B11G2327N71DYZ RF МОП-транзистор LDMOS

Получить цену

Количество минимального заказа:

Свяжитесь

Описание продукта

Атрибуты продукта

Упаковка и доставка

Описание продукта

Атрибуты продукта

Модель: B11G2327N71D B11G2327N71DYZ B11G2327N71DXZ

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта

B11G2327N71D — это двухэтапная интегрированная LDMOS MMIC Doherty.

Модель: B11G2327N71DYZ (базовая модель: B11G2327N71D)

Производитель: Амплеон

Тип продукта: LDMOS 2-каскадный интегральный усилитель мощности на монолитной микроволновой интегральной схеме Догерти (MMIC) (независимый контроль несущей и пикового смещения)

Ключевые характеристики

Parameter	Specification
Frequency Range	2300 MHz to 2700 MHz (2.3–2.7 GHz)
Peak Output Power (3dB Compression)	48.0–49.5 dBm (approximately 63–89 W), typical 49 dBm (approximately 79.4 W)
Linear Output Power (PL=5W/37dBm)	Power Gain: 27.5–33.5 dB, typical 30.0 dB
Drain Efficiency (PL=5W/37dBm)	16–22 %, typical 19 %
Drain Efficiency (3dB Compression)	46–54 %, typical 50 %
Supply Voltage (VDS)	28 V (Standard) / 65 V (Maximum Rating)
Quiescent Current (IDq)	Carrier Path: 200 mA; Peaking Path: 100 mA (Typical)
Package	36-PQFN (12×7 mm), Leadless Plastic Package with Exposed Pad (Enhanced Thermal Dissipation)
Internal Structure	Dual-path 2-stage fully integrated design, including carrier and peaking devices, input splitter, output combiner, and pre-match network

Особенности и преимущества

Полностью интегрированная архитектура Doherty: используется современная технология LDMOS от Ampleon, объединяющая все ключевые компоненты усилителя мощности Doherty в одном кристалле, что значительно упрощает конструкцию ВЧ-интерфейса базовой станции и сокращает затраты на разработку и время вывода на рынок.
Независимый контроль смещения: поддерживает раздельную регулировку смещения для каналов несущей и пиков, оптимизируя баланс между линейностью и эффективностью в различных условиях сигнала, подходит для сигналов с высоким отношением пиковой мощности к средней (PAPR) 5G NR.
Исключительные характеристики линейности: коэффициент мощности в соседнем канале (ACPR) -46,2 дБн (типично) при смещении 5 МГц, что соответствует строгим требованиям к качеству сигнала для базовых станций 5G/4G и снижает сложность цифрового предыскажения (DPD).
Высокая плотность и эффективность мощности. Обеспечивает высокий коэффициент усиления и эффективность во всем диапазоне частот 2,3–2,7 ГГц с типичным коэффициентом полезного действия 50 % при сжатии 3 дБ, что позволяет снизить энергопотребление базовой станции и повысить надежность системы.
Широкий диапазон рабочего напряжения: поддерживает стандартное напряжение питания 28 В с максимальным номиналом 65 В, адаптируясь к различным требованиям конструкции системы питания базовой станции.
Высокоэффективный тепловой пакет: пакет PQFN размером 12×7 мм с большой открытой площадкой обеспечивает отличную теплопроводность, гарантируя стабильную работу в условиях высоких нагрузок.
Соответствие RoHS: соответствует требованиям директив RoHS для применения на мировом рынке.

Приложения

Драйвер усилителя мощности RF для базовых станций 5G NR Macro/Micro (диапазоны 2,3–2,7 ГГц, например, TD-LTE, 5G NR n41/n78)
Многодиапазонные модули усилителей мощности базовой станции 4G LTE (2300–2700 МГц)
Блоки усиления мощности в системах Massive MIMO (mMIMO)
Системы передатчиков связи с несколькими несущими (например, W-CDMA, LTE-A Pro)
Инфраструктура широкополосной беспроводной связи (например, CBRS, C-Band)
Промышленный Интернет вещей (IIoT) и частные сетевые системы связи (например, 5G-Industrial)

Горячие продукты