Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> 2-ступенчатая MMIC Доэрти> РЧ-усилитель мощности B10G3336N16DL
РЧ-усилитель мощности B10G3336N16DL
РЧ-усилитель мощности B10G3336N16DL
РЧ-усилитель мощности B10G3336N16DL
РЧ-усилитель мощности B10G3336N16DL
РЧ-усилитель мощности B10G3336N16DL
РЧ-усилитель мощности B10G3336N16DL
РЧ-усилитель мощности B10G3336N16DL

РЧ-усилитель мощности B10G3336N16DL

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: B10G3336N16DL

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
B10G3336N16DL — это двухэтапная MMIC Доэрти.
Модель: B10G3336N16DL
Производитель: Амплеон
Тип продукта: Трехступенчатый полностью интегрированный РЧ-усилитель мощности Doherty MMIC с LDMOS 10-го поколения, оптимизированный для диапазона 3,3–3,6 ГГц (охватывающий высокочастотные диапазоны 5G NR n77/n78), драйверы для малых сот и драйверы общего назначения.

Ключевые характеристики

Parameter Specification
Frequency Range 3300 MHz ~ 3600 MHz (Precisely covers 5G NR n77/n78 high-frequency core bands)
Peak Output Power 16W Continuous Wave (CW), in Doherty Configuration (42.5dBm typical, up to 43dBm at 28V supply)
Typical Power Gain 35 dB (at 28V supply, 33dBm average output power, 3450MHz)
Typical Drain Efficiency 35% (at 10dB OBO, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=9.9dB, 3450MHz)
Supply Voltage 26V/28V nominal, Maximum Rated Drain-Source Breakdown Voltage 65V
Quiescent Current 30 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.4V)
Package Type LGA-7x7-20-2, 7x7mm leadless thermal enhanced package with exposed thermal pad
Port Characteristics Internally matched to 50Ω input/output, no external matching required, simplifying RF PCB design
Architecture 3-stage fully integrated Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier/peaking amplifier paths and driver stages
Operating Temperature -40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 175°C)
Thermal Resistance Junction-to-case thermal resistance as low as 7.9 K/W (at PL=1.585W, 1-carrier W-CDMA signal)
Load Mismatch Tolerance Capable of withstanding VSWR=10:1 through all phases (at 32V supply, 3600MHz), improving system robustness
Gain Flatness Only 0.5dB within 3300-3600MHz band, suitable for ultra-broadband communication systems
ESD Protection CDM Class C1 (250V), HBM Class 1B (500V), enhancing device reliability
Stability Rollett stability factor K>1 (at -40°C, 0.6GHz to 8.1GHz frequency range), ensuring stable operation across the entire band

Особенности и преимущества

  • Применяется усовершенствованный процесс LDMOS 10-го поколения Ampleon, обеспечивающий баланс между высокой выходной мощностью 16 Вт и высокой эффективностью 35%, что идеально подходит для модулированных сигналов 5G со сверхвысоким PAPR (PAR = 9,9 дБ).
  • Оптимизированная трехступенчатая полностью интегрированная архитектура Доэрти обеспечивает превосходные возможности коррекции цифровых предыскажений (DPD), обеспечивая выдающийся коэффициент мощности соседнего канала (ACPR) на уровне -33 дБн после DPD, что соответствует строгим требованиям к линейности для базовых станций малых сот 5G.
  • Полностью интегрированная конструкция (встроенный разветвитель, сумматор, согласующая сеть 50 Ом и каскады драйвера) значительно упрощает проектирование радиочастотной печатной платы и ускоряет вывод малых ячеек на рынок.
  • Независимый контроль несущей и пикового смещения позволяет гибко оптимизировать линейность и эффективность в различных условиях эксплуатации, что подходит для мультистандартных систем связи (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR).
  • Превосходная устойчивость к несоответствию нагрузки, способность выдерживать КСВ = 10:1 на всех этапах, что повышает надежность системы в сложных условиях.
  • Сверхширокая неравномерность усиления (всего 0,5 дБ в диапазоне 3300–3600 МГц), подходит для сверхширокополосных систем связи и снижает потребность во внешних схемах выравнивания.
  • Встроенная схема защиты от электростатического разряда повышает надежность устройства во время производства и применения, снижая риск электростатического повреждения.
  • Термически улучшенный корпус LGA с тепловым сопротивлением перехода к корпусу всего 7,9 К/Вт, что эффективно улучшает характеристики рассеивания тепла и продлевает срок службы устройства.
  • Поддерживает приложения со сверхширокой полосой пропускания видео (VBW), подходящие для систем малых сот нового поколения, поддерживающих широкополосные сигналы.
  • Соответствует RoHS, подходит для строительства и развертывания глобальной инфраструктуры связи 5G.

Приложения

  • Блоки усиления мощности РЧ конечного каскада для базовых станций малых сот 5G NR n77/n78 (3,3–3,6 ГГц)
  • Усилители драйвера общего назначения для систем связи с агрегацией нескольких несущих (CA), отвечающие требованиям сверхширокополосного сигнала
  • ВЧ-модули для базовых станций малых сот с массивным MIMO (mMIMO), поддерживающие высокие требования к линейности и эффективности.
  • Проекты модернизации и реконструкции усовершенствованных базовых станций 4G LTE, подходящих для развертывания диапазона 3,5 ГГц.
  • Системы радиочастотной передачи для связи в частных сетях и промышленного Интернета вещей (IIoT), требующие широкополосных и высоконадежных приложений.
  • Модули усиления мощности для мультистандартного (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR) коммуникационного оборудования
  • Проекты модернизации и реконструкции инфраструктуры беспроводной связи, особенно для развертывания высокочастотной сети 5G.
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить