Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> 2-ступенчатая MMIC Доэрти> B10G2527N10DLZ RF МОП-транзистор MMIC
B10G2527N10DLZ RF МОП-транзистор MMIC
B10G2527N10DLZ RF МОП-транзистор MMIC
B10G2527N10DLZ RF МОП-транзистор MMIC
B10G2527N10DLZ RF МОП-транзистор MMIC
B10G2527N10DLZ RF МОП-транзистор MMIC
B10G2527N10DLZ RF МОП-транзистор MMIC
B10G2527N10DLZ RF МОП-транзистор MMIC

B10G2527N10DLZ RF МОП-транзистор MMIC

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: B10G2527N10DL B10G2527N10DLZ

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
2-ступенчатая MMIC Доэрти
B10G2527N10DL — это двухкаскадный полностью интегрированный усилитель Doherty MMIC, основанный на современной технологии LDMOS от Ampleon, оптимизированный для базовых станций среднего диапазона 5G NR 2500–2700 МГц (2,5–2,7 ГГц), систем связи с несколькими несущими и высокоэффективных радиочастотных передатчиков. Размещенный в безвыводном корпусе LGA-20-2 размером 7×7 мм, он отличается высокой степенью интеграции, высокой эффективностью, высоким коэффициентом усиления и независимым контролем смещения, подходит для каскадов драйверов базовых станций 5G и универсальных приложений радиочастотного усиления.
Ключевые особенности
  • Радиочастотные характеристики: работает на частоте 2500–2700 МГц, обеспечивает мощность насыщения 10 Вт (40 дБм) P1 дБ с типичным коэффициентом усиления ≥30 дБ, напряжение стока 28 В (макс. 65 В), типичный КПД стока ≥ 45,4 %, поддерживает линеаризацию нескольких несущих и DPD с превосходной линейностью.
  • Высокая степень интеграции: полностью интегрированная архитектура Доэрти с транзисторами несущей/пиковой частоты, входным разветвителем, выходным сумматором и схемой согласования выходов, интегрированными в одном корпусе; Стандартное сопротивление 50 Ом исключает необходимость использования сложных внешних схем, упрощая конструкцию печатной платы.
  • Гибкое управление: независимое управление смещением несущей и пика позволяет точно регулировать различные требования к мощности и линейности; встроенная защита от электростатического разряда повышает надежность системы.
  • Термическая стабильность: низкое тепловое сопротивление переход-корпус (10,29 К/Вт) обеспечивает превосходное рассеивание тепла, поддерживает режимы непрерывной волны (CW) и импульсы, что идеально подходит для конструкций с высокой плотностью мощности.
Типичные применения
  • Усилители ВЧ-драйвера базовой станции среднего диапазона (2,5–2,7 ГГц) 5G NR
  • Высокоэффективные модули усиления мощности Доэрти для систем связи LTE/5G NR с несколькими несущими
  • Радиочастотные передатчики инфраструктуры беспроводной связи 2,5–2,7 ГГц
  • Универсальный прибор для усиления и тестирования радиочастотных сигналов общего назначения.
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить