Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> GaN силовой транзистор> C4H27F400AV 400 Вт, высокая выходная мощность, высокий коэффициент усиления
C4H27F400AV 400 Вт, высокая выходная мощность, высокий коэффициент усиления
C4H27F400AV 400 Вт, высокая выходная мощность, высокий коэффициент усиления
C4H27F400AV 400 Вт, высокая выходная мощность, высокий коэффициент усиления
C4H27F400AV 400 Вт, высокая выходная мощность, высокий коэффициент усиления
C4H27F400AV 400 Вт, высокая выходная мощность, высокий коэффициент усиления
C4H27F400AV 400 Вт, высокая выходная мощность, высокий коэффициент усиления
C4H27F400AV 400 Вт, высокая выходная мощность, высокий коэффициент усиления

C4H27F400AV 400 Вт, высокая выходная мощность, высокий коэффициент усиления

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: C4H27F400AV C4H27F400AVZ

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
C4H27F400AVZ — это корпусированный асимметричный силовой ВЧ-транзистор Доэрти, основанный на современной технологии нитрида галлия (GaN) компании Ampleon, оптимизированный для среднечастотных макробазовых станций 5G NR среднего диапазона 2496–2690 МГц (2,5–2,7 ГГц), массивных систем MIMO и высокоэффективных радиочастотных передатчиков. Размещенный в корпусе SOT1249B (3-контактный фланцевый монтаж), он обладает высокой выходной мощностью 400 Вт, высоким коэффициентом усиления, высокой эффективностью и отличными возможностями цифрового предыскажения (DPD), что подходит для усилителей конечной ступени базовой станции 5G и радиочастотных приложений с высокой плотностью мощности.
Ключевые особенности
  • Радиочастотные характеристики: работает на частоте 2496–2690 МГц, обеспечивает типичную выходную мощность 400 Вт (56 дБм) с типичным коэффициентом усиления ≥14,5 дБ, напряжение стока 48 В (макс. 65 В), типичный КПД стока ≥ 55 %, поддерживает линеаризацию нескольких несущих и DPD с превосходной линейностью, что соответствует строгим стандартам связи 5G NR.
  • Асимметричная архитектура Доэрти: встроенная асимметричная конструкция Доэрти с несущими и пиковыми транзисторами, оптимизированная для производительности и эффективности широкополосного доступа, исключает сложные внешние объединяющие сети, упрощает конструкцию усилителя мощности базовой станции.
  • Преимущества GaN: Основан на высокопроизводительной технологии GaN компании Ampleon, отличающейся высоким напряжением пробоя и высокой подвижностью электронов, плотностью мощности на 30% выше, чем у традиционных LDMOS, превосходной термической стабильностью с низким тепловым сопротивлением переход-корпус.
  • Надежность и защита: встроенная защита от электростатического разряда, выдерживает высокую температуру перехода и экстремальное несоответствие нагрузки, корпус для фланцевого монтажа обеспечивает превосходные тепловые характеристики, поддерживает режимы непрерывной волны (CW) и импульсный режим, соответствует требованиям RoHS.
Типичные применения
  • Усилители мощности финальной ступени макробазовой станции среднего диапазона (2,5–2,7 ГГц) 5G NR
  • Массивная система MIMO, модули усиления радиочастотного передатчика высокой мощности
  • Высокоэффективные решения Doherty по усилению мощности для систем связи LTE/5G NR с несколькими несущими
  • Инфраструктура беспроводной связи 2,5–2,7 ГГц
  • ТВ-передатчики и промышленные радиочастотные приложения (диапазоны ISM)
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> GaN силовой транзистор> C4H27F400AV 400 Вт, высокая выходная мощность, высокий коэффициент усиления
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить