BLC10G22XS-600AVT RF MOSFET LDMOS

Получить цену

Количество минимального заказа:

Свяжитесь

Описание продукта

Атрибуты продукта

Упаковка и доставка

Описание продукта

Атрибуты продукта

Модель: BLC10G22XS-600AVT BLC10G22XS-600AVTZ BLC10G22XS-600AVTY

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта

BLC10G22XS-600AVT — силовой LDMOS-транзистор.

BLC10G22XS-600AVT — это асимметричный силовой транзистор Доэрти LDMOS 10-го поколения от Ampleon, работающий на частоте 2110～2170 МГц. Оптимизированный для макробазовых станций 4G/5G и оконечных усилителей мощности mMIMO, он обеспечивает сверхвысокую мощность 600 Вт, высокую эффективность и превосходную линейность. Суффикс «T» обозначает стандартную бессвинцовую упаковку, соответствующую требованиям RoHS, которая идеально подходит для усиления радиочастотных сигналов базовых станций высокой мощности.

Он объединяет асимметричную топологию Доэрти (несущий + пиковый тракт) с внутренним предварительным согласованием, обеспечивая высокую плотность мощности, низкий эффект памяти и превосходную термическую стабильность, что упрощает периферийные схемы для компактных усилителей мощности базовой станции.

Ключевые характеристики

Производитель: Амплеон
Номер детали: BLC10G22XS-600AVT
Диапазон частот: 2110～2170 МГц (5G NR n1/n34, совместимость с LTE Band1)
Типичная выходная мощность при насыщении: 600 Вт (одно устройство)
Усиление мощности: типичное значение 15,4 дБ (питание 32 В)
Эффективность дренажа: типовая 48 % (режим Доэрти)
Напряжение питания: 32 В (рекомендуется 28–32 В)
Ток покоя: 1150 мА (основной путь)
Комплектация: SOT1258-4 (воздушная полость пластик, высокомощное тепловое исполнение)
Технология: кремниевый LDMOS 10-го поколения (GEN10 LDMOS).
Статус: В производстве (соответствует RoHS)

Функции

Технология LDMOS 10-го поколения, сверхвысокая мощность 600 Вт с оптимизированными трактами несущей/пика для асимметричной работы в режиме Доэрти
Широкополосное покрытие 2.11G～2.17G с поддержкой мультистандартов LTE/5G NR для макробазовых станций
Превосходная линейность, низкий эффект памяти, поддержка DPD для оптимальной линеаризации и превосходного ACPR
Встроенное предварительное согласование входов/выходов, совместимость с сопротивлением 50 Ом, минимальная спецификация, отсутствие сложной настройки
Низкое термическое сопротивление, превосходная термическая стабильность, прочность КСВН 10:1 для высокой надежности.
Встроенная защита от электростатического разряда, соответствует требованиям RoHS, рабочая температура: -40℃～+125℃.

Приложения

Макробазовая станция 4G/5G и оконечные усилители высокой мощности mMIMO
Мощное радиочастотное усиление для беспроводной инфраструктуры 2,11–2,17 ГГц
Высокоэффективные усилители Доэрти, компактные мощные радиочастотные передатчики
Мощные драйверные каскады базовой станции (предварительное усиление для оконечных транзисторов)

Горячие продукты