BLP9H10S-500AWT RF MOSFET LDMOS 300 МВ OMP780

1. Основные характеристики

• Производитель: Амплеон
• Технология: LDMOS 9-го поколения.
• Корпус: ОМП-780-6Ф-1 (формованный пластик без ушей фланцевый, 6-выводной, высокая теплоотдача)
• Диапазон частот: 600–960 МГц (охватывает 4G/5G: n5/n20/n28, диапазон 8/20/28)
• Напряжение питания: VDS = 48 В (типичное), VDSmax = 105 В
• Выходная мощность (P3дБ): 500 Вт при 800 МГц, 48 В, 20 МГц LTE
• Усиление мощности: 18,3 дБ (типичное) при 800 МГц
• Эффективность стока: 51% (типично) при 800 МГц (режим Доэрти)
• Импеданс: встроенное широкополосное предварительное согласование, совместимость с системой 50 Ом.
• Ток покоя: Idq = 125 мА (типичное значение)
• Термическое сопротивление (переход к корпусу): 0,45 К/Вт
• Прочность КСВ: 10:1 (все фазы, полная мощность, отсутствие повреждений)
• Защита: встроенная двусторонняя защита от электростатического разряда, низкий эффект памяти (DPD-совместимость), соответствие RoHS.
• Суффикс: AWT = A (асимметричный Доэрти) + W (широкополосный) + T (лента и катушка)

2. Ключевые особенности

1. Асимметричная оптимизация Доэрти: интегрированные транзисторы несущей/пика на кристалле; асимметричная конструкция повышает эффективность и линейность сигналов с высоким PAR (9,9 дБ).
2. Высокая эффективность и усиление: типичный КПД 51% и усиление 18,3 дБ, что снижает энергопотребление системы и требования к предварительному запуску, а также упрощает тепловую конструкцию.
3. Широкополосное покрытие и совместимость с DPD: покрытие одного устройства в диапазоне 600–960 МГц, низкая выходная емкость, низкий эффект памяти, идеально подходит для сигналов с несколькими несущими и широкополосных сигналов 5G NR.
4. Высокая надежность и тепловые характеристики: допуск КСВ 10:1, двусторонняя защита от электростатического разряда, фланцевый корпус OMP (Rth=0,45 К/Вт), подходит для мощной и длительной работы макробазовой станции.
5. Простая интеграция: встроенное широкополосное согласование входов и выходов упрощает внешнюю схему и сокращает циклы проектирования.

3. Типичные применения

• Усилители финальной ступени макробазовой станции 4G/5G: 600–960 МГц (n5/n20/n28), каналы передачи RRU/AAU.
• Многочастотные силовые модули: усиление широкополосного сигнала LTE/NR 20/40/80 МГц.
• Системы усилителей Doherty: асимметричная архитектура для сигналов с высоким PAR, улучшающая линейность и эффективность системы.
• Передатчики общественной безопасности/частной сети: Мощное, высокостабильное передающее оборудование ОВЧ/УВЧ.

4. Разбивка по названию номеров деталей

• BLP: Широкополосная мощность LDMOS
• 9: Процесс LDMOS 9-го поколения
• H: высокий уровень усиления/высокий уровень эффективности
• 10: Платформа класса напряжения 48 В
• S: Стандартный класс производительности
• 500: Выходная мощность непрерывного сигнала 500 Вт (P3дБ)
• AWT: A (асимметричный Доэрти) + W (широкополосный) + T (лента и катушка)