Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> ВЧ / УКВ мощность LDMOS> BLC10G19XS-601AVTZ RF МОП-транзистор LDMOS 30 В
BLC10G19XS-601AVTZ RF МОП-транзистор LDMOS 30 В
BLC10G19XS-601AVTZ RF МОП-транзистор LDMOS 30 В
BLC10G19XS-601AVTZ RF МОП-транзистор LDMOS 30 В
BLC10G19XS-601AVTZ RF МОП-транзистор LDMOS 30 В
BLC10G19XS-601AVTZ RF МОП-транзистор LDMOS 30 В
BLC10G19XS-601AVTZ RF МОП-транзистор LDMOS 30 В

BLC10G19XS-601AVTZ RF МОП-транзистор LDMOS 30 В

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: BLC10G19XS-601AVTZ BLC10G19XS-601AVTY

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
ВЧ/УКВ мощность LDMOS
Номер детали: BLC10G19XS-601AVT (суффикс Z/Y: BLC10G19XS-601AVTZ)
Производитель: Амплеон
Тип устройства: LDMOS, асимметричный силовой транзистор Доэрти, 1,93–1,995 ГГц, пиковая мощность 650 Вт, предназначен для макробазовой станции / усиления РЧ конечного каскада 5G NR.

Основные характеристики (Tcase=25°C, VDS=30В, сигнал W‑CDMA/5G NR)

  • Диапазон частот: 1,93–1,995 ГГц (основные диапазоны 5G, такие как n39/n40)
  • Напряжение питания стока (VDS): 30 В (тип.), макс. 65 В
  • Ток покоя (IDq): 1060 мА (основной усилитель, тип.) Ampleon
  • Средняя выходная мощность (PL(AV)): 120–125 Вт (50,8 дБм).
  • Пиковая выходная мощность (PL(M)): 630–680 Вт (тип. 650 Вт)
  • Коэффициент усиления мощности (Gp): 15 дБ (тип.)
  • Эффективность дренажа (ηD): 49 % (тип.)
  • Коэффициент мощности соседнего канала (ACPR): −32 дБн (тип., ≤−50 дБн после линеаризации)
  • Входные обратные потери (RLin): −15 дБ (тип.)
  • Упаковка: SOT1258-4 (6-выводной, фланцевый без ушей, пластик с воздушной полостью)
  • Термическое сопротивление (переход к корпусу): 0,16–0,18 К/Вт (при рассеиваемой мощности 120–150 Вт)Амплеон
  • Особенности: Внутреннее предварительное согласование, малый эффект памяти, высокая устойчивость к несоответствию (КСВ=10:1), низкая выходная емкость, защита от электростатического разряда, высокая надежность.

Ключевые особенности

  • Асимметричная архитектура Доэрти: интегрированный двухканальный основной + пиковый режим, оптимизированный для сигналов 5G с высоким PAPR, балансирующий высокую эффективность и высокую линейность;
  • Высокая плотность мощности: пиковая мощность 650 Вт, усиление 15 дБ, соответствие требованиям покрытия высокой мощности базовых макростанций в диапазоне 1,9 ГГц;
  • Конструкция с малым эффектом памяти: оптимизированные нелинейные характеристики, сильная возможность линеаризации DPD, подходит для сценариев 5G с несколькими несущими и массивных сценариев MIMO;
  • Отличные тепловые характеристики: сверхнизкое термическое сопротивление (0,16 К/Вт) для высокой эффективности рассеивания тепла, поддерживающее длительную непрерывную работу с высокой мощностью.
  • Внутреннее предварительное согласование: упрощает схемы внешнего согласования, сокращает циклы проектирования и снижает стоимость спецификации;
  • Высокая надежность: выдерживает КСВН = 10:1 при несоответствии всефазной нагрузки и широкополосных шумовых помехах для долгосрочной стабильной работы;
  • Соответствует RoHS: не содержит свинца, экологически чистый.

Типичные применения

  • Конечный усилитель макробазовой станции 5G (1,93–1,995 ГГц, диапазоны n39/n40);
  • Усиление радиочастот с несколькими несущими 4G LTE/5G NR;
  • Каналы передачи мощной радиочастотной базовой станции;
  • Замена устаревшей LDMOS (например, BLC10G19XS-551AVZ) для большей мощности и эффективности.

Определение номера детали

  • BLC: B-серия, LDMOS, силовой транзистор Доэрти
  • 10G: процесс LDMOS 10-го поколения, общее применение базовой станции
  • 19: диапазон 1,9 ГГц (1,93–1,995 ГГц)
  • XS: фланцевый корпус без ушей, высокая удельная мощность
  • 601: номинальная мощность класса 600 Вт (пиковая мощность 650 Вт)
  • AVT: асимметричная пластиковая упаковка Доэрти с воздушной полостью, стандартная версия (Z/Y = суффикс партии/окружающей среды)
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> ВЧ / УКВ мощность LDMOS> BLC10G19XS-601AVTZ RF МОП-транзистор LDMOS 30 В
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить