Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> 2-ступенчатая MMIC Доэрти> BLM9D2327-26BZ РЧ-усилитель мощности
BLM9D2327-26BZ РЧ-усилитель мощности
BLM9D2327-26BZ РЧ-усилитель мощности
BLM9D2327-26BZ РЧ-усилитель мощности
BLM9D2327-26BZ РЧ-усилитель мощности
BLM9D2327-26BZ РЧ-усилитель мощности
BLM9D2327-26BZ РЧ-усилитель мощности
BLM9D2327-26BZ РЧ-усилитель мощности

BLM9D2327-26BZ РЧ-усилитель мощности

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: BLM9D2327-26B BLM9D2327-26BZ

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
BLM9D2327-26B LDMOS 2-этапная интегрированная MMIC Doherty
Модель: BLM9D2327-26BZ
Производитель: Амплеон
Тип продукта: 2-каскадный полностью интегрированный асимметричный РЧ-усилитель мощности Doherty MMIC с напряжением 28 В LDMOS 9-го поколения, оптимизированный для диапазона 2,3–2,7 ГГц (охватывающий 5G NR n78 и 4G LTE Band 40/41), драйверы для малых сот и драйверы общего назначенияAmpleon

Ключевые характеристики

Parameter Specification
Frequency Range 2300 MHz ~ 2700 MHz (Fully covers 5G NR n78 core band and 4G mainstream bands)Ampleon
Peak Output Power 26W Continuous Wave (CW), in Asymmetric Doherty Configuration (44.8dBm typical)Ampleon
Typical Power Gain 27.9 dB (Doherty operation mode, at 36.9dBm average output power)Ampleon
Typical Drain Efficiency 41.1% (at 8dB OBO, 1-carrier LTE 20MHz signal, 2500MHz)Ampleon
Supply Voltage 28V nominal, Maximum Rated Voltage 65VAmpleon
Quiescent Current 75 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.98V)Ampleon
Package Type 20-PQFN (SOT1462-1), 8x8x2.1mm leadless thermal enhanced package with exposed thermal padAmpleon
Port Characteristics Internally matched to 50Ω input, pre-matched output network, simplifying external matching designAmpleon
Architecture Fully integrated asymmetric Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier and peaking amplifier pathsAmpleon
Operating Temperature -40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 200°C)Ampleon
Thermal Resistance Junction-to-case thermal resistance as low as 3.23 K/W (at PL=5W, 1-carrier W-CDMA signal)Ampleon
Load Mismatch Tolerance Capable of withstanding VSWR=10:1 through all phases, improving system robustnessAmpleon
Gain Flatness Only 0.86dB within 2300-2700MHz band, suitable for multi-carrier broadband communication systemsAmpleon
ESD Protection CDM Class C2A (500V), HBM Class 1B (500V), enhancing device reliabilityAmpleon

Особенности и преимущества

  • Применяет усовершенствованный процесс LDMOS Ampleon 9-го поколения, обеспечивающий баланс между высокой выходной мощностью 26 Вт и высокой эффективностью 41,1%, что идеально подходит для модулированных сигналов 5G с высоким PAPR (PAR = 7,2 дБ) Ampleon.
  • Оптимизированная асимметричная архитектура Доэрти обеспечивает превосходную возможность коррекции цифровых предыскажений (DPD), обеспечивая выдающийся коэффициент мощности соседнего канала (ACPR) до -38,6 дБн после DPD, что соответствует строгим требованиям к линейности для базовых станций 5G.
  • Полностью интегрированная конструкция (встроенный разветвитель, сумматор, сеть предварительного согласования) значительно упрощает проектирование радиочастотной печатной платы и ускоряет вывод малых сот на рынок.
  • Независимый контроль смещения несущей и пика позволяет гибко оптимизировать линейность и эффективность в различных условиях эксплуатации, что подходит для мультистандартных систем связи Ampleon.
  • Превосходная устойчивость к несоответствию нагрузки, способность выдерживать КСВ = 10:1 на всех этапах, что повышает надежность системы в сложных средахAmpleon.
  • Широкая неравномерность усиления (всего 0,86 дБ в диапазоне 2300–2700 МГц), подходит для широкополосных систем связи с несколькими несущими, что снижает потребность во внешних схемах выравнивания Ampleon.
  • Встроенная схема защиты от электростатического разряда повышает надежность устройства во время производства и применения, снижая риск электростатического поврежденияAmpleon.
  • Термически улучшенный корпус PQFN с тепловым сопротивлением перехода к корпусу всего 3,23 К/Вт, эффективно улучшающим характеристики рассеивания тепла и продлевающим срок службы устройстваAmpleon.
  • Соответствует RoHS, подходит для создания и развертывания глобальной коммуникационной инфраструктуры 5GAmpleon.

Приложения

  • Блоки усиления РЧ-мощности конечного каскада для базовых станций малых сот 5G NR n78 (2,5–2,7 ГГц)Ampleon
  • Базовые станции связи 4G LTE Band 40/41 (2,3–2,4 ГГц/2,5–2,6 ГГц)
  • Усилители драйверов общего назначения для систем связи с агрегацией нескольких несущих (CA)Ampleon
  • ВЧ-модули для базовых станций массивного MIMO (mMIMO)Ampleon
  • Системы радиочастотной передачи для связи в частных сетях и промышленного Интернета вещей (IIoT)
  • Мультистандартное (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR) коммуникационное оборудованиеAmpleon
  • Проекты модернизации и реконструкции инфраструктуры беспроводной связиAmpleon
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить