Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> ВЧ / УКВ мощность LDMOS> BLC10G22XS-570AVT RF MOSFET LDMOS 30 В SOT1258
BLC10G22XS-570AVT RF MOSFET LDMOS 30 В SOT1258
BLC10G22XS-570AVT RF MOSFET LDMOS 30 В SOT1258
BLC10G22XS-570AVT RF MOSFET LDMOS 30 В SOT1258
BLC10G22XS-570AVT RF MOSFET LDMOS 30 В SOT1258
BLC10G22XS-570AVT RF MOSFET LDMOS 30 В SOT1258
BLC10G22XS-570AVT RF MOSFET LDMOS 30 В SOT1258
BLC10G22XS-570AVT RF MOSFET LDMOS 30 В SOT1258

BLC10G22XS-570AVT RF MOSFET LDMOS 30 В SOT1258

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: BLC10G22XS-570AVTZ BLC10G22XS-570AVTY

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
Номер детали: BLC10G22XS-570AVT
Производитель: Амплеон
Тип устройства: LDMOS, асимметричный силовой ВЧ-транзистор Доэрти, 30 В.
Применение: оконечный усилитель мощности для макробазовой станции 4G/5G AAU и RRU, 2110~2180 МГц (диапазоны n1/n3/B1/B3)

Основные характеристики (Tcase=25°C, VDS=30В, сигнал W-CDMA)

  • Диапазон частот: 2110 МГц ~ 2180 МГц
  • Напряжение питания: 30 В (типичное), макс. 65 В
  • Ток покоя: 1150 мА (основной)
  • Средняя выходная мощность: 93,3 Вт (49,7 дБм)
  • Пиковая выходная мощность: 570 Вт (тип.)
  • Усиление мощности: 15,7 дБ (тип.)
  • Эффективность слива: 48% (тип.)
  • ACPR: −34,2 дБн (тип.)
  • Входные обратные потери: −14 дБ (тип.)
  • Упаковка: SOT1258-4, 6-выводной корпус с фланцем без ушей и воздушной полостью
  • Термическое сопротивление (JC): 0,18 ~ 0,20 К/Вт
  • Прочность: допуск на несоответствие полной фазовой нагрузки КСВ 10:1.

Функции

  1. Высокая надежность Технология LDMOS: отличная устойчивость к несоответствию нагрузки для долгосрочной стабильной работы базовой станции;
  2. Интегрированная асимметричная архитектура Доэрти: оптимизирована для сигналов 5G NR и LTE с высоким PAPR и хорошей линейностью;
  3. Предварительное согласование входных сигналов на кристалле: упрощает проектирование внешних радиочастотных схем и сокращает циклы разработки;
  4. Низкий эффект памяти: обеспечивает превосходное подавление соседних каналов с помощью линеаризации DPD;
  5. Конструкция с низким термическим сопротивлением: превосходное рассеивание тепла для непрерывной работы на высокой мощности;
  6. Встроенная защита от электростатического разряда: повышает антистатические возможности и надежность;
  7. Соответствует RoHS: Соответствует экологическим требованиям.

Типичные применения

  • Конечный усилитель базовой станции Macro для диапазонов 5G n1/n3 и 4G B1/B3;
  • Системы радиочастотных передатчиков с несколькими несущими в диапазоне 2110–2180 МГц;
  • Модули линейного усилителя мощности высокой мощности.

Определение номера детали

  • BLC: серия устройств питания Ampleon LDMOS;
  • 10G: процесс LDMOS 10-го поколения;
  • 22: диапазон частот 2,2 ГГц (2110–2180 МГц);
  • XS: Асимметричный Доэрти, стандартная комплектация;
  • 570: пиковая мощность 570 Вт;
  • AVT: фланец без ушка, пакет с воздушной полостью и видеоразвязкой.
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить