Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> Силовой LDMOS-транзистор> BLC9H10XS-505AZ РФ МОП-транзистор LDMOS
BLC9H10XS-505AZ РФ МОП-транзистор LDMOS
BLC9H10XS-505AZ РФ МОП-транзистор LDMOS
BLC9H10XS-505AZ РФ МОП-транзистор LDMOS
BLC9H10XS-505AZ РФ МОП-транзистор LDMOS
BLC9H10XS-505AZ РФ МОП-транзистор LDMOS
BLC9H10XS-505AZ РФ МОП-транзистор LDMOS
BLC9H10XS-505AZ РФ МОП-транзистор LDMOS

BLC9H10XS-505AZ РФ МОП-транзистор LDMOS

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: BLC9H10XS-505AZ

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
Номер детали: BLC9H10XS-505AZ
Производитель: Амплеон
Тип устройства: силовой RF-транзистор LDMOS 9-го поколения, 48 В, асимметричная конструкция Доэрти, со встроенным входным согласованием 50 Ом, оптимизированный для оконечного усилителя макробазовой станции 4G/5G с частотой менее 1 ГГц.

Ключевые характеристики

  • Диапазон частот: 617 МГц ~ 960 МГц
  • Типичное напряжение питания: 48 В, максимальное напряжение VDS: 105 В.
  • Выходная мощность: 500 Вт
  • Усиление мощности: 17,8 дБ (тип.)
  • Эффективность дренажа: 53% (режим Доэрти)
  • Упаковка: SOT1250-4 фланцевый пакет без ушей
  • Термическое сопротивление (переход к корпусу): 0,42 К/Вт
  • Прочность: выдерживает полную мощность КСВН 10:1.
  • Особенности: малый эффект памяти, совместимость с DPD, встроенная защита от электростатического разряда, встроенное согласование входов, высокая линейность.

Ключевые особенности

Применяет асимметричную структуру Доэрти, чтобы сбалансировать высокую эффективность и превосходную линейность.
Широкополосное покрытие ниже 1 ГГц для сигналов 4G LTE и 5G NR с высоким PAR и несколькими несущими.
Пакет фланцев обеспечивает превосходное рассеивание тепла и долговременную стабильность работы; высокая устойчивость к несоответствию нагрузки.
Интегрированная согласующая сеть уменьшает количество периферийных компонентов и упрощает конструкцию усилителя.

Типичные применения

Усилитель мощности конечного каскада для макробазовой станции 4G/5G AAU/RRU, широкополосных силовых модулей Doherty с частотой менее 1 ГГц, частных беспроводных сетей и мощных радиочастотных передатчиков общественной безопасности.

Определение номера детали

  • BLC: LDMOS-транзистор базовой станции с фланцевым креплением
  • 9: Процесс LDMOS 9-го поколения
  • H: Высокая мощность и высокая эффективность
  • 10: Платформа с частотой менее 1 ГГц
  • XS: высокая производительность, низкий эффект памяти.
  • 505: номинальная мощность 500 Вт
  • A: Асимметричная конфигурация Доэрти
  • Z: стандартная версия упаковки с лентой и катушкой
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить