Все продукты

BLA9H0912L-250G LDMOS силовой транзистор авионики

I. Обзор продукта BLA9H0912L-250G — это высокопроизводительный силовой RF-транзистор LDMOS от Ampleon. Специально разработанный для диапазона частот авионики 960–1215 МГц, он обеспечивает типичную выходную мощность 250 Вт с высокой эффективностью,...

100B102JW500XT 1000пФ 1210 ±5% 500В

I. Обзор продукта 100B102JW500XT — это высокопроизводительный многослойный керамический конденсатор ВЧ/СВЧ-диапазона (MLCC) серии 100B Porcelain Superchip® от KYOCERA AVX (ранее American Technic Ceramics, ATC). Обладая диэлектриком P90 с высоким...

100A2R0BW150XT 2пФ 0505 ±0,1% 150 В

I. Обзор продукта 100A2R0BW150XT — это высокопроизводительный многослойный керамический конденсатор ВЧ/СВЧ-диапазона (MLCC) производства Porcelain Superchip® серии 100A от KYOCERA AVX (ранее American Technic Ceramics, ATC). Обладая диэлектриком P90...

100A240JW150XT 24пФ 0505 5% 150В

Номер детали: 100A240JW150XT Производитель: American Technic Ceramics (ATC), компания KYOCERA AVX. Тип продукта: Высокодобротный, низкий ESR, температурный коэффициент P90, многослойный керамический конденсатор для ВЧ и СВЧ-диапазона (MLCC),...

600S3R0BW250XT 3,0пФ 0603 ±0,1% 250 В

Номер детали: 600S3R0BW250XT Производитель: American Technic Ceramics (ATC), компания KYOCERA AVX. Тип продукта: Многослойный керамический конденсатор со сверхнизким ESR, высокой добротностью, C0G/NP0 и СВЧ-диапазоном (MLCC) Упаковка: 0603...

3,3PF 0603 ±0,1% 250 В

Номер детали: 600S3R3BT250XT Производитель: American Technic Ceramics (ATC), компания KYOCERA AVX. Тип продукта: Многослойный керамический конденсатор со сверхнизким ESR, высокой добротностью, NPO/C0G для ВЧ и СВЧ-диапазона (MLCC) Упаковка: 0603...

Многослойный керамический конденсатор для микроволновой печи

Основная информация Производитель: American Technic Ceramics (ATC), компания KYOCERA AVX. Тип продукта: Ультранизкое ESR, высокая добротность, NPO (C0G) ВЧ и микроволновый многослойный керамический конденсатор (MLCC) Серия: Серия 600S (стандартный...

BLF647P RF MOSFET LDMOS 32 В LDMOST

BLF647P английский перевод BLF647P — это широкополосный силовой высокочастотный LDMOS-транзистор мощностью 200 Вт, производимый компанией Ampleon (ранее NXP). Его рабочий диапазон частот охватывает диапазон от ВЧ до 1500 МГц и в основном...

Устройство Advanced Power LDMOS BLP15M9S70Z

Номер детали: Амплеон BLP15M9S70 Тип устройства: N-канальный силовой RF-транзистор LDMOS, технология 9-го поколения, питание 32 В, широкополосный (1 МГц–2 ГГц), оптимизированный для усилителей мощности ISM/вещания/общего назначения. 1. Основные...

3,6ПФ 0603 ±0,25ПФ 250 В

Номер детали: 600S3R6CT250XT Производитель: American Technic Ceramics (ATC, теперь KYOCERA AVX) Категория: Многослойный керамический конденсатор (MLCC) со сверхнизким ESR, высокой добротностью, NPO (C0G) для ВЧ/СВЧ-диапазона Технические...

RF высокодобротный многослойный керамический конденсатор

Основная информация Производитель: ATC (Американская техническая керамика), бренд KYOCERA AVX. Тип продукта: Высокодобротный многослойный керамический конденсатор RF Серия: Серия фарфоровых суперчипов 100А Номер детали: 100A5R1BW150XT Пояснение к...

BLC10G18XS-552AVT RF МОП-транзистор LDMOS

BLC10G18XS-552AVT — силовой LDMOS-транзистор. BLC10G18XS-552AVT — это асимметричный силовой транзистор Доэрти LDMOS 10-го поколения от компании Ampleon (Нидерланды), оптимизированный для оконечных усилителей мощности макробазовых станций 4G/5G в...

BLC10G22XS-600AVT RF MOSFET LDMOS

BLC10G22XS-600AVT — силовой LDMOS-транзистор. BLC10G22XS-600AVT — это асимметричный силовой транзистор Доэрти LDMOS 10-го поколения от Ampleon, работающий на частоте 2110～2170 МГц. Оптимизированный для макробазовых станций 4G/5G и оконечных...

B10G2527N10DLZ RF МОП-транзистор MMIC

2-ступенчатая MMIC Доэрти B10G2527N10DL — это двухкаскадный полностью интегрированный усилитель Doherty MMIC, основанный на современной технологии LDMOS от Ampleon, оптимизированный для базовых станций среднего диапазона 5G NR 2500–2700 МГц (2,5–2,7...

C4H2350N10Z Силовой РЧ-транзистор на основе нитрида галлия

Модель: C4H2350N10Z (базовая модель: C4H2350N10) Производитель: Амплеон Тип продукта: ВЧ силовой ВЧ-транзистор на основе нитрида галлия (GaN) (однозатворная конструкция, оптимизированная для широкополосных приложений) Ключевые характеристики...

C4H2327N55PZ RF MOSFET GAN

GaN силовой транзистор Модель: C4H2327N55Pz (стандартная модель: C4H2327N55PZ) Производитель: Амплеон Тип продукта: Упакованный силовой ВЧ-транзистор Доэрти на основе нитрида галлия (GaN) (оптимизирован для широкополосных базовых станций 2,3–2,69...

BLM9D2527-09AMZ Силовой LDMOS-транзистор

2-ступенчатая MMIC Доэрти Модель: BLM9D2527-09AMZ (стандартная модель: BLM9D2527-09AM, Z обозначает упаковку на ленте и катушке) Производитель: Амплеон Тип продукта: 2-каскадный полностью интегрированный ВЧ-усилитель мощности Doherty MMIC с...

BLM9D2324-08AMZ РЧ усилитель AMPLEON

2-ступенчатая MMIC Доэрти Модель: BLM9D2324-08AMZ (стандартная модель: BLM9D2324-08AM, Z обозначает упаковку на ленте и катушке) Производитель: Амплеон Тип продукта: 2-каскадный полностью интегрированный РЧ-усилитель мощности Doherty MMIC с LDMOS...

РЧ-усилитель мощности B10G3336N16DL

B10G3336N16DL — это двухэтапная MMIC Доэрти. Модель: B10G3336N16DL Производитель: Амплеон Тип продукта: Трехступенчатый полностью интегрированный РЧ-усилитель мощности Doherty MMIC с LDMOS 10-го поколения, оптимизированный для диапазона 3,3–3,6 ГГц...

BLM9D3842-16AM BLM9D3842-16AMZ РЧ усилитель мощности

BLM9D3842-16AM LDMOS 3-этапная интегрированная MMIC Doherty Модель: BLM9D3842-16AMZ Производитель: Амплеон Тип продукта: 3-каскадный полностью интегрированный РЧ-усилитель мощности Doherty MMIC с напряжением 28 В LDMOS 9-го поколения,...

BLM9D3740-16AM BLM9D3740-16AMZ РЧ усилитель мощности

BLM9D3438-16AM LDMOS 3-этапная интегрированная MMIC Doherty Модель: BLM9D3740-16AM Производитель: Амплеон Тип продукта: 3-каскадный полностью интегрированный РЧ-усилитель мощности Doherty MMIC с напряжением 28 В LDMOS 9-го поколения,...

BLP05H9S500P RF МОП-транзистор LDMOS

Модель: BLP05H9S500P Производитель: Амплеон Тип продукта: двухтактный силовой транзистор LDMOS, оптимизированный для диапазона ISM 423–443 МГц (основные частоты для промышленных, научных и медицинских применений, охватывающий основные частоты...

BLC2425M9LS250 BLC2425M9LS250Z RF MOSFET LDMOS

BLC2425M9LS250 — это силовой RF-транзистор LDMOS мощностью 250 Вт производства Ampleon, специально разработанный для мощных приложений непрерывного действия (CW) в диапазоне 2400–2500 МГц (диапазон ISM 2,45 ГГц). Он упакован в высокопроизводительный...

CLL3H0914LS-700U 700 Вт GaN SiC HEMT

Номер детали: CLL3H0914LS-700U Производитель: Амплеон Тип устройства: L-диапазон, GaN-SiC HEMT (транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия, карбида кремния, 700 Вт), внутреннее предварительное согласование + схема...