Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> 2-ступенчатая MMIC Доэрти> BLM9D1920-08AMZ Доэрти LDMOS MMIC
BLM9D1920-08AMZ Доэрти LDMOS MMIC
BLM9D1920-08AMZ Доэрти LDMOS MMIC
BLM9D1920-08AMZ Доэрти LDMOS MMIC
BLM9D1920-08AMZ Доэрти LDMOS MMIC
BLM9D1920-08AMZ Доэрти LDMOS MMIC
BLM9D1920-08AMZ Доэрти LDMOS MMIC
BLM9D1920-08AMZ Доэрти LDMOS MMIC

BLM9D1920-08AMZ Доэрти LDMOS MMIC

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: BLM9D1920-08AMZ

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
400953d96c4b10da0bf67d456baf1bc5

2-ступенчатая MMIC Доэрти

Диапазон частот: 1880–2025 МГц
Средняя выходная мощность 8 Вт
Усиление 26,8 Дб Напряжение питания 28 В

1. Обзор продукта

Номер детали: BLM9D1920-08AMZ
Производитель: Амплеон
Тип устройства: GEN9 LDMOS 9-го поколения, 2-ступенчатый полностью интегрированный усилитель мощности Doherty MMIC
Целевое применение: усилитель мощности класса 8 Вт для малых сот, массивных MIMO и радиочастотных ретрансляторов в диапазоне 1880–2025 МГц (5G n39/n40, 4G B39/B40).
Это устройство объединяет усилитель несущей, пиковый усилитель, входной разветвитель и выходной сумматор в одном корпусе с согласованными входом и выходом по 50 Ом, что устраняет необходимость во внешних согласующих компонентах, обеспечивает работу по принципу «подключи и работай» и значительно сокращает цикл проектирования ВЧ.

2. Абсолютные максимальные рейтинги

Symbol Parameter Value Unit
VDS Drain-Source Voltage 65 V
VGS Gate-Source Voltage -6 ~ +11 V
Tstg Storage Temperature -55 ~ +125 °C
Tj Maximum Junction Temperature 175 °C
Tcase Maximum Case Temperature 125 °C

3. Основные электрические характеристики (Tcase=25°C, VDS=28В)

3.1 Характеристики постоянного тока

表格
Symbol Parameter Min Typ Max Unit
VGSq (Carrier) Quiescent Gate-Source Voltage 1.65 2.03 2.75 V
IGSS (Carrier/Peaking) Gate Leakage Current - 140 - nA
IDSS (Driver/Final) Drain Leakage Current - 1.4 - μA

3.2 Радиочастотные характеристики (полный диапазон 1880–2025 МГц)

Symbol Parameter Min Typ Max Unit
Operating Frequency Frequency Range 1880 - 2025 MHz
Gp Power Gain 25 26.8 - dB
PL(3dB) Output Power at 3dB Gain Compression 38.5 39.6 (9W) - dBm
PL(AV) Average Output Power (W-CDMA) - 1.12W (30.5dBm) - -
ηD Drain Efficiency 36 42 - %
RLin Input Return Loss -24 -10 - dB
Gflat Gain Flatness (Full Band) - 0.8 - dB
ACPR5M 5MHz Adjacent Channel Power Ratio - -28 - dBc
ΔG/ΔT Gain Temperature Coefficient - 0.04 - dB/°C
K Rollett Stability Factor - >1 - -

3.3 Тепловые характеристики

Symbol Parameter Typ Unit
Rth(j-c) Junction-to-Case Thermal Resistance 8.3~9.2 K/W

4. Определение контактов (корпус LGA-7x7-20, вид сверху)

Pin No. Symbol Function
1 VGS_P Gate Bias Voltage for Peaking Amplifier
2/3/5/6/8/10/11/13/14/15/16/17/18/21 GND RF Ground / Power Ground; Exposed pad on the backside is also ground
4 RFin RF Signal Input, 50Ω matched, DC grounded
7 VDS1_P Drain Supply Voltage for Peaking Driver Stage
9 VDS2 Drain Supply Voltage for Final Amplifier Stage
12 RFout RF Signal Output, 50Ω matched, DC grounded
19 VDS1_C Drain Supply Voltage for Carrier Driver Stage
20 VGS_C Gate Bias Voltage for Carrier Amplifier

5. Информация о пакете

  • Тип упаковки: LGA-7x7-20-1
  • Размеры упаковки: 7,0 мм × 7,0 мм × 0,98 мм
  • Количество контактов: 20 контактных площадок, безвыводной корпус LGA
  • Соответствие: Соответствует RoHS, не содержит свинца
  • Защита от электростатического разряда: HBM класс 1C (1000 В), CDM класс C2A (500 В)

6. Ключевые особенности

  1. Полностью интегрированная архитектура Доэрти: интегрированные усилители несущей/пика, входной разветвитель, выходной сумматор и согласующая сеть, ввод-вывод 50 Ом, отсутствие внешних радиочастотных компонентов;
  2. Широкополосный диапазон и высокая линейность: полный охват диапазона от 1880 до 2025 МГц, неравномерность усиления 0,8 дБ, типичный ACPR -28 дБн, совместимость с DPD;
  3. Высокая эффективность и высокое усиление: высокий коэффициент усиления 26,8 дБ, типичный КПД стока 42%, снижение энергопотребления системы;
  4. Гибкое управление смещением: независимая регулировка смещения затвора для усилителей несущей и пикового уровня, оптимизирующая эффективность и линейность на разных уровнях мощности;
  5. Высокая надежность: выдерживает несоответствие полной фазы нагрузки 10:1, стабильную работу в промышленном температурном диапазоне;
  6. Отличные тепловые характеристики: конструкция с низким термическим сопротивлением, корпус размером 7 × 7 мм с термопрокладкой большой площади, подходит для длительной непрерывной работы;
  7. Компактность и высокая степень интеграции: занимает небольшую площадь 7×7 мм, подходит для компоновки печатных плат высокой плотности в небольших ячейках и массивных системах MIMO.

7. Типичные применения

  • Конечные усилители мощности малых сот/пикосот в диапазоне 1880–2025 МГц (5G n39/n40, 4G B39/B40)
  • Радиочастотные каналы передачи для массивных активных антенн MIMO
  • Радиочастотные ретрансляторы с несколькими несущими 4G LTE/5G NR
  • Линейные радиочастотные передатчики для частных сетей и промышленного беспроводного оборудования
  • Модули усиления ВЧ для распределенных антенных систем (DAS)

8. Определение номера детали

  • BLM: серия Ampleon Integrated Power MMIC
  • 9: Технология LDMOS GEN9 9-го поколения
  • D: Двухпутевая архитектура Доэрти
  • 1920: Диапазон рабочих частот 1880–2025 МГц (основной диапазон 1,9–2,0 ГГц)
  • 08: Номинальная мощность класса 8 Вт
  • AM: стандартная версия промышленного класса
  • Z: Лента и катушка упаковки
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить