Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> GaN силовой транзистор> C4H2350N10Z Силовой РЧ-транзистор на основе нитрида галлия
C4H2350N10Z Силовой РЧ-транзистор на основе нитрида галлия
C4H2350N10Z Силовой РЧ-транзистор на основе нитрида галлия
C4H2350N10Z Силовой РЧ-транзистор на основе нитрида галлия
C4H2350N10Z Силовой РЧ-транзистор на основе нитрида галлия
C4H2350N10Z Силовой РЧ-транзистор на основе нитрида галлия
C4H2350N10Z Силовой РЧ-транзистор на основе нитрида галлия
C4H2350N10Z Силовой РЧ-транзистор на основе нитрида галлия

C4H2350N10Z Силовой РЧ-транзистор на основе нитрида галлия

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: C4H2350N10Z C4H2350N10Y C4H2350N10

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
Модель: C4H2350N10Z (базовая модель: C4H2350N10)
Производитель: Амплеон
Тип продукта: ВЧ силовой ВЧ-транзистор на основе нитрида галлия (GaN) (однозатворная конструкция, оптимизированная для широкополосных приложений)

Ключевые характеристики

Parameter Specification
Frequency Range 2300 MHz to 5000 MHz (2.3–5 GHz)
Peak Output Power (P1dB) 10 W (Continuous Wave, CW mode)
Typical Power Gain 18.9 dB
Typical Drain Efficiency 65 % (Typical, in Doherty Configuration)
Supply Voltage (VDS) 50 V
Quiescent Drain Current (IDq) 20 mA (Typical)
Package DFN-6 (4.5×4.6 mm), Leadless Plastic Package with Exposed Pad (Enhanced Thermal Dissipation)
Pin Configuration Single-Gate (gate), Single-Drain (drain), Source-Grounded (source) design

Особенности и преимущества

  • Сверхширокий диапазон частот: сверхширокий частотный диапазон 2,3–5 ГГц, поддержка полного диапазона 5G NR Sub-6 ГГц и многодиапазонных приложений базовых станций 4G LTE, что значительно упрощает проектирование многодиапазонной системы.
  • Исключительные характеристики цифрового предыскажения (DPD): оптимизированы для сигналов с высоким отношением пиковой мощности к средней (PAPR), что обеспечивает превосходную линейность после коррекции DPD для удовлетворения строгих требований к коэффициенту мощности в соседнем канале (ACPR) для базовых станций 5G.
  • Высокая плотность и эффективность мощности: технология GaN обеспечивает более высокую плотность мощности с типичным КПД стока 65 % в конфигурации Доэрти, снижая энергопотребление базовой станции и повышая надежность системы.
  • Конструкция с низкой выходной емкостью: улучшает частотную характеристику и эффективность широкополосных приложений, улучшает адаптивность полосы пропускания схем Доэрти и повышает общую производительность системы.
  • Компактный и высокоэффективный тепловой пакет: корпус DFN-6 с открытой площадкой обеспечивает отличную теплопроводность, обеспечивая стабильную работу в условиях высоких нагрузок и экономя при этом место на печатной плате.
  • Соответствие RoHS: соответствует требованиям директив RoHS для применения на мировом рынке.

Приложения

  • Радиочастотные усилители мощности для макро/микробазовых станций 5G NR суб-6 ГГц (полное покрытие диапазона 2,3–5 ГГц)
  • Многодиапазонные модули усилителя мощности базовой станции 4G LTE
  • Системы передатчиков связи с несколькими несущими (например, W-CDMA, LTE-A Pro)
  • Инфраструктура широкополосной беспроводной связи (например, CBRS, C-Band)
  • Промышленный Интернет вещей (IIoT) и частные сетевые системы связи (например, 5G-Industrial)
  • Источники радиочастотных сигналов в контрольно-измерительном оборудовании
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> GaN силовой транзистор> C4H2350N10Z Силовой РЧ-транзистор на основе нитрида галлия
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить