BLC10G18XS-400AVT RF MOSFET LDMOS

Ключевые особенности

• Радиочастотные характеристики: работает на частоте 1805–1880 МГц, обеспечивает пиковую мощность 400 Вт/среднюю мощность 56 Вт с усилением ≥16,5 дБ, типичный КПД 49 % при 28 В/49,5 % при 32 В, поддерживает линеаризацию нескольких несущих и DPD.
• Оптимизация по Доэрти: низкая выходная емкость повышает линейность усилителя Доэрти и снижает обратные потери; Низкий эффект памяти обеспечивает высокую производительность DPD с минимальными искажениями сигнала (ACPR≤-29,5 дБн).
• Термичность и надежность: низкое термическое сопротивление обеспечивает превосходное рассеивание тепла и высокую устойчивость к температуре перехода; встроенная защита от электростатического разряда; Соответствует RoHS, выдерживает несоответствие нагрузки КСВ=10:1, обеспечивая надежную работу.
• Простота конструкции: внутреннее предварительное согласование с сопротивлением 50 Ом упрощает схему и сокращает время настройки; Пакет SOT1258-4, совместимый с автоматизированной сборкой.

Типичные применения

• Радиочастотные усилители мощности макробазовой станции 4G/5G в диапазоне 1,8 ГГц
• Передатчики системы связи с несколькими несущими
• Инфраструктура беспроводной связи 1805–1880 МГц