Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> ВЧ / УКВ мощность LDMOS> ART1K9FH ART1K9FHU LDMOS RF-транзистор пиковой мощности
ART1K9FH ART1K9FHU LDMOS RF-транзистор пиковой мощности
ART1K9FH ART1K9FHU LDMOS RF-транзистор пиковой мощности
ART1K9FH ART1K9FHU LDMOS RF-транзистор пиковой мощности
ART1K9FH ART1K9FHU LDMOS RF-транзистор пиковой мощности
ART1K9FH ART1K9FHU LDMOS RF-транзистор пиковой мощности
ART1K9FH ART1K9FHU LDMOS RF-транзистор пиковой мощности
ART1K9FH ART1K9FHU LDMOS RF-транзистор пиковой мощности

ART1K9FH ART1K9FHU LDMOS RF-транзистор пиковой мощности

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: ART1K9FH ART1K9FHU

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
ART1K9FHU — это ВЧ-транзистор LDMOS пиковой мощности 1900 Вт, производимый компанией Ampleon на основе технологии Advanced Rugged Technology (ART). Он специально разработан для ISM, радиовещания и связи в диапазоне от 1 МГц до 500 МГц (от низкой частоты до диапазона ОВЧ) и помещен в высокопроизводительный керамический корпус с фланцами (SOT-539A/CDFM5). Обладая допуском несоответствия нагрузки КСВН во всем диапазоне 65:1, он идеально подходит для промышленного отопления, радиовещания и профессиональных систем связи.

Ключевые особенности

  • Сверхвысокая мощность и эффективность: пиковая выходная мощность 1900 Вт (225 МГц, в импульсном режиме) при напряжении питания 55 В, 1700 Вт (108 МГц, в импульсном режиме) при напряжении питания 50 В, коэффициент усиления по мощности 24,6 дБ и эффективность стока до 75 %, что значительно повышает энергоэффективность системы.
  • Исключительная надежность: выдерживает рассогласование нагрузки КСВН по всему диапазону 65:1 при напряжении питания 50 В/55 В, обладает превосходной ударопрочностью для суровых условий эксплуатации без дополнительных схем защиты.
  • Высокое напряжение пробоя: максимальное напряжение сток-исток 177 В, поддержка усилителей мощности 48 В класса E и 55 В класса AB с высокой гибкостью применения.
  • Встроенная защита от электростатического разряда: встроенная двусторонняя схема защиты от электростатического разряда поддерживает работу класса C и полное отключение транзистора, повышая надежность устройства во время производства, установки и эксплуатации.
  • Надежность промышленного уровня: допуск температуры перехода до 225°C и низкое термическое сопротивление (переход-корпус) 0,071 К/Вт, подходящее для длительной непрерывной работы.
  • Широкий частотный диапазон: охватывает диапазон от 1 до 500 МГц, адаптируется к различным частотным приложениям без регулировки, что упрощает конструкцию системы.
  • Сбалансированная конструкция корпуса: Сбалансированный корпус SOT-539A (фланцевая керамика/CDFM5) с 5-контактной конфигурацией (2 стока, 2 затвора, 1 исток), облегчающий установку и управление температурой.

Типичные применения

  • Промышленные, научные и медицинские применения (ISM): генераторы плазмы, системы МРТ, CO₂-лазеры, ускорители частиц, радиочастотное нагревательное оборудование.
  • Приложения для вещания: усиление мощности на конечном этапе для передатчиков FM-радиовещания, телевизионных передатчиков УКВ.
  • Коммуникационные приложения: системы несотовой связи, УВЧ-радары, каскады усиления высокой мощности в профессиональных базовых станциях связи и ретрансляторах.
  • Аэрокосмическая и оборонная промышленность: навигационные системы, спасательные радиостанции, военное оборудование связи.
  • Приборы для радиочастотных испытаний: источники мощных сигналов, радиочастотное испытательное оборудование.

Технические характеристики

Parameter Value Notes
Frequency Range 1 MHz–500 MHz Low frequency to VHF band
Peak Output Power 1900 W (typical) 225 MHz, VDS=55 V, pulsed (tp=100 μs, δ=10%)
  1700 W (typical) 108 MHz, VDS=50 V, pulsed (tp=100 μs, δ=20%)
Power Gain 24.6 dB (typical) 225 MHz, PL=1900 W, VDS=55 V
  27.7 dB (typical) 108 MHz, PL=1700 W, VDS=50 V
Drain Efficiency 72.5% (typical) 225 MHz, PL=1900 W, VDS=55 V
  74.7% (typical) 108 MHz, PL=1700 W, VDS=50 V
Supply Voltage 30 V–55 V Supports wide voltage range applications, rated at 50 V/55 V
Maximum Drain-Source Voltage 177 V Absolute maximum rating
Package SOT-539A (flanged ceramic/CDFM5) 5-pin balanced design (2 drains, 2 gates, 1 source)
Thermal Resistance (junction-to-case) 0.071 K/W Typical value
Junction Temperature Up to 225°C Absolute maximum rating
VSWR Ruggedness 65:1 Full frequency band, 50 V/55 V supply
ESD Protection Integrated dual-sided ESD protection Supports Class C operation and complete shutdown
Input Return Loss -19 dB (typical) 225 MHz, PL=1900 W
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> ВЧ / УКВ мощность LDMOS> ART1K9FH ART1K9FHU LDMOS RF-транзистор пиковой мощности
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить