Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> ВЧ / УКВ мощность LDMOS> BLC10G15XS-301AVT РЧ МОП-транзистор LDMOS 30 В
BLC10G15XS-301AVT РЧ МОП-транзистор LDMOS 30 В
BLC10G15XS-301AVT РЧ МОП-транзистор LDMOS 30 В
BLC10G15XS-301AVT РЧ МОП-транзистор LDMOS 30 В
BLC10G15XS-301AVT РЧ МОП-транзистор LDMOS 30 В

BLC10G15XS-301AVT РЧ МОП-транзистор LDMOS 30 В

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: BLC10G15XS-301AVTZ

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
Номер детали: BLC10G15XS-301AVT
Производитель: Амплеон
Тип устройства: LDMOS 10-го поколения, асимметричный ВЧ силовой транзистор Доэрти, 30 В.
Диапазон частот: 1452~1492 МГц (диапазоны 5G n5/4G B5)
Применение: оконечный усилитель мощности для макробазовой станции 4G/5G AAU и RRU, оптимизированный для линейной передачи высокой мощности в низкочастотном диапазоне.

Основные характеристики (Tcase=25°C, VDS=30В, сигнал W-CDMA)

  • Диапазон частот: 1452 МГц ~ 1492 МГц
  • Напряжение питания: 30 В (типичное), макс. 65 В
  • Ток покоя: 300 мА (основной)
  • Средняя выходная мощность: 56,3 Вт (47,5 дБм)
  • Пиковая выходная мощность: 305 Вт (тип.)
  • Усиление мощности: 18,2 дБ (тип.)
  • Эффективность слива: 50,5% (тип.)
  • ACPR: −27,8 дБн (тип.)
  • Входные обратные потери: −14 дБ (тип.)
  • Упаковка: SOT1275-1, 6-выводной корпус без фланца с воздушной полостью
  • Термическое сопротивление (JC): 0,20–0,24 К/Вт.
  • Прочность: допуск на несоответствие полной фазовой нагрузки КСВ 10:1.

Функции

  1. Технология LDMOS 10-го поколения: высокая надежность с превосходной устойчивостью к несоответствию нагрузки для долгосрочной работы базовой станции;
  2. Интегрированная асимметричная архитектура Доэрти: оптимизирована для сигналов с несколькими несущими с высоким PAPR 5G NR и LTE и превосходной линейностью;
  3. Предварительное согласование входных сигналов на кристалле: упрощает внешнюю радиочастотную конструкцию и ускоряет разработку;
  4. Низкий эффект памяти: обеспечивает превосходное подавление соседних каналов с помощью линеаризации DPD;
  5. Низкое термическое сопротивление: обеспечивает надежную непрерывную работу при высокой мощности;
  6. Встроенная защита от электростатического разряда: повышает антистатические свойства и долгосрочную надежность;
  7. Соответствует RoHS: соответствует экологическим стандартам.

Типичные применения

  • Конечный усилитель базовой станции Macro для диапазонов 5G n5 и 4G B5;
  • Системы радиочастотной передачи с несколькими несущими в диапазоне 1452–1492 МГц;
  • Модули линейного усилителя мощности высокой мощности.

Определение номера детали

  • BLC: серия устройств питания Ampleon LDMOS;
  • 10G: процесс LDMOS 10-го поколения;
  • 15: диапазон частот 1,5 ГГц (1452–1492 МГц);
  • XS: Асимметричный Доэрти, стандартная комплектация;
  • 301: пиковая мощность 300 Вт+;
  • AVT: фланец без ушка, пакет с воздушной полостью и видеоразвязкой.
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> ВЧ / УКВ мощность LDMOS> BLC10G15XS-301AVT РЧ МОП-транзистор LDMOS 30 В
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить