V (Typical Application)
Quiescent Drain Current (IDq) 200 mA (Typical)
Package Type SOT1249B / SOT1275-1 (Flanged, Enhanced Thermal Dissipation)
Special Features Asymmetric Doherty architecture, integrated input splitter and output combiner, optimized DPD performance
Linearity Performance Power Ratio: -27 dBc (Typical)

Особенности и преимущества

  • Широкополосная асимметричная архитектура Доэрти: разработана специально для сверхширокого диапазона частот 2,3–2,69 ГГц и использует асимметричную технологию Доэрти для балансировки высокой мощности и эффективности во всем диапазоне, идеально подходит для многодиапазонных базовых станций 5G NR.
  • Исключительные характеристики цифрового предыскажения (DPD): оптимизированы для сигналов с высоким отношением пиковой мощности к средней (PAPR) 5G NR, что обеспечивает превосходную линейность после коррекции DPD для удовлетворения строгих требований к соотношению мощности в соседнем канале (ACPR) для базовых станций и снижает сложность конструкции системы.
  • Сверхвысокая плотность мощности: обеспечивает пиковую выходную мощность 400 Вт в компактном корпусе с лучшей в отрасли плотностью мощности, что значительно уменьшает размер РЧ-интерфейсов базовой станции и снижает затраты на систему.
  • Высокоэффективное преобразование энергии: типичный КПД стока составляет 53,7%, а максимальный — 56,5%, что значительно снижает потребление энергии базовой станцией и повышает надежность системы и экономичность эксплуатации.
  • Конструкция с низкой выходной емкостью: улучшает частотную характеристику и эффективность приложений Доэрти, улучшает адаптивность широкополосной связи и повышает общую производительность системы.
  • Пакет высокой надежности: фланцевый корпус SOT обеспечивает отличную теплопроводность, обеспечивая стабильную работу в условиях высоких нагрузок и продлевая срок службы устройства.
  • Соответствие RoHS: соответствует требованиям директив RoHS для применения на мировом рынке.

Приложения

  • Радиочастотные усилители мощности для макро/микробазовых станций 5G NR (диапазоны 2,3–2,69 ГГц, например, n41/n78)
  • Многодиапазонные модули усилителя мощности базовой станции 4G LTE (2300–2690 МГц)
  • Блоки усиления мощности в системах Massive MIMO (mMIMO)
  • Системы передатчиков связи с несколькими несущими (например, W-CDMA, LTE-A Pro)
  • Инфраструктура широкополосной беспроводной связи (например, CBRS, C-Band)
  • Промышленный Интернет вещей (IIoT) и частные сетевые системы связи (например, 5G-Industrial)
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить