Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> Силовой LDMOS-транзистор> BLC10G18XS-360AVT RF MOSFET LDMOS
BLC10G18XS-360AVT RF MOSFET LDMOS
BLC10G18XS-360AVT RF MOSFET LDMOS
BLC10G18XS-360AVT RF MOSFET LDMOS
BLC10G18XS-360AVT RF MOSFET LDMOS
BLC10G18XS-360AVT RF MOSFET LDMOS
BLC10G18XS-360AVT RF MOSFET LDMOS

BLC10G18XS-360AVT RF MOSFET LDMOS

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: BLC10G18XS-360AVT

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
Силовой LDMOS-транзистор
BLC10G18XS-360AVT — это асимметричный силовой ВЧ-транзистор Doherty LDMOS от Ampleon, оптимизированный для макробазовых станций 4G/5G с частотой 1805–1880 МГц (1,8 ГГц) и усилителей мощности с несколькими несущими. Размещенный в корпусе SOT1258-4 (пластмассовый безушной корпус с воздушной полостью), он отличается высокой эффективностью, высоким коэффициентом усиления, высокой линейностью и высокой надежностью.
Ключевые особенности
  • Радиочастотные характеристики: работает на частоте 1805–1880 МГц, обеспечивает пиковую мощность 360 Вт / среднюю мощность 56 Вт с усилением ≥17 дБ, типичный КПД 50,5% при 28 В, ACPR≤-29,5 дБн, поддерживает линеаризацию нескольких несущих и DPD.
  • Оптимизация по Доэрти: низкая выходная емкость для улучшения линейности Доэрти и обратных потерь; Низкий эффект памяти обеспечивает высокую производительность DPD с минимальными искажениями.
  • Термичность и надежность: низкое термическое сопротивление обеспечивает превосходное рассеивание тепла и высокую устойчивость к температуре перехода; встроенная защита от электростатического разряда; Соответствует RoHS, выдерживает несоответствие нагрузки КСВ=10:1, обеспечивая надежную работу.
  • Простота конструкции: внутреннее предварительное согласование с сопротивлением 50 Ом упрощает схему; Пакет SOT1258-4, совместимый с автоматизированной сборкой для массового производства.
Типичные применения
  • Радиочастотные усилители мощности макробазовой станции 4G/5G в диапазоне 1,8 ГГц
  • Передатчики системы связи с несколькими несущими
  • Инфраструктура беспроводной связи 1805–1880 МГц
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить