BLC8G21LS-160AVZ RF MOSFET LDMOS

Ключевые особенности

• Радиочастотные характеристики: работает на частоте 1805–2025 МГц, обеспечивает типичную выходную мощность 160 Вт с типичным коэффициентом усиления ≥15 дБ, напряжение стока 65 В (испытательное напряжение 28 В), поддерживает линеаризацию нескольких несущих и DPD, идеально подходит для строгих требований к линейности базовых станций 4G/5G.
• Структура и корпус: Конфигурация с двумя транзисторами и общим истоком, базовый корпус SOT1275-1 (DFM-6) с отличными тепловыми характеристиками для конструкций с высокой плотностью мощности; Интегрированная сеть согласования входов упрощает внешнюю схему.
• Надежность и защита: встроенная защита от электростатического разряда, выдерживает высокую температуру перехода и несоответствие нагрузки, развязывающие контакты повышают пропускную способность видео, превосходную термическую стабильность, соответствие требованиям RoHS.
• Совместимость конструкции: поддерживает непрерывный (CW) и импульсный режимы, совместим с симметричными/асимметричными схемами Доэрти, подходит для усилителей конечного каскада базовой станции в диапазоне 1,8 ГГц/2,1 ГГц.

Типичные применения

• РЧ усилители конечного каскада базовой станции 4G/5G (диапазон 1805–2025 МГц)
• Высокоэффективные модули усиления мощности Доэрти для систем связи с несколькими несущими
• Инфраструктура беспроводной связи в диапазоне 1,8 ГГц/2,0 ГГц
• ТВ-передатчики и промышленные радиочастотные приложения