Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> Силовой LDMOS-транзистор> BLC9H10XS-600A RF MOSFET LDMOS
BLC9H10XS-600A RF MOSFET LDMOS
BLC9H10XS-600A RF MOSFET LDMOS
BLC9H10XS-600A RF MOSFET LDMOS
BLC9H10XS-600A RF MOSFET LDMOS
BLC9H10XS-600A RF MOSFET LDMOS
BLC9H10XS-600A RF MOSFET LDMOS
BLC9H10XS-600A RF MOSFET LDMOS

BLC9H10XS-600A RF MOSFET LDMOS

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: BLC9H10XS-600A

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
Номер детали: BLC9H10XS-600A
Производитель: Амплеон
Тип устройства: силовой РЧ-транзистор LDMOS 9-го поколения, 48 В, асимметричная конструкция Доэрти, со встроенным входным согласованием 50 Ом, оптимизированный для оконечных усилителей макробазовых станций 4G/5G суб-1 ГГц Ampleon.

Ключевые характеристики

  • Диапазон частот: 616 МГц ~ 960 МГц.
  • Типичное напряжение питания: 48 В, максимальное напряжение VDS: 105 В.
  • Выходная мощность: 600 Вт (W-CDMA с одной несущей)Ampleon
  • Усиление мощности: 17,7 дБ (тип.)
  • Эффективность дренажа: 53,9 % (режим Доэрти)
  • Комплект: SOT1250‑2 безушковой фланцевый комплект (4 вывода) Ampleon
  • Термическое сопротивление (переход к корпусу): 0,42 К/Вт
  • Прочность: выдерживает полную мощность КСВН 10:1.
  • Особенности: малый эффект памяти, совместимость с DPD, встроенная защита от электростатического разряда, встроенное согласование входов, высокая линейность.

Ключевые особенности

  • Асимметричная архитектура Доэрти сочетает в себе высокую эффективность и превосходную линейностьAmpleon.
  • Широкополосное покрытие ниже 1 ГГц для сигналов 5G NR и 4G LTE с высоким PAR и несколькими несущимиAmpleon.
  • Пакет фланцев обеспечивает превосходное рассеивание тепла и долговременную стабильность; устойчив к несоответствию нагрузкиAmpleon.
  • Интегрированное согласование входов уменьшает количество внешних компонентов и упрощает конструкцию усилителя Ampleon.

Типичные применения

  • Усилитель мощности конечного каскада для макробазовой станции 4G/5G AAU/RRU;
  • Широкополосные модули усилителей мощности Доэрти с частотой менее 1 ГГц;
  • Частные беспроводные сети и мощные радиочастотные передатчики общественной безопасностиAmpleon.

Определение номера детали

  • BLC: LDMOS-транзистор базовой станции, монтируемый на фланце.
  • 9: Процесс LDMOS 9-го поколения
  • H: Высокая мощность/высокая эффективность.
  • 10: Частотная платформа 616–960 МГц
  • XS: высокая производительность, низкий эффект памяти.
  • 600: номинальная мощность 600 Вт
  • A: Асимметричная конфигурация Доэрти
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить