Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> ВЧ / УКВ мощность LDMOS> BLC10G19XS-551AV RF MOSFET LDMOS
BLC10G19XS-551AV RF MOSFET LDMOS
BLC10G19XS-551AV RF MOSFET LDMOS
BLC10G19XS-551AV RF MOSFET LDMOS
BLC10G19XS-551AV RF MOSFET LDMOS
BLC10G19XS-551AV RF MOSFET LDMOS
BLC10G19XS-551AV RF MOSFET LDMOS

BLC10G19XS-551AV RF MOSFET LDMOS

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: BLC10G19XS-551AV BLC10G19XS-551AVY

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
ВЧ/УКВ мощность LDMOS
BLC10G19XS-551AV — кремниевый силовой RF-транзистор LDMOS 10-го поколения производства компании Ampleon (Нидерланды), оптимизированный для асимметричных усилителей мощности Доэрти в макробазовых станциях 4G LTE и 5G NR, работающих на частоте 1930–2000 МГц (диапазон 1,9 ГГц). Он отличается высокой мощностью, высокой эффективностью и высокой прочностью.
Ключевые характеристики
  • Производитель: Амплеон (Нидерланды)
  • Номер детали: BLC10G19XS-551AV
  • Диапазон частот: 1930–2000 МГц
  • Пиковая выходная мощность (P3дБ): 570 Вт при 30 В
  • Напряжение питания стока (VDS): 30 В
  • Усиление мощности (Gp): 15 дБ (типичное)
  • Эффективность дренажа (ηD): 50,5% (типично, Доэрти)
  • Упаковка: SOT1258-5 (керамика с воздушной полостью, ACP)
  • Технология: LDMOS 10-го поколения (кремний).
  • Применение: оконечные усилители мощности макробазовой станции диапазона 1,9 ГГц.
  • Статус: Не рекомендуется для новых разработок (NRND)
Функции
  1. Высокая плотность мощности: пиковая мощность 570 Вт при 30 В для макроусилительных усилителей 5G с высокой выходной мощностью.
  2. Высокая эффективность: типичный КПД стока 50,5% в режиме Доэрти снижает энергопотребление и тепловую нагрузку.
  3. Высокое усиление: усиление 15 дБ упрощает настройку усилителей и уменьшает количество каскадов драйверов.
  4. Оптимизация по Доэрти: низкая выходная емкость повышает производительность в асимметричных конфигурациях Доэрти.
  5. Высокая надежность: выдерживает несоответствие КСВ 10:1 для надежной работы в суровых условиях.
  6. Низкое термическое сопротивление: пакет ACP обеспечивает превосходное рассеивание тепла и термическую стабильность.
  7. Низкий эффект памяти: превосходные возможности цифрового предыскажения (DPD) для сложных модулированных сигналов.
  8. Внутреннее согласование + защита от электростатического разряда: упрощает конструкцию и повышает устойчивость к электростатическому разряду.
  9. Соответствие RoHS: Экологичность, соответствие директивам ЕС RoHS.
Приложения
  • Макробазовые станции 4G LTE и 5G NR: оконечные каскады усилителя мощности для систем беспроводной связи в диапазоне 1,9 ГГц.
  • Беспроводная инфраструктура: мощное радиочастотное усиление для покрытия сотовой сети и расширения ее пропускной способности.
  • Усилители Доэрти: идеально подходят для высокоэффективных асимметричных архитектур усилителей Доэрти в современных базовых станциях.
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить