B11G3742N81DYZ B11G3742N81DX B11G3742N81D РЧ усилитель мощности

B11G3742N81DYZ B11G3742N81DX B11G3742N81D РЧ усилитель мощности

Получить цену

Количество минимального заказа:

Свяжитесь

Описание продукта

Атрибуты продукта

Упаковка и доставка

Описание продукта

Атрибуты продукта

Модель: B11G3742N81DYZ B11G3742N81DX B11G3742N81D

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта

2-ступенчатая MMIC Доэрти

Модель: B11G3742N81D

Производитель: Амплеон

Тип продукта: Двухсекционный трехступенчатый полностью интегрированный РЧ-усилитель мощности Doherty MMIC с напряжением 28 В LDMOS 11-го поколения, оптимизированный для диапазона 3,7–4,2 ГГц (охватывающий высокочастотный диапазон 5G NR n77), приложений для малых сот и драйверов общего назначения, обеспечивающий идеальный баланс между высокой интеграцией и эффективностью с помощью передовой технологии LDMOS.

Ключевые характеристики

Parameter	Specification
Frequency Range	3700 MHz ~ 4200 MHz (Precisely covers 5G NR n77 high-frequency core band)
Peak Output Power	81W Continuous Wave (CW), in Doherty Configuration (49.1dBm typical, up to 49.5dBm at 28V supply)
Typical Power Gain	32 dB (at 28V supply, 39dBm average output power, 4000MHz)
Typical Drain Efficiency	38% (at 9dB OBO, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=9.9dB, 4000MHz)
Supply Voltage	26V/28V nominal, Maximum Rated Drain-Source Breakdown Voltage 65V
Quiescent Current	60 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.4V)
Package Type	PQFN-12x7-36-1 (12×7mm), 36-pin leadless thermal enhanced package with exposed thermal pad
Port Characteristics	Internally matched to 50Ω input/output, no external matching required, simplifying RF PCB design
Architecture	Dual-section 3-stage fully integrated Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier/peaking amplifier paths and driver stages
Operating Temperature	-40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 175°C)
Thermal Resistance	Junction-to-case thermal resistance as low as 1.8 K/W (at PL=10W, 1-carrier W-CDMA signal)
Load Mismatch Tolerance	Capable of withstanding VSWR=10:1 through all phases (at 32V supply, 4200MHz), improving system robustness
Gain Flatness	Only 0.6dB within 3700-4200MHz band, suitable for ultra-broadband communication systems
ESD Protection	CDM Class C1 (250V), HBM Class 1B (500V), enhancing device reliability
Stability	Rollett stability factor K>1 (at -40°C, 0.6GHz to 8.1GHz frequency range), ensuring stable operation across the entire band

Особенности и преимущества

Применяется усовершенствованный процесс LDMOS Ampleon 11-го поколения, обеспечивающий баланс между сверхвысокой выходной мощностью 81 Вт и высокой эффективностью 38%, что идеально подходит для модулированных сигналов 5G со сверхвысоким PAPR (PAR = 9,9 дБ).
Оптимизированная двухсекционная трехступенчатая полностью интегрированная архитектура Доэрти обеспечивает превосходные возможности коррекции цифровых предыскажений (DPD), обеспечивая выдающийся коэффициент мощности соседнего канала (ACPR) на уровне -33 дБн после DPD, что соответствует строгим требованиям к линейности для базовых станций малых сот 5G.
Полностью интегрированная конструкция (встроенный разветвитель, сумматор, согласующая сеть 50 Ом и каскады драйвера) значительно упрощает проектирование радиочастотной печатной платы, ускоряет вывод малых ячеек на рынок и снижает затраты на систему.
Независимый контроль несущей и пикового смещения позволяет гибко оптимизировать линейность и эффективность в различных условиях эксплуатации, что подходит для мультистандартных систем связи (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR).
Превосходная устойчивость к несоответствию нагрузки, способность выдерживать КСВ=10:1 на всех этапах, повышает надежность системы в сложных условиях и снижает затраты на обслуживание базовой станции.
Сверхширокая неравномерность усиления (всего 0,6 дБ в диапазоне 3700–4200 МГц), подходит для сверхширокополосных систем связи, снижает потребность во внешних схемах выравнивания и повышает надежность системы.
Встроенная схема защиты от электростатического разряда повышает надежность устройства во время производства и применения, снижая риск электростатического повреждения и повышая производительность.
Термически улучшенный корпус PQFN с тепловым сопротивлением перехода к корпусу всего 1,8 К/Вт, эффективно улучшающим характеристики рассеивания тепла, продлевающим срок службы устройства и поддерживающим конструкции с более высокой плотностью мощности.
Поддерживает приложения со сверхширокой полосой пропускания видео (VBW), подходящие для систем малых сот нового поколения, поддерживающих широкополосные сигналы, отвечающие будущим потребностям развития сетей 5G.
Соответствует RoHS, подходит для строительства и развертывания глобальной коммуникационной инфраструктуры 5G, способствуя развитию экологически чистых коммуникаций.

Приложения

Блоки усиления РЧ-мощности конечного каскада для базовых станций малых сот 5G NR n77 (3,7–4,2 ГГц), поддерживающие требования к высокой мощности и высокой линейности.
Усилители драйвера общего назначения для систем связи с агрегацией нескольких несущих (CA), отвечающие требованиям сверхширокополосного сигнала и увеличивающие пропускную способность системы.
ВЧ-модули для базовых станций малых сот с массивным MIMO (mMIMO), поддерживающие требования к высокой плотности мощности и высокой эффективности, снижающие энергопотребление базовой станции.
Проекты модернизации и реконструкции усовершенствованных базовых станций 4G LTE, подходящих для развертывания диапазона 3,7–4,2 ГГц, улучшающих покрытие и пропускную способность сети.
Системы радиочастотной передачи для связи в частных сетях и промышленного Интернета вещей (IIoT), требующие широкополосных и высоконадежных приложений, поддерживающих развертывание среды промышленного уровня.
Модули усиления мощности для мультистандартного (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR) коммуникационного оборудования, снижающие затраты на разработку оборудования и ускоряющие выход на рынок.
Проекты модернизации и реконструкции инфраструктуры беспроводной связи, особенно для развертывания высокочастотных сетей 5G, которые помогают операторам быстро развертывать сети 5G и улучшать качество обслуживания пользователей.

Горячие продукты