Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> ВЧ / УКВ мощность LDMOS> BLF989E RF MOSFET транзисторы
BLF989E RF MOSFET транзисторы
BLF989E RF MOSFET транзисторы
BLF989E RF MOSFET транзисторы
BLF989E RF MOSFET транзисторы
BLF989E RF MOSFET транзисторы
BLF989E RF MOSFET транзисторы
BLF989E RF MOSFET транзисторы

BLF989E RF MOSFET транзисторы

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: BLF989E

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
BLF989E — это ВЧ-транзистор LDMOS пиковой мощности 1000 Вт, производимый компанией Ampleon с применением высоковольтной (50 В) технологической технологии LDMOS 9-го поколения. Он специально разработан для асимметричных передатчиков вещания Доэрти в диапазоне 400–860 МГц (диапазон УВЧ) и способен обеспечивать среднюю мощность DVB-T 180 Вт. Размещенный в высокопроизводительном фланцевом керамическом корпусе (SOT-539A/CDFM5), он отличается исключительной прочностью и широкополосными характеристиками, что делает его идеальным для эффективной работы телевизионных передатчиков УВЧ следующего поколения.

Ключевые особенности

  • Сверхвысокая мощность и эффективность: пиковая выходная мощность более 1000 Вт, средняя мощность DVB-T 180 Вт (470–620 МГц), коэффициент усиления 17 дБ и эффективность стока 50 %, что значительно повышает энергоэффективность передатчика.
  • Асимметричная оптимизация Доэрти: разработана специально для асимметричных усилителей Доэрти и поддерживает конфигурации сверхширокополосного Доэрти (UWD), которые могут уменьшить размер усилителей цифрового ТВ на 20%.
  • Исключительная надежность: выдерживает рассогласование нагрузки КСВН по всему диапазону 20:1 при напряжении питания 50 В, обладает исключительной ударопрочностью для суровых условий эксплуатации.
  • Надежность промышленного уровня: максимальное напряжение сток-исток 104 В, допуск температуры перехода до 200°C и низкое тепловое сопротивление (переход-корпус) 0,17 К/Вт, подходящее для длительной непрерывной работы.
  • Широкий частотный диапазон: охватывает весь диапазон УВЧ 400–860 МГц, адаптируется к различным частотным приложениям без регулировки, что упрощает конструкцию системы.
  • Стандартная конструкция корпуса: фланцевый керамический корпус (SOT-539A/CDFM5) с 4-контактной конфигурацией, облегчающий установку и управление температурой.

Типичные применения

  • Конечный этап усиления мощности для передатчиков цифрового ТВ УВЧ (DVB-T/T2, ATSC 3.0)
  • Базовое устройство в асимметричных системах усилителей мощности Доэрти вещания
  • Усиление мощности для промышленного высокочастотного оборудования для нагрева, сушки и генерации плазмы.
  • Стадия усиления высокой мощности в профессиональных базовых станциях связи и ретрансляторах
  • Источник мощного сигнала для радиочастотных испытательных приборов

Технические характеристики

Parameter Value Notes
Frequency Range 400–860 MHz UHF band
Peak Output Power >1000 W Typical value
DVB-T Average Output Power 180 W 470-620 MHz, VDS=50 V
Power Gain 17 dB (470-620 MHz)/15 dB (470-700 MHz) DVB-T signal
Drain Efficiency 50% (470-620 MHz)/48% (470-700 MHz) DVB-T signal
Supply Voltage 50 V (DC) Standard operating voltage
Maximum Drain-Source Voltage 104 V Absolute maximum rating
Package SOT-539A (flanged ceramic/CDFM5) 4-pin design
Thermal Resistance (junction-to-case) 0.17 K/W Typical value
Junction Temperature Up to 200°C Absolute maximum rating
VSWR Ruggedness 20:1 Full frequency band
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить