Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> ВЧ / УКВ мощность LDMOS> BLC10G22XS-602AVT РЧ МОП-транзистор LDMOS 30 В SOT1258
BLC10G22XS-602AVT РЧ МОП-транзистор LDMOS 30 В SOT1258
BLC10G22XS-602AVT РЧ МОП-транзистор LDMOS 30 В SOT1258
BLC10G22XS-602AVT РЧ МОП-транзистор LDMOS 30 В SOT1258
BLC10G22XS-602AVT РЧ МОП-транзистор LDMOS 30 В SOT1258
BLC10G22XS-602AVT РЧ МОП-транзистор LDMOS 30 В SOT1258
BLC10G22XS-602AVT РЧ МОП-транзистор LDMOS 30 В SOT1258

BLC10G22XS-602AVT РЧ МОП-транзистор LDMOS 30 В SOT1258

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: BLC10G22XS-602AVT

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
УКВ МОЩНОСТЬ LDMOS
BLC10G22XS-602AVT — это силовой RF-транзистор LDMOS 10-го поколения производства Ampleon (Нидерланды), оптимизированный для приложений макробазовых станций 4G LTE и 5G NR с несколькими несущими в диапазоне 2110–2170 МГц (2,1 ГГц). Он обеспечивает высокую мощность, высокую эффективность, высокий коэффициент усиления и превосходную совместимость с Доэрти.
Ключевые характеристики
  • Производитель: Амплеон (Нидерланды)
  • Номер детали: BLC10G22XS-602AVT
  • Диапазон частот: 2110–2170 МГц
  • Пиковая выходная мощность (PPEAK): 600 Вт при 30 В
  • Напряжение питания стока (VDS): 30 В
  • Коэффициент усиления мощности (Gp): 15,4 дБ (типичный)
  • Эффективность дренажа (ηD): 47,5% (типично)
  • Упаковка: SOT1258-4 (керамика с воздушной полостью, ACP)
  • Технология: LDMOS 10-го поколения (кремний).
  • Применение: оконечные усилители мощности (УМ) макробазовых станций диапазона 2,1 ГГц.
  • Статус: В производстве
Функции
  1. Высокая плотность мощности: пиковая мощность 600 Вт при напряжении 30 В, что позволяет создавать макроусилительные системы 5G с высокой выходной мощностью.
  2. Высокая эффективность: типичный КПД стока 47,5% снижает энергопотребление и тепловую нагрузку.
  3. Высокое усиление: усиление 15,4 дБ упрощает настройку усилителей и уменьшает количество каскадов драйверов.
  4. Оптимизация по Доэрти: низкая выходная емкость повышает эффективность конфигураций усилителей Доэрти.
  5. Высокая надежность: выдерживает несоответствие КСВ 10:1 для надежной работы в суровых условиях.
  6. Низкое термическое сопротивление: пакет ACP обеспечивает превосходное рассеивание тепла и термическую стабильность.
  7. Низкий эффект памяти: превосходные характеристики цифрового предыскажения (DPD) для сложных модулированных сигналов.
  8. Внутреннее согласование + защита от электростатического разряда: упрощает конструкцию и повышает устойчивость к электростатическому разряду.
  9. Соответствие RoHS: Экологичность, соответствие директивам ЕС RoHS.
Приложения
  • Макробазовые станции 4G LTE и 5G NR: оконечные каскады усилителя мощности для систем беспроводной связи в диапазоне 2,1 ГГц.
  • Беспроводная инфраструктура: мощное радиочастотное усиление для покрытия сотовой сети и расширения ее пропускной способности.
  • Усилители Doherty: идеально подходят для высокоэффективных архитектур Doherty PA в современных базовых станциях.
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> ВЧ / УКВ мощность LDMOS> BLC10G22XS-602AVT РЧ МОП-транзистор LDMOS 30 В SOT1258
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить