Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> GaN силовой транзистор> C4H24F550AVZ ВЧ силовой транзистор на основе нитрида галлия
C4H24F550AVZ ВЧ силовой транзистор на основе нитрида галлия
C4H24F550AVZ ВЧ силовой транзистор на основе нитрида галлия
C4H24F550AVZ ВЧ силовой транзистор на основе нитрида галлия
C4H24F550AVZ ВЧ силовой транзистор на основе нитрида галлия
C4H24F550AVZ ВЧ силовой транзистор на основе нитрида галлия
C4H24F550AVZ ВЧ силовой транзистор на основе нитрида галлия

C4H24F550AVZ ВЧ силовой транзистор на основе нитрида галлия

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: C4H24F550AV C4H24F550AVZ

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
C4H24F550AVZ GaN силовой транзистор
Модель: C4H24F550AV (полный номер детали: C4H24F550AVY)
Производитель: Амплеон
Тип продукта: ВЧ силовой ВЧ-транзистор на основе нитрида галлия (GaN) (асимметричная архитектура Доэрти)

Ключевые характеристики

Parameter Specification
Frequency Range 2300 MHz to 2400 MHz (2.3–2.4 GHz)
Peak Output Power 550 W (Continuous Wave, CW mode)
Typical Gain 16.2 dB
Supply Voltage 48 V
Package SOT1249B (Air Cavity Ceramic Package)

Особенности и преимущества

  • Оптимизированная для базовой станции конструкция Доэрти: построена на асимметричной архитектуре Доэрти, адаптирована для сигналов с высоким значением PAPR (отношение пиковой мощности к средней) в макробазовых станциях 5G/4G (например, 5G NR), обеспечивая баланс между высокой эффективностью и линейностью.
  • Превосходная линейность и совместимость с DPD: обеспечивает превосходные возможности цифрового предыскажения (DPD), обеспечивая повышенную линейность системы после коррекции DPD для соответствия строгим стандартам связи.
  • Оптимизация производительности широкополосной связи: низкая выходная емкость улучшает полосу пропускания и эффективность в конфигурациях Доэрти, обеспечивая потребности в широкополосной связи в диапазоне 2,3–2,4 ГГц.
  • Высоконадежный корпус: керамический корпус с воздушной полостью обеспечивает превосходное рассеивание тепла и устойчивость к воздействию окружающей среды, обеспечивая стабильную работу в долгосрочных сценариях с высокой нагрузкой, например, на базовых станциях.

Приложения

  • Радиочастотные усилители мощности для макробазовых станций 5G/4G (диапазоны 2,3–2,4 ГГц, например, TD-LTE, 5G NR)
  • Передатчики широкополосной связи
  • Промышленные системы связи, требующие мощного и высокоэффективного радиочастотного усиления.
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> GaN силовой транзистор> C4H24F550AVZ ВЧ силовой транзистор на основе нитрида галлия
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить