РЧ МОП-транзисторы BLM9D2327S-50PBG

Получить цену

Количество минимального заказа:

Свяжитесь

Описание продукта

Атрибуты продукта

Упаковка и доставка

Описание продукта

Атрибуты продукта

Модель: BLM9D2327S-50PB BLM9D2327S-50PBG

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта

BLM9D2327S-50PBG Двухэтапная интегрированная MMIC Doherty LDMOS

Модель: BLM9D2327S-50PBG

Производитель: Амплеон

Тип продукта: Двухсекционный двухступенчатый полностью интегрированный асимметричный РЧ-усилитель мощности Doherty MMIC с напряжением 28 В LDMOS 9-го поколения, оптимизированный для диапазона 2,3–2,7 ГГц (охватывающий диапазон 5G NR n78 и 4G LTE 40/41), малых сот и массивных приложений MIMO.

Ключевые характеристики

Parameter	Specification
Frequency Range	2300 MHz ~ 2700 MHz (Fully covers 5G NR n78 core band and 4G mainstream bands)
Peak Output Power	50W Continuous Wave (CW), in Asymmetric Doherty Configuration (47.0dBm typical)
Typical Power Gain	29.0 dB (Doherty operation mode, up to 29.3dB at 2700MHz)
Typical Drain Efficiency	45% (at 8.5dB OBO, 1-carrier LTE 20MHz signal)
Supply Voltage	28V nominal, Maximum Rated Voltage 65V
Quiescent Current	50 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.4V)
Package Type	SOT502 (OMP-780-16G-1), 16-pin surface mount package with high-efficiency thermal pad
Port Characteristics	Internally matched to 50Ω input, 20Ω output pre-match, simplifying external matching design
Architecture	Dual-section fully integrated asymmetric Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier and peaking amplifier paths
Operating Temperature	-40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 200°C)
Thermal Resistance	Junction-to-case thermal resistance as low as 3.5 K/W (at PL=6.25W)

Особенности и преимущества

Применяется усовершенствованный процесс LDMOS 9-го поколения Ampleon, обеспечивающий баланс между высокой выходной мощностью 50 Вт и высокой эффективностью 45%, что идеально подходит для модулированных сигналов 5G с высоким PAPR.
Двухсекционная конструкция поддерживает независимую двухканальную работу с высокой межканальной изоляцией, что идеально подходит для массовых системных приложений MIMO.
Оптимизированная асимметричная архитектура Доэрти обеспечивает превосходную возможность коррекции цифровых предыскажений (DPD), обеспечивая выдающийся коэффициент мощности соседнего канала (ACPR) на уровне -40 дБн после DPD, что соответствует строгим требованиям к линейности для базовых станций 5G.
Полностью интегрированная конструкция (встроенный разветвитель, сумматор, сеть предварительного согласования) значительно упрощает проектирование радиочастотной печатной платы и ускоряет вывод малых сот на рынок.
Независимый контроль смещения несущей и пика позволяет гибко оптимизировать линейность и эффективность в различных условиях эксплуатации.
Встроенная схема защиты от электростатического разряда (CDM класс C3, HBM класс 1C) повышает надежность устройства во время производства и применения, снижая риск повреждения.
Превосходная устойчивость к несоответствию нагрузки, способность выдерживать КСВ = 10:1 на всех фазах, что повышает надежность системы.
Широкая неравномерность усиления (всего 0,8 дБ в диапазоне 2300–2700 МГц), подходит для широкополосных систем связи с несколькими несущими.
Соответствует RoHS, подходит для строительства и развертывания глобальной инфраструктуры связи 5G.

Приложения

Блоки усиления РЧ-мощности конечного каскада для базовых станций малых сот 5G NR n78 (2,5–2,7 ГГц)
ВЧ-модули для базовых станций массивного MIMO (mMIMO), поддерживающие независимую двухканальную работу
Базовые станции связи 4G LTE Band 40/41 (2,3–2,4 ГГц/2,5–2,6 ГГц)
Системы связи с агрегацией нескольких несущих (CA) 4G/5G
Системы радиочастотной передачи для связи в частных сетях и промышленного Интернета вещей (IIoT)
Проекты модернизации и реконструкции инфраструктуры беспроводной связи
Мультистандартное (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR) коммуникационное оборудование

Горячие продукты