Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> ВЧ / УКВ мощность LDMOS> BLA9H0912L-250G LDMOS силовой транзистор авионики
BLA9H0912L-250G LDMOS силовой транзистор авионики
BLA9H0912L-250G LDMOS силовой транзистор авионики
BLA9H0912L-250G LDMOS силовой транзистор авионики
BLA9H0912L-250G LDMOS силовой транзистор авионики
BLA9H0912L-250G LDMOS силовой транзистор авионики
BLA9H0912L-250G LDMOS силовой транзистор авионики
BLA9H0912L-250G LDMOS силовой транзистор авионики

BLA9H0912L-250G LDMOS силовой транзистор авионики

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: BLA9H0912L-250G BLA9H0912LS-250G

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта

I. Обзор продукта

BLA9H0912L-250G — это высокопроизводительный силовой RF-транзистор LDMOS от Ampleon. Специально разработанный для диапазона частот авионики 960–1215 МГц, он обеспечивает типичную выходную мощность 250 Вт с высокой эффективностью, превосходной прочностью и превосходной термической стабильностью. Благодаря встроенной двусторонней защите от электростатического разряда и внутренней конструкции, обеспечивающей простоту внедрения, он идеально подходит для требовательных авиационных передатчиков и радиолокационных систем.

II. Ключевые характеристики

Parameter Specification
Manufacturer Ampleon
Transistor Type LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)
Frequency Range 960MHz ~ 1215MHz (avionics band)
Typical Output Power 250W (275W Pₗ(1dB) at 1dB gain compression)
Typical Power Gain 22dB
Typical Drain Efficiency 60%
Input Return Loss < -10dB
Pulse Droop 0.2dB ~ 0.5dB
Operating Voltage Vds=50V (typical)
Package SOT-502A ceramic package
Operating Temperature Range -55°C ~ +150°C
Features Integrated ESD protection, internally matched, high ruggedness, excellent thermal stability
Environmental Compliance RoHS Compliant

III. Особенности и преимущества продукта

  1. Превосходные радиочастотные характеристики: широкополосная работа в диапазоне от 960 МГц до 1215 МГц, высокая выходная мощность 250 Вт, высокий коэффициент усиления 22 дБ и высокая эффективность 60 % значительно повышают производительность системы передатчика.
  2. Конструкция высокой надежности: встроенная двусторонняя защита от электростатического разряда обеспечивает отличную изоляцию в выключенном состоянии, защищая устройство от повреждений электростатическими разрядами и продлевая срок службы.
  3. Упрощенная конструкция приложения: сеть с внутренним согласованием устраняет необходимость в сложных внешних схемах согласования, сокращая время разработки и сложность конструкции.
  4. Превосходная термическая стабильность: усовершенствованный процесс LDMOS обеспечивает стабильную работу даже в высокотемпературных средах, что подходит для длительной работы с высокой мощностью.
  5. Гибкое управление мощностью: простая регулировка выходной мощности с помощью управления напряжением на затворе, адаптируемая к различным требованиям к формату импульсов.
  6. Прочная конструкция: керамический корпус SOT-502A обеспечивает превосходную устойчивость к вибрации и ударам, что идеально подходит для применения в суровых условиях, например в аэрокосмической отрасли.

IV. Типичные применения

  • Системы передатчиков авионики (диапазон частот 960–1215 МГц)
  • Радар управления воздушным движением (УВД)
  • Системы идентификации «свой-чужой» (IFF)
  • Авиоционное навигационное оборудование (например, DME, TACAN)
  • Средства военной связи и радиоэлектронной борьбы
  • Приборы и тренажеры для испытаний авионики
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> ВЧ / УКВ мощность LDMOS> BLA9H0912L-250G LDMOS силовой транзистор авионики
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить