BLP9H10-30G RF MOSFET LDMOS

Ключевые характеристики

• Диапазон частот: 616 МГц ~ 960 МГц
• Типичное напряжение питания: 50 В, максимальное напряжение VDS: 105 В.
• Выходная мощность: 30 Вт (W-CDMA с одной несущей)
• Усиление мощности: 18,3 дБ (тип.)
• Эффективность слива: 13,5 % (тип., класс AB)
• Упаковка: SOT1483‑1, небольшой пластиковый корпус (2 провода)
• Термическое сопротивление (переход к корпусу): 1,7 К/Вт
• Прочность: выдерживает полную мощность КСВН 10:1.
• Особенности: Высокий коэффициент усиления, высокая эффективность, встроенная защита от электростатического разряда, отличная термостабильность, широкополосный дизайн.

Ключевые особенности

• Технология LDMOS 9-го поколения обеспечивает оптимальный баланс усиления и эффективности.
• Широкополосное покрытие ниже 1 ГГц поддерживает 4G LTE, 3G W‑CDMA, 2G GSM/EDGE и другие мультистандартные сигналы.
• Пластиковая упаковка, небольшой размер и низкая стоимость, подходит для массового производства.
• Устойчивость к несоответствию нагрузки (КСВ 10:1), высокая надежность для суровых условий эксплуатации.

Типичные применения

• Драйвер-усилитель для макробазовой станции 4G/3G/2G RRU/AAU;
• Конечный усилитель малой мощности для частот ниже 1 ГГц (например, малые соты, пикосоты)；
• Частные беспроводные сети, общественная безопасность, передатчики высокой мощности в диапазоне ISM.

Определение номера детали

• BLP: LDMOS-транзистор базовой станции в пластиковом корпусе
• 9: Процесс LDMOS 9-го поколения
• H: Высокая мощность/высокая эффективность.
• 10: Частотная платформа 616–960 МГц
• 30:30 Вт номинальная мощность
• G: Стандартная версия