Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> 2-ступенчатая MMIC Доэрти> BLM10D2327-40ABZ РЧ усилитель мощности
BLM10D2327-40ABZ РЧ усилитель мощности
BLM10D2327-40ABZ РЧ усилитель мощности
BLM10D2327-40ABZ РЧ усилитель мощности
BLM10D2327-40ABZ РЧ усилитель мощности
BLM10D2327-40ABZ РЧ усилитель мощности
BLM10D2327-40ABZ РЧ усилитель мощности
BLM10D2327-40ABZ РЧ усилитель мощности

BLM10D2327-40ABZ РЧ усилитель мощности

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: BLM10D2327-40ABZ BLM10D2327-40AB

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
BLM10D2327-40AB LDMOS 2-этапная интегрированная MMIC Doherty
Модель: BLM10D2327-40ABZ
Производитель: Амплеон
Тип продукта: 28-вольтовый двухкаскадный полностью интегрированный асимметричный РЧ-усилитель мощности Doherty MMIC с LDMOS 10-го поколения, оптимизированный для работы в диапазоне 2,5–2,7 ГГц 5G NR n78 с малыми сотами и массовыми приложениями MIMO.

Ключевые характеристики

Parameter Specification
Frequency Range 2500 MHz ~ 2700 MHz (Precisely covers 5G NR n78 core band)
Peak Output Power 40W Continuous Wave (CW), in Asymmetric Doherty Configuration (45.7dBm typical)
Typical Power Gain 28.9 dB (Doherty operation mode, at 37.6dBm average output power)
Typical Drain Efficiency 44.5% (at 8.7dB OBO, 1-carrier LTE 20MHz signal)
Supply Voltage 28V nominal, Maximum Rated Voltage 65V
Quiescent Current 45 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.4V)
Package Type 20-PQFN (SOT1462-1), 8x8x2.1mm leadless thermal enhanced package with exposed thermal pad
Port Characteristics Internally matched to 50Ω input, 20Ω output pre-match, simplifying external matching design
Architecture Fully integrated asymmetric Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier and peaking amplifier paths
Operating Temperature -40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 200°C)
Thermal Resistance Junction-to-case thermal resistance as low as 3.6 K/W (at PL=5.75W)

Особенности и преимущества

  • Применяется усовершенствованный процесс LDMOS 10-го поколения Ampleon, обеспечивающий баланс между высокой выходной мощностью 40 Вт и высокой эффективностью 44,5%, что идеально подходит для модулированных сигналов 5G с высоким PAPR.
  • Оптимизированная асимметричная архитектура Доэрти обеспечивает превосходную возможность коррекции цифровых предыскажений (DPD), обеспечивая выдающийся коэффициент мощности соседнего канала (ACPR) на уровне -39,1 дБн после DPD, что соответствует строгим требованиям к линейности для базовых станций 5G.
  • Полностью интегрированная конструкция (встроенный разветвитель, сумматор, сеть предварительного согласования) значительно упрощает проектирование радиочастотной печатной платы и ускоряет вывод малых сот на рынок.
  • Независимый контроль смещения несущей и пика позволяет гибко оптимизировать линейность и эффективность в различных условиях эксплуатации.
  • Встроенная схема защиты от электростатического разряда (CDM класс C3, HBM класс 1C) повышает надежность устройства во время производства и применения, снижая риск повреждения.
  • Превосходная устойчивость к несоответствию нагрузки, способность выдерживать КСВ = 10:1 на всех фазах, что повышает надежность системы.
  • Широкая неравномерность усиления (всего 0,5 дБ в диапазоне 2515–2675 МГц), подходит для широкополосных систем связи с несколькими несущими.
  • Соответствует RoHS, подходит для строительства и развертывания глобальной инфраструктуры связи 5G.

Приложения

  • Блоки усиления РЧ-мощности конечного каскада для базовых станций малых сот 5G NR n78 (2,5–2,7 ГГц)
  • ВЧ-модули для базовых станций массивного MIMO (mMIMO)
  • Базовые станции связи 4G/5G с агрегацией нескольких несущих (CA)
  • Системы радиочастотной передачи для связи в частных сетях и промышленного Интернета вещей (IIoT)
  • Проекты модернизации и реконструкции инфраструктуры беспроводной связи
  • Мультистандартное (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR) коммуникационное оборудование
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить