BLC9H10XS-350A RF MOSFET LDMOS 50 В SOT1273

Ключевые характеристики

• Диапазон частот: 617 МГц ~ 960 МГц
• Напряжение питания стока (VDS): 48 В (тип.), Макс. VDS: 105 В
• Выходная мощность: 350 Вт (1 несущая W-CDMA, PAR=9,6 ​​дБ)
• Усиление мощности: 18,9 дБ (тип.)
• Эффективность дренажа: 55,1 % (тип.)
• Комплект поставки: SOT1273‑1 безушовой фланцевый корпус (5 выводов)
• Термическое сопротивление (переход к корпусу): 0,32 К/Вт
• Характеристики: малый эффект памяти, совместимость с DPD, встроенное широкополосное согласование входа, защита от электростатического разряда.

Ключевые особенности

• Технология LDMOS 9-го поколения с асимметричной архитектурой Доэрти обеспечивает высокую мощность, эффективность и линейность;
• Широкополосное покрытие ниже 1 ГГц поддерживает 4G LTE, 5G NR, 3G W‑CDMA и другие мультистандартные сигналы с высоким PAR;
• Встроенное широкополосное согласование входов упрощает внешние схемы и снижает сложность конструкции;
• Низкая выходная емкость и низкий эффект памяти обеспечивают превосходную производительность DPD для сложных сценариев с несколькими несущими;
• Низкое термическое сопротивление обеспечивает превосходное рассеивание тепла и долгосрочную стабильность работы;
• Встроенная защита от электростатического разряда и соответствие RoHS обеспечивают высокую надежность.

Типичные применения

• Конечный усилитель для макробазовой станции 4G/5G RRU/AAU (617–960 МГц);
• Мощные передатчики с несколькими несущими частотой менее 1 ГГц;
• Частные беспроводные сети, общественная безопасность, радиочастотное оборудование высокой мощности в диапазоне ISM.

Определение номера детали

• BLC: корпусной LDMOS-транзистор базовой станции с фланцевой полостью без ушей
• 9: Процесс LDMOS 9-го поколения
• H: Высокая мощность/высокая эффективность.
• 10: Частотная платформа 617–960 МГц
• XS: асимметричная конфигурация Доэрти
• 350: номинальная мощность 350 Вт
• А: Стандартная версия