Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.
Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.
Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> Силовой LDMOS-транзистор
Группа Продуктов

Запрос

Силовой LDMOS-транзистор

(Total 41 Products)

  • AMPLEON BLC9H10XS-606AZ RF MOSFET LDMOS

    AMPLEON BLC9H10XS-606AZ RF MOSFET LDMOS

    Получить цену

    Бренд:АМПЛЕОН

    Количество минимального заказа:1

    Model No:BLC9H10XS-606AZ

    Номер детали: BLC9H10XS-606A Производитель: Амплеон Тип устройства: ВЧ силовой транзистор LDMOS 9-го поколения, 48 В, асимметричная конструкция Доэрти со встроенным входным согласованием, оптимизированный для окончательного усилителя мощности...

    Свяжитесь
  • BLC10G22XS-551AVT RF МОП-транзистор LDMOS32V

    BLC10G22XS-551AVT RF МОП-транзистор LDMOS32V

    Получить цену

    Бренд:АМПЛЕОН

    Количество минимального заказа:1

    Model No:BLC10G22XS-551AVT

    Силовой LDMOS-транзистор BLC10G22XS-551AVT — это высокопроизводительный силовой LDMOS-транзистор производства Ampleon, оптимизированный для применения в базовых станциях и ВЧ-усилителях мощности с несколькими несущими в диапазоне частот 2,2 ГГц....

    Свяжитесь
  • BLC10G18XS-551AVT RF MOSFET LDMOS

    BLC10G18XS-551AVT RF MOSFET LDMOS

    Получить цену

    Бренд:АМПЛЕОН

    Количество минимального заказа:1

    Model No:BLC10G18XS-551AVT

    Силовой LDMOS-транзистор BLC10G18XS-551AVT — это асимметричный силовой транзистор Doherty LDMOS от Ampleon, оптимизированный для макробазовых станций 4G/5G с частотой 1805–1880 МГц (1,8 ГГц) и радиочастотных усилителей мощности с несколькими...

    Свяжитесь
  • BLC10G18XS-400AVT RF MOSFET LDMOS

    BLC10G18XS-400AVT RF MOSFET LDMOS

    Получить цену

    Бренд:АМПЛЕОН

    Количество минимального заказа:1

    Model No:BLC10G18XS-400AVT

    Силовой LDMOS-транзистор BLC10G18XS-400AVT — это асимметричный силовой транзистор Doherty LDMOS от Ampleon, оптимизированный для макробазовых станций 4G/5G с частотой 1805–1880 МГц (1,8 ГГц) и радиочастотных усилителей мощности с несколькими...

    Свяжитесь
  • BLC9G21LS-60AVZ RF MOSFET LDMOS

    BLC9G21LS-60AVZ RF MOSFET LDMOS

    Получить цену

    Бренд:АМПЛЕОН

    Количество минимального заказа:1

    Model No:BLC9G21LS-60AV BLC9G21LS-60AVZ BLC9G21LS-60AVY

    Силовой LDMOS-транзистор BLC9G21LS-60AVZ — это двойной N-канальный силовой RF-транзистор LDMOS на основе технологии Ampleon LDMOS Gen9, оптимизированный для базовых станций 4G/5G с частотой 1805–2200 МГц (1,8–2,2 ГГц), систем связи с несколькими...

    Свяжитесь
  • РЧ МОП-транзисторы BLC10G27XS-551AVT

    РЧ МОП-транзисторы BLC10G27XS-551AVT

    Получить цену

    Бренд:АМПЛЕОН

    Количество минимального заказа:1

    Model No:BLC10G27XS-551AVT BLC10G27XS-551AVTZ

    Силовой LDMOS-транзистор Модель: BLC10G27XS-551AVT Производитель: Амплеон Тип продукта: Асимметричный силовой транзистор Доэрти 10-го поколения с напряжением LDMOS 28 В, оптимизированный для 2,62–2,69 ГГц 5G NR n78-диапазона макробазовой станции для...

    Свяжитесь
  • BLC10G18XS-360AVT RF MOSFET LDMOS

    BLC10G18XS-360AVT RF MOSFET LDMOS

    Получить цену

    Бренд:АМПЛЕОН

    Количество минимального заказа:1

    Model No:BLC10G18XS-360AVT

    Силовой LDMOS-транзистор BLC10G18XS-360AVT — это асимметричный силовой ВЧ-транзистор Doherty LDMOS от Ampleon, оптимизированный для макробазовых станций 4G/5G с частотой 1805–1880 МГц (1,8 ГГц) и усилителей мощности с несколькими несущими....

    Свяжитесь
  • РЧ МОП-транзисторы BLC10G27XS-400AVTZ

    РЧ МОП-транзисторы BLC10G27XS-400AVTZ

    Получить цену

    Бренд:АМПЛЕОН

    Количество минимального заказа:1

    Model No:BLC10G27XS-400AVT BLC10G27XS-400AVTZ

    Силовой LDMOS-транзистор Модель: BLC10G27XS-400AVT (стандартная модель: BLC10G27XS-400AVTZ, упаковка на ленте и в катушках) Производитель: Амплеон Тип продукта: Асимметричный силовой ВЧ-транзистор Доэрти 9-го поколения с напряжением LDMOS 28 В...

    Свяжитесь
  • BLC10G22XS-400AVT Силовой транзистор LDMOS

    BLC10G22XS-400AVT Силовой транзистор LDMOS

    Получить цену

    Бренд:АМПЛЕОН

    Количество минимального заказа:1

    Model No:BLC10G22XS-400AVT

    Силовой LDMOS-транзистор BLC10G22XS-400AVT — это асимметричный силовой транзистор Doherty LDMOS от Ampleon, оптимизированный для макробазовых станций 4G/5G с частотой 2110–2200 МГц (2,2 ГГц) и радиочастотных усилителей мощности с несколькими...

    Свяжитесь
  • BLP9H10-30G RF MOSFET LDMOS

    BLP9H10-30G RF MOSFET LDMOS

    Получить цену

    Бренд:АМПЛЕОН

    Количество минимального заказа:1

    Model No:BLP9H10-30GZ BLP9H10-30G

    Номер детали: BLP9H10-30G Производитель: Амплеон Тип устройства: силовой RF-транзистор LDMOS 9-го поколения, 50 В, 30 Вт, пластиковый корпус, оптимизированный для драйвера базовой станции 4G/3G/2G с частотой менее 1 ГГц или оконечных усилителей...

    Свяжитесь
  • BLF188XR RF MOSFET LDMOS 50 В CDFM4

    BLF188XR RF MOSFET LDMOS 50 В CDFM4

    Получить цену

    Бренд:АМПЛЕОН

    Количество минимального заказа:1

    Model No:BLF188XR

    Прикладные продукты BLF188XR BLF188XR — силовой LDMOS RF-транзистор мощностью 1400 Вт производства компании Ampleon (ранее NXP), работающий в диапазоне частот HF ~ 600 МГц. В основном он применяется в мощных радиочастотных усилителях для...

    Свяжитесь
  • BLC9H10XS-606AZ RF MOSFET LDMOS 48В

    BLC9H10XS-606AZ RF MOSFET LDMOS 48В

    Получить цену

    Бренд:АМПЛЕОН

    Количество минимального заказа:1

    Model No:BLC9H10XS-606AZ

    Номер детали : BLC9H10XS-606A. Производитель : Амплеон Тип устройства : ВЧ силовой транзистор LDMOS 9-го поколения, 48 В, асимметричная конструкция Доэрти со встроенным согласованием входов, оптимизированный для окончательного усилителя мощности...

    Свяжитесь
  • BLF0910H9LS600 BLF0910H9LS600U Силовой LDMOS-транзистор

    BLF0910H9LS600 BLF0910H9LS600U Силовой LDMOS-транзистор

    Получить цену

    Бренд:Амплеон

    Количество минимального заказа:1

    Model No:BLF0910H9LS600 BLF0910H9LS600U BLF0910H9LS600J

    Модель: BLF0910H9LS600 Производитель: Амплеон Тип продукта: Несимметричный силовой транзистор LDMOS, оптимизированный для диапазона ISM 902–928 МГц (основные частоты для промышленных, научных и медицинских приложений, охватывающий основные частоты...

    Свяжитесь
  • BLC8G21LS-160AVZ RF MOSFET LDMOS

    BLC8G21LS-160AVZ RF MOSFET LDMOS

    Получить цену

    Бренд:АМПЛЕОН

    Количество минимального заказа:1

    Model No:BLC8G21LS-160AVZ BLC8G21LS-160AVY

    BLC8G21LS-160AVZ — это двойной N-канальный силовой RF-транзистор LDMOS на основе технологии LDMOS Gen8 от Ampleon, оптимизированный для базовых станций 4G/5G с частотой 1805–2025 МГц (1,8–2,025 ГГц), систем связи с несколькими несущими и...

    Свяжитесь
  • BLC9G22LS-160VTZ RF MOSFET LDMOS

    BLC9G22LS-160VTZ RF MOSFET LDMOS

    Получить цену

    Бренд:АМПЛЕОН

    Количество минимального заказа:1

    Model No:BLC9G22LS-160VTZ

    BLC9G22LS-160VT — это N-канальный силовой RF-транзистор LDMOS от Ampleon, оптимизированный для беспроводной инфраструктуры диапазона 2,2 ГГц, телевизионных передатчиков и промышленных усилителей мощности RF. Размещенный в корпусе SOT1271-2, он...

    Свяжитесь
  • BLC9H10XS-350A RF MOSFET LDMOS 50 В SOT1273

    BLC9H10XS-350A RF MOSFET LDMOS 50 В SOT1273

    Получить цену

    Бренд:АМПЛЕОН

    Количество минимального заказа:1

    Model No:BLC9H10XS-350A

    Номер детали: BLC9H10XS-350A Производитель: Амплеон Тип устройства: LDMOS 9-го поколения, асимметричный силовой ВЧ-транзистор Доэрти мощностью 350 Вт, оптимизированный для оконечных усилителей макробазовых станций 4G/5G с частотой менее 1 ГГц,...

    Свяжитесь
  • BLC9H10XS-500A RF MOSFET LDMOS 48 В SOT1273-1

    BLC9H10XS-500A RF MOSFET LDMOS 48 В SOT1273-1

    Получить цену

    Бренд:АМПЛЕОН

    Количество минимального заказа:1

    Model No:BLC9H10XS-500A

    Номер детали: BLC9H10XS-500A Производитель: Амплеон Тип устройства: LDMOS 9-го поколения, асимметричный силовой ВЧ-транзистор Доэрти мощностью 500 Вт, оптимизированный для оконечных усилителей макробазовых станций 4G/5G с частотой менее 1 ГГц,...

    Свяжитесь
Список сопутствующих товаров
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> Силовой LDMOS-транзистор
Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.
WhatsApp:
+86 17287775445
Эмайл:
870630590@qq.com
Сайт:
https://ru.ldmoscn.com
Copyright © 2026 Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd. Все права защищены.
Оставьте нам сообщение

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Загрузите вложение
Отправить