Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> 2-ступенчатая MMIC Доэрти> B10G2327N55DZ RF МОП-транзистор LDMOS
B10G2327N55DZ RF МОП-транзистор LDMOS
B10G2327N55DZ RF МОП-транзистор LDMOS
B10G2327N55DZ RF МОП-транзистор LDMOS
B10G2327N55DZ RF МОП-транзистор LDMOS
B10G2327N55DZ RF МОП-транзистор LDMOS
B10G2327N55DZ RF МОП-транзистор LDMOS
B10G2327N55DZ RF МОП-транзистор LDMOS

B10G2327N55DZ RF МОП-транзистор LDMOS

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: B10G2327N55DZ B10G2327N55D

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
B10G2327N55D — это двухкаскадный полностью интегрированный асимметричный усилитель Doherty MMIC, основанный на современной технологии LDMOS от Ampleon, оптимизированный для многодиапазонных базовых станций 5G NR/LTE с частотой 2300–2700 МГц (2,3–2,7 ГГц), массивных систем MIMO и высокоэффективных радиочастотных передатчиков. Размещенный в корпусе PQFN20 (20-контактный безвыводный) размером 7 мм × 7 мм, он отличается высокой степенью интеграции, широкой полосой пропускания, высоким коэффициентом усиления и независимым контролем смещения, подходит для каскадов драйверов базовых станций 5G и приложений оконечного усилителя макробазовой станции малой и средней мощности.
Ключевые особенности
  • Радиочастотные характеристики: работает на частоте 2300–2700 МГц, обеспечивает мощность насыщения 43,65 Вт (~ 46,4 дБм) P1 дБ с типичным коэффициентом усиления ≥ 30 дБ, напряжение стока 28 В (макс. 65 В), типичный КПД стока ≥ 35,7 %, полоса пропускания видео> 400 МГц, неравномерность усиления 0,3 дБ, поддержка нескольких несущих и линеаризации DPD с ACPR5M до -38,5 дБн, что обеспечивает превосходную линейность.
  • Асимметричная архитектура Доэрти: встроенные асимметричные транзисторы несущей/пика, входной делитель, выходной сумматор и выходная согласующая схема с выходным сопротивлением 30 Ом (встроенное предварительное согласование), что исключает необходимость использования сложных внешних схем и упрощает проектирование и отладку печатной платы.
  • Гибкое управление и защита: независимый контроль смещения несущей и пика позволяет точно регулировать различные требования к мощности и линейности; встроенная защита от электростатического разряда, коэффициент устойчивости Ролетта >1 и низкий температурный коэффициент усиления 0,05 дБ/°C обеспечивают превосходную термическую стабильность и надежность.
  • Термические преимущества и преимущества упаковки: Низкое тепловое сопротивление переход-корпус обеспечивает превосходное рассеивание тепла, поддерживает режимы непрерывной волны (CW) и импульсы, компактный корпус PQFN20 размером 7×7 мм, идеально подходящий для конструкций радиочастотных модулей базовых станций с ограниченным пространством.
Типичные применения
  • ВЧ-драйвер и усилители конечного каскада многодиапазонной базовой станции 5G NR/LTE 2,3–2,7 ГГц
  • Высокоэффективные модули усиления мощности Доэрти для радиочастотных передатчиков массивной системы MIMO
  • Системы связи с несколькими операторами связи и инфраструктура беспроводной связи.
  • Решения по усилению мощности небольших макро- и микробазовых станций 2,3–2,7 ГГц
  • Приборы для радиочастотных испытаний общего назначения и промышленные радиочастотные приложения (диапазоны ISM)
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить